基于S N Ar反應(yīng)的新型擴(kuò)環(huán)卟啉及其衍生物的設(shè)計(jì)、合成及性能研究
發(fā)布時(shí)間:2021-09-02 16:23
在擴(kuò)環(huán)卟啉及類(lèi)似大環(huán)化合物的合成中,酸催化縮合反應(yīng)和多吡咯化合物的氧化偶聯(lián)反應(yīng)是兩類(lèi)廣泛使用的反應(yīng),過(guò)渡金屬催化的偶聯(lián)反應(yīng)目前也有一些報(bào)道,但利用這些經(jīng)典的方法,仍有一些卟啉化合物難以得到,比如smaragdyrin——具有五個(gè)吡咯單元的擴(kuò)環(huán)卟啉pentaphyrin(1.1.0.1.0)。最近,宋建新課題組利用雙重SNAr反應(yīng)成功合成了該化合物。在此基礎(chǔ)上,本論文探討了多吡咯化合物與鹵代多吡咯川化合物的SNAr反應(yīng),以二者為反應(yīng)物,通過(guò)SNAr反應(yīng)合成了新型擴(kuò)環(huán)卟啉,并對(duì)合成的擴(kuò)環(huán)卟啉做了一些性質(zhì)研究。論文具體內(nèi)容如下:(1)查閱文獻(xiàn),合成了一系列中間體,包括缺電子的鹵代多吡咯甲川化合物與富電子的多吡咯化合物,并且驗(yàn)證了1,14-二溴三吡咯川的反應(yīng)性;(2)通過(guò)SNAr反應(yīng),以這些中間體合成了擴(kuò)環(huán)卟啉。通過(guò)核磁共振氫譜、碳譜、質(zhì)譜對(duì)目標(biāo)化合物的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析和表征,并通過(guò)x-ray衍射確認(rèn)了具有代表性的化合物7,10和11的晶體結(jié)構(gòu);(3)在上述研究的基礎(chǔ)上,討論了SNAr反...
【文章來(lái)源】:湖南師范大學(xué)湖南省 211工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:104 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
化合物5a和5b的紫外可見(jiàn)近紅外吸收光譜
碩士學(xué)位論文30圖2-15.化合物5a的循環(huán)伏安圖和差分脈沖伏安圖圖2-16.化合物5b的循環(huán)伏安圖和差分脈沖伏安圖表2-2.化合物5a,5b的電化學(xué)數(shù)據(jù)CompoundEox.2(V)Eox.1(V)Ered.1(V)Ered.2(V)ΔEHL(eV)5a-0.20–0.84-1.045b0.860.34–1.56–1.631.90化合物5a和5b的電化學(xué)研究可與其吸收光譜相對(duì)應(yīng),化合物5a的第一氧化電位比化合物5b的第一氧化電位更高,證明以位連接吡咯單元能提供更高的電子密度,同時(shí)5a的共軛體系也比化合物5b要大,可從其更小的HOMO-LUMO能級(jí)差看出,但二者作為鏈狀的多吡咯化合物,電化學(xué)穩(wěn)定性都比較差,5a的第一氧化電位和第一還原電位不可逆,而化合物5b的電化學(xué)可逆
碩士學(xué)位論文30圖2-15.化合物5a的循環(huán)伏安圖和差分脈沖伏安圖圖2-16.化合物5b的循環(huán)伏安圖和差分脈沖伏安圖表2-2.化合物5a,5b的電化學(xué)數(shù)據(jù)CompoundEox.2(V)Eox.1(V)Ered.1(V)Ered.2(V)ΔEHL(eV)5a-0.20–0.84-1.045b0.860.34–1.56–1.631.90化合物5a和5b的電化學(xué)研究可與其吸收光譜相對(duì)應(yīng),化合物5a的第一氧化電位比化合物5b的第一氧化電位更高,證明以位連接吡咯單元能提供更高的電子密度,同時(shí)5a的共軛體系也比化合物5b要大,可從其更小的HOMO-LUMO能級(jí)差看出,但二者作為鏈狀的多吡咯化合物,電化學(xué)穩(wěn)定性都比較差,5a的第一氧化電位和第一還原電位不可逆,而化合物5b的電化學(xué)可逆
本文編號(hào):3379335
【文章來(lái)源】:湖南師范大學(xué)湖南省 211工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:104 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
化合物5a和5b的紫外可見(jiàn)近紅外吸收光譜
碩士學(xué)位論文30圖2-15.化合物5a的循環(huán)伏安圖和差分脈沖伏安圖圖2-16.化合物5b的循環(huán)伏安圖和差分脈沖伏安圖表2-2.化合物5a,5b的電化學(xué)數(shù)據(jù)CompoundEox.2(V)Eox.1(V)Ered.1(V)Ered.2(V)ΔEHL(eV)5a-0.20–0.84-1.045b0.860.34–1.56–1.631.90化合物5a和5b的電化學(xué)研究可與其吸收光譜相對(duì)應(yīng),化合物5a的第一氧化電位比化合物5b的第一氧化電位更高,證明以位連接吡咯單元能提供更高的電子密度,同時(shí)5a的共軛體系也比化合物5b要大,可從其更小的HOMO-LUMO能級(jí)差看出,但二者作為鏈狀的多吡咯化合物,電化學(xué)穩(wěn)定性都比較差,5a的第一氧化電位和第一還原電位不可逆,而化合物5b的電化學(xué)可逆
碩士學(xué)位論文30圖2-15.化合物5a的循環(huán)伏安圖和差分脈沖伏安圖圖2-16.化合物5b的循環(huán)伏安圖和差分脈沖伏安圖表2-2.化合物5a,5b的電化學(xué)數(shù)據(jù)CompoundEox.2(V)Eox.1(V)Ered.1(V)Ered.2(V)ΔEHL(eV)5a-0.20–0.84-1.045b0.860.34–1.56–1.631.90化合物5a和5b的電化學(xué)研究可與其吸收光譜相對(duì)應(yīng),化合物5a的第一氧化電位比化合物5b的第一氧化電位更高,證明以位連接吡咯單元能提供更高的電子密度,同時(shí)5a的共軛體系也比化合物5b要大,可從其更小的HOMO-LUMO能級(jí)差看出,但二者作為鏈狀的多吡咯化合物,電化學(xué)穩(wěn)定性都比較差,5a的第一氧化電位和第一還原電位不可逆,而化合物5b的電化學(xué)可逆
本文編號(hào):3379335
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/huaxue/3379335.html
最近更新
教材專(zhuān)著