對(duì)新材料探索與物性的研究是凝聚態(tài)物理方面重要的研究方向。三十多年前,銅氧化物高溫超導(dǎo)和量子霍爾效應(yīng)的發(fā)現(xiàn),帶動(dòng)了強(qiáng)關(guān)聯(lián)和拓?fù)漕I(lǐng)域的巨大發(fā)展�，F(xiàn)如今,強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系和拓?fù)洳牧系难芯繉映霾桓F。在這些研究中,單晶生長(zhǎng)成為了最核心的組成部分。本工作也對(duì)該領(lǐng)域的材料進(jìn)行了制備和研究。在本文中,通過以單晶生長(zhǎng)為主,結(jié)合物理性質(zhì)測(cè)量及角分辨光電子能譜（ARPES）等測(cè)量手段,對(duì)本工作中所制備材料的晶體結(jié)構(gòu)、物理性質(zhì)及電子能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了詳細(xì)闡述。本文的主要內(nèi)容如下:1、SrIr₂O₆多晶和單晶的生長(zhǎng)與物性研究。物性測(cè)量表明SrIr₂O₆多晶在高溫時(shí)表現(xiàn)出居里-外斯行為,隨著溫度的降低,電阻率也隨之增大,比熱測(cè)量發(fā)現(xiàn),該材料在降到0.05 K時(shí),依然沒有發(fā)現(xiàn)磁有序,其低溫磁性表現(xiàn)出無能隙的順磁行為,如磁化率和零場(chǎng)比熱的冪律行為等。單晶樣品的成功制備對(duì)SrIr₂O₆本征物理性質(zhì)及其各向異性的認(rèn)識(shí)具有重要意義。本工作也對(duì)SrIr₂O₆單晶... 

【文章來源】：信陽師范學(xué)院河南省

【文章頁數(shù)】：64 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 引言
    1.1 隨機(jī)單態(tài)
    1.2 拓?fù)浣^緣體
第2章 樣品的制備及測(cè)試方法
    2.1 單晶及其生長(zhǎng)方法
        2.1.1 背景簡(jiǎn)介
        2.1.2 單晶生長(zhǎng)方法
    2.2 樣品的物相表征方法
        2.2.1 X射線衍射分析
        2.2.2 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜分析
        2.2.3 掃描電子顯微鏡和能量譜儀分析
        2.2.4 X射線吸收光譜分析
    2.3 樣品的物性測(cè)量
        2.3.1 MPMS磁性測(cè)量系統(tǒng)
        2.3.2 PPMS物性測(cè)量系統(tǒng)
    2.4 本章小結(jié)
第3章 SrIr_2O_6 樣品的制備和物性研究
    3.1 研究背景
    3.2 SrIr_2O_6 的樣品制備
        3.2.1 SrIr_2O_6 的多晶樣品制備
        3.2.2 SrIr_2O_6 的單晶樣品制備
    3.3 SrIr_2O_6 樣品的結(jié)構(gòu)及物相表征
        3.3.1 SrIr_2O_6 多晶樣品的結(jié)構(gòu)及物相表征
        3.3.2 SrIr_2O_6 單晶樣品的結(jié)構(gòu)及物相表征
    3.4 SrIr_2O_6 樣品的基本物性
        3.4.1 SrIr_2O_6 多晶樣品的物性測(cè)量及分析
        3.4.2 SrIr_2O_6 單晶樣品的物性測(cè)量及分析
    3.5 本章小結(jié)
第4章 EuSn_2As_2 的單晶生長(zhǎng)和物性研究
    4.1 研究背景
    4.2 EuSn_2As_2 的單晶生長(zhǎng)
    4.3 EuSn_2As_2 的結(jié)構(gòu)及物相表征
        4.3.1 XRD物相分析
        4.3.2 EDX物相分析
        4.3.3 ICP化學(xué)元素分析
    4.4 EuSn_2As_2 的磁性測(cè)量及分析
    4.5 EuSn_2As_2 的電子能帶結(jié)構(gòu)測(cè)量及分析
    4.6 本章小結(jié)
第5章 單層和雙層MoS_2 薄膜的制備及表征
    5.1 研究背景
    5.2 單層和雙層MoS_2 的生長(zhǎng)
    5.3 單層和雙層MoS_2 的測(cè)試
    5.4 本章小結(jié)
第6章 總結(jié)及展望
參考文獻(xiàn)
攻讀學(xué)位期間獲得與學(xué)位論文相關(guān)的科研成果目錄
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[2]不同類型固體材料能帶結(jié)構(gòu)的分析與比較[J]. 李平.  科技視界. 2018(14)
[3]ICP-AES的工作原理與維護(hù)保養(yǎng)[J]. 王海燕.  電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn). 2010(04)
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[5]利用菱鎂礦制備碳酸鎂晶須[J]. 陳敏,李月圓,王健東,陳慶武,崔虹旭,申瑩瑩.  硅酸鹽學(xué)報(bào). 2009(10)
[6]帶能譜分析的掃描電子顯微鏡在材料分析中的應(yīng)用[J]. 王英姿,侯憲欽.  制造技術(shù)與機(jī)床. 2007(09)
[7]物理性質(zhì)測(cè)量系統(tǒng)（PPMS）的原理及其應(yīng)用[J]. 張焱,高政祥,高進(jìn),曹立志.  現(xiàn)代儀器. 2004(05)
[8]磁性測(cè)量?jī)x器（MPMS-XL）的原理及其應(yīng)用[J]. 張焱,高政祥,高進(jìn),曹立志.  現(xiàn)代儀器. 2003(05)
[9]用X射線粉末衍射法測(cè)定晶體結(jié)構(gòu)[J]. 梁敬魁.  物理. 1985(02)



本文編號(hào)：3439926