發(fā)布時(shí)間：2021-07-20 05:25

　　通過坩堝下降法生長(zhǎng)了系列共摻Nd,Gd:CaF₂和Nd,Y:CaF₂晶體,研究了Gd³⁺/Y³⁺共摻對(duì)Nd³⁺光譜性能以及Nd:CaF₂晶體晶胞參數(shù)的影響規(guī)律.對(duì)于0.5 at.%Nd,x at.%Gd（x=2,5,8,10）:CaF₂系列晶體,當(dāng)調(diào)控Gd³⁺摻雜濃度為2 at.%時(shí),具有最大的熒光壽命499μs;當(dāng)Gd³⁺摻雜濃度為5 at.%時(shí),具有最大的吸收截面1.47×10^-20cm²,最大的發(fā)射截面1.9×10^-20cm²;當(dāng)Gd³⁺摻雜濃度為8 at.%時(shí),具有最佳的發(fā)射帶寬29.03 nm.對(duì)于0.6 at.%Nd,x at.%Y（x=2,5,8,10）:CaF₂系列晶體,Y³⁺摻雜濃度為5 at.%時(shí),有最大的吸收截面2.4... 

【文章來(lái)源】：物理學(xué)報(bào). 2016,65(05)北大核心EISCICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：7 頁(yè)


本文編號(hào)：3292224