有機半導體材料是當前材料科學研究的重要課題,具有很多無機半導體材料不具備的優(yōu)點,如分子結(jié)構(gòu)多樣,易于調(diào)控,合成成本較低,可大量制備,可制備成柔性電子器件等優(yōu)點,被廣泛用在有機場效應(yīng)晶體管（OFET）,有機光伏電池（OPV）,有機發(fā)光二極管（OLED）等領(lǐng)域。這些有機電子器件的性能,如晶體管遷移率,光伏轉(zhuǎn)化效率,穩(wěn)定性等高度取決于有機半導體材料的本征性能。尋找和開發(fā)新的有機半導體材料,并將其器件化,具有極其重要的意義�；谏鲜隹紤],本文通過設(shè)計開發(fā)新型有機半導體材料,并圍繞其在有機場效應(yīng)晶體管或有機光伏電池中的應(yīng)用開展了研究工作,具體研究內(nèi)容包括如下兩個方面:1、二苯并噻吩并吡咯類分子是具有大的π-共軛體系,低的最高分子占據(jù)軌道（HOMO）能級,然而在有機場效應(yīng)晶體管應(yīng)用中,報道的器件性能較差。為了提高該類分子在有機場效應(yīng)晶體管中的性能,作者對這類分子的主鏈結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化,以苯并呋喃替代苯并噻吩,研究不同分子骨架對分子堆積的影響。研究發(fā)現(xiàn)以苯并呋喃為骨架的分子,相較苯并噻吩為骨架類的材料具有更好的π-π堆積和更強的分子聚集。有機薄膜晶體管電子器件測試,二苯并呋喃并吡咯材料也表現(xiàn)出良好的性能... 

【文章來源】：杭州師范大學浙江省

【文章頁數(shù)】：89 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

輸出特性曲線

杭州師范大學碩士學位論文緒論3圖1-2轉(zhuǎn)移特性曲線1.2.1.2遷移率：場效應(yīng)遷移率是指在電場的作用下，溝道有限區(qū)內(nèi)載流子的運動情況，單位是cm2/Vs，它代表了載流子的整體漂移狀態(tài)[15]。線性遷區(qū)和飽和區(qū)分別展示在圖1-3，其計算公式如下：圖1-3輸出特征曲線中源漏電流的線性區(qū)和飽和區(qū)線性區(qū)源漏電流ID可以表示為：ID=linCi(VGS-VT-12VDS)VDSlin表示線性載流子遷移率，L是源漏電極之間的溝道長度和W是源漏電極之間的溝道寬度，Ci代表絕緣層單位面積的電容，VT代表閾值電壓。飽和區(qū)域的電流可以表示為：ID=2satCi(VGS-VT)2μsat表示飽和區(qū)載流子遷移率。1.2.1.3閾值電壓的計算：閾值電壓是指導電溝道開始形成時的柵極電壓，它可以從源、漏電流平方根與柵極電壓函數(shù)曲線（ID1/2-VGS）擬合后，作反向延長

杭州師范大學碩士學位論文緒論3圖1-2轉(zhuǎn)移特性曲線1.2.1.2遷移率：場效應(yīng)遷移率是指在電場的作用下，溝道有限區(qū)內(nèi)載流子的運動情況，單位是cm2/Vs，它代表了載流子的整體漂移狀態(tài)[15]。線性遷區(qū)和飽和區(qū)分別展示在圖1-3，其計算公式如下：圖1-3輸出特征曲線中源漏電流的線性區(qū)和飽和區(qū)線性區(qū)源漏電流ID可以表示為：ID=linCi(VGS-VT-12VDS)VDSlin表示線性載流子遷移率，L是源漏電極之間的溝道長度和W是源漏電極之間的溝道寬度，Ci代表絕緣層單位面積的電容，VT代表閾值電壓。飽和區(qū)域的電流可以表示為：ID=2satCi(VGS-VT)2μsat表示飽和區(qū)載流子遷移率。1.2.1.3閾值電壓的計算：閾值電壓是指導電溝道開始形成時的柵極電壓，它可以從源、漏電流平方根與柵極電壓函數(shù)曲線（ID1/2-VGS）擬合后，作反向延長


本文編號：3341430