掃描電化學成像作為電化學的一種研究工具,已經(jīng)應用到電化學的各個研究方向,并且應用到其它領域之中。而在掃描電化學成像的過程中,拖尾現(xiàn)象的存在使得低分辨率的掃描電化學成像不僅在成像邊緣區(qū)域出現(xiàn)大量鋸齒狀干擾,還使得成像整體輪廓模糊不清,這對電化學分析是極其不利的。提高掃描成像的精度可以有效地減少拖尾現(xiàn)象對電化學成像的影響,但與此同時也造成了大量的時間消耗和成本消耗,給相關電化學研究帶來了很大的實驗約束。因此,本文旨在運用一種數(shù)據(jù)處理技術,改善低分辨率掃描電化學成像中的拖尾現(xiàn)象,在節(jié)約時間與成本的前提下,進一步得到效果更佳的掃描電化學成像。于是,本文首先針對掃描電化學成像拖尾現(xiàn)象的成因進行分析,而后就分析結果提出了一種基于反卷積的掃描電化學成像去拖尾算法。該算法以拖尾現(xiàn)象的成因為起點,分析并構建問題模型,然后從該問題模型中找到解決拖尾現(xiàn)象的辦法。本文運用SECM-A與循環(huán)伏安法對8組電化學實驗進行數(shù)據(jù)采集,形成可處理的數(shù)據(jù)集合。然后對數(shù)據(jù)進行分析,推測掃描電化學成像拖尾現(xiàn)象的非化學成因是采樣棒的擾動造成的電荷卷積現(xiàn)象。隨后利用本文提出的反卷積去拖尾算法對收集的8組數(shù)據(jù)進行去拖尾處理,并完成電... 

【文章來源】：東北師范大學吉林省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：39 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

掃描電化學成像中的拖尾現(xiàn)象

第三章 反卷積去拖尾算法，反卷積方法經(jīng)常被使用在神經(jīng)網(wǎng)絡、信道均衡、圖像修復與復原等中傳統(tǒng)的方法相比，反卷積方法為解決現(xiàn)實生活問題提供了與眾不同領域中取得了非比尋常的進展。該方法采用設定的模型敘述并構建問現(xiàn)實問題變得淺顯易懂，淺顯的問題細節(jié)化。本章將主要介紹掃描電，以及對其成因的分析與驗證，還有對基于反卷積去拖尾算法的詳細現(xiàn)象化學成像拖尾現(xiàn)象，是在掃描電化學成像時經(jīng)常會遇到的問題，當掃較低時該現(xiàn)象尤為明顯。圖 3-1、圖 3-2、圖 3-3、圖 3-4 為同一實驗描電化學成像圖。

圖 3-2 數(shù)據(jù) 2-secm 的掃描電化學成像圖 為數(shù)據(jù) 2-secm 的掃描電化學成像圖，其分辨率為 250*250，由圖可以體輪廓依然清晰可見，顏色改變之處過渡均勻但有肉眼可見的微小突現(xiàn)象，實驗細節(jié)處保留較完整，噪點少。

【參考文獻】：
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本文編號：3499353