光催化氧化技術(shù)因其能利用源源不斷的太陽能礦化環(huán)境污水中的有機污染物且不構(gòu)成二次污染而被認(rèn)為是一種新興的環(huán)境處理技術(shù)。BiPO₄是一種非金屬含氧酸鹽光催化劑,其禁帶寬度較大,這極大地限制了BiPO₄的光催化效率。本工作采用微波水熱法和超聲化學(xué)法制備了BiPO₄, N/BiPO₄, BiPO₄@C核殼異質(zhì)結(jié)和mpg-C3N4/BiPO₄介孔異質(zhì)結(jié)光催化劑,研究了光催化劑的相結(jié)構(gòu)、形貌及能帶結(jié)構(gòu),以羅丹明B（RhB）為目標(biāo)污染物,評估光催化劑的降解和礦化能力,探討了光催化劑活性提高的機理,結(jié)果如下：（1）以Bi（NO₃）₃·5H₂O和Na3PO4·12H₂O為原料,微波水熱法合成了單斜相獨居石/六方相混晶結(jié)構(gòu)的BiPO₄粉體。低溫優(yōu)先生成非穩(wěn)態(tài)的六方相BiPO₄晶型,隨著溫度的升高,BiPO₄逐步由六方相向穩(wěn)定... 

【文章來源】：陜西科技大學(xué)陜西省

【文章頁數(shù)】：85 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖２－５電化學(xué)反應(yīng)的裝置圖??Ｆｉｇ．?２－５?Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ?ｃｈａｒｔ?ｏｆ?ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ?ｒｅａｃｔｉｏｎ??

圖３－２?ＢｉＰ〇４的晶體結(jié)構(gòu)：（ａ）單斜柜；腳六方巧??Ｆｉｇ．?３－２?Ｃｒｙｓｔａｌ?Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ＢｉＰ〇４：?（ａ）?ｍｏｎｏｃｌｉｎｉｃ?ｐｈａｓｅ；?（ｂ）?ｈｅｘａｇｏｎａｌ?ｐｈａｓｅ??用Ｍａｕｄ軟件利用Ｒｉｅｔｖｅｌｄ原理對ＢｉＰ〇４粉體的ＸＲＤ數(shù)據(jù)做精修擬合處理的３－１所示）表明：１６０?°Ｃ時制備的粉體中六方相的含量為４２．２％，單斜相含量為５７．８％。溫度升高到１８０?°Ｃ時，制備的粉體中六方相ＢｉＰ〇４（１０１）晶

?７０??２－Ｔｈｅｔａ?廣）??圖３－１不同溫度下制備扔Ｐ〇４粉體的ＸＲＤ圖??Ｆｉｇ．３－１?ＸＲＤ?ｐａｔｔｅｒｎｓ?ｏｆ?ＢｉＰ〇４?ｐｏｗｄｅｒｓ?ｐｒｅｐａｒｅｄ?ｂｙ?ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ?化ｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ??《ａ）＾??（ｂ）??畫勵??Ｗｋ＾?Ｗｒ＾??畫謂??圖３－２?ＢｉＰ〇４的晶體結(jié)構(gòu)：（ａ）單斜柜；腳六方巧??Ｆｉｇ．?３－２?Ｃｒｙｓｔａｌ?Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ＢｉＰ〇４：?（ａ）?ｍｏｎｏｃｌｉｎｉｃ?ｐｈａｓｅ；?（ｂ）?ｈｅｘａｇｏｎａｌ?ｐｈａｓｅ??采用Ｍａｕｄ軟件利用Ｒｉｅｔｖｅｌｄ原理對ＢｉＰ〇４粉體的ＸＲＤ數(shù)據(jù)做精修擬合處理的結(jié)果（圖??３－３和表３－１所示）表明：１６０?°Ｃ時制備的粉體中六方相的含量為４２．２％，單斜相獨居石??ＢｉＰ〇４的含量為５７．８％。溫度升高到１８０?°Ｃ時，制備的粉體中六方相ＢｉＰ〇４（１０１）晶面的衍??射峰強度明顯降低，粉體中六方相的含量為１５．１％，單斜相獨居石ＢｉＰ〇４含量為８４．９％。??溫度升高到２００?°Ｃ時，六方相ＢｉＰ〇４的（１０１）晶面衍射峰強度進(jìn)一步降低，粉體中六方相??的含量為４．１％，單斜相獨居石ＢｉＰ化的含量為％．９％。溫度升高到２２０?°Ｃ化六方相ＢｉＰ化??的（１０１）晶面衍射峰強度繼續(xù)降低，粉體中六方相的含量為５．４％，單斜相獨居石ＢｉＰ〇４的??含量為９４．６％�？桑淄茰y，低溫有利于六方相ＢｉＰ〇４形成，高溫則有利于單斜相獨居石??ＢｉＰ〇４的形成

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]表面釩修飾對α-Fe2O3材料光電化學(xué)性能的增強作用[J]. 姚利珍,孔德生,杜玖瑤,王澤,張經(jīng)緯,王娜,李文娟,馮媛媛.  物理化學(xué)學(xué)報. 2015(10)
[2]甘露醇輔助水熱法合成BiPO4及其光催化性能研究[J]. 邢新艷,丁慧芳,樊廣燕,席國喜,朱桂芬.  人工晶體學(xué)報. 2014(01)
[3]葡萄糖基碳包覆ZnFeO的合成及其紅外發(fā)射率研究[J]. 周建華,王濤,王道軍,何建平.  無機材料學(xué)報. 2009(05)

博士論文
[1]BiPO4含氧酸鹽新型光催化劑的可控合成及構(gòu)效關(guān)系研究[D]. 潘成思.清華大學(xué) 2011



本文編號：3285873