La 2 Ti 2-x Ta x O 7 鐵電單晶的光學浮區(qū)晶體生長及介電性能研究
發(fā)布時間:2021-06-07 23:41
具有層狀類鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的La2Ti2O7(LTO)晶體,是優(yōu)良的高溫鐵電材料,廣泛應(yīng)用于高溫傳感器、電光設(shè)備等方面。長期以來,人們對LTO的研究主要集中在多晶陶瓷和薄膜方面,對LTO單晶的關(guān)注較少。近年來,研究人員再次將研究重點放在LTO材料的晶體結(jié)構(gòu)與電子結(jié)構(gòu)上,希望通過研究其微觀結(jié)構(gòu),對材料從微觀層面上設(shè)計進而提高其性能。有文獻報道,這是一個潛在的多鐵材料。然而,高質(zhì)量LTO單晶難以獲得,摻雜改性的LTO研究更是鮮見報道。本論文采用光學浮區(qū)法通過優(yōu)化生長工藝,調(diào)整料棒燒結(jié)溫度、晶體生長速度、溫場及生長氣氛,成功生長出高質(zhì)量La2Ti2O7(Ф5×70 mm)及的Ta摻雜的La2Ti2O7(Ф5×40 mm)(Ta-LTO)單晶,研究討論了影響單晶生長的因素、LTO及Ta-LTO單晶的介電性能。此外,采用固相燒結(jié)的方法制備了La2Ti2-xTa
【文章來源】:上海應(yīng)用技術(shù)大學上海市
【文章頁數(shù)】:59 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
磁電隨機存儲器原理結(jié)構(gòu)圖
其他兩種不予討論。鈦礦結(jié)構(gòu),八個晶胞疊合到一起時,就可以看到 [8]。每一層由 4 個 TiO6八面體平面層構(gòu)成,T構(gòu)的 LTO,具有 P21空間群,晶格常數(shù)分別為85 ,夾角 =γ=90°, β=98°43’,密度 ρ=5.78 g/cm3[正交結(jié)構(gòu),正交晶系結(jié)構(gòu)的 LTO 具有空間群 C系轉(zhuǎn)變?yōu)轫橂娤啵橂娤嗟?LTO 具有空間群 C拉曼光譜和高溫 XRD 的方法對施加壓力的 LT為 16.7 GPa 時,LTO 結(jié)構(gòu)發(fā)生了相變,高壓相和iO6八面體發(fā)生傾斜導致的[12]。2010 年,Emilie[O7(Re=La and Nd) 的結(jié)構(gòu)、電子態(tài)及鐵電性能,實驗從來沒發(fā)現(xiàn)的相,記為 P21/m 順電結(jié)構(gòu),需
體和塊體:納米粉體在室溫下表現(xiàn)了鐵磁性,而且真空退火增強了鐵磁性,表明鐵磁性可能是由于顆粒邊界的氧空位引起的;在 LTO 塊體材料中發(fā)現(xiàn)了鐵磁與鐵電共存的現(xiàn)象,表明 LTO 具有磁電耦合特性。圖1.3為不同退火條件下,LTO 粉體的室溫 M-H 曲線圖,從圖出可以看出,700℃退火2 h,樣品的磁性最強?赡苁怯捎陔S著退火溫度的增加,樣品缺陷濃度降低的表現(xiàn)。從而說明此 LTO 樣品表現(xiàn)出的鐵磁性是由于氧空位缺陷引起的。圖1.3 不同退火處理之后的室溫M-H曲線圖,700~1000℃退火2 h。內(nèi)部圖是在700℃退火后的粉體在更大的磁場下測試室溫M-H曲線圖。[4]Fig.1.3 The room-temperature M-H curves after MD correction for LTO powders with differentannealing temperature from 700 to 1000 ℃ for 2 h. The inset is the room-temperature M-H curve (afterMD correction)in a large field range for LTO powders with TA=700℃.[4]近年來對 LTO 的研究陶瓷方面是越來越多,主要是對其微觀結(jié)構(gòu)進行研究,還有通過一些特殊的方法,比如摻雜、替換[26, 32, 35-38]等提高其性能的研究
本文編號:3217532
【文章來源】:上海應(yīng)用技術(shù)大學上海市
【文章頁數(shù)】:59 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
磁電隨機存儲器原理結(jié)構(gòu)圖
其他兩種不予討論。鈦礦結(jié)構(gòu),八個晶胞疊合到一起時,就可以看到 [8]。每一層由 4 個 TiO6八面體平面層構(gòu)成,T構(gòu)的 LTO,具有 P21空間群,晶格常數(shù)分別為85 ,夾角 =γ=90°, β=98°43’,密度 ρ=5.78 g/cm3[正交結(jié)構(gòu),正交晶系結(jié)構(gòu)的 LTO 具有空間群 C系轉(zhuǎn)變?yōu)轫橂娤啵橂娤嗟?LTO 具有空間群 C拉曼光譜和高溫 XRD 的方法對施加壓力的 LT為 16.7 GPa 時,LTO 結(jié)構(gòu)發(fā)生了相變,高壓相和iO6八面體發(fā)生傾斜導致的[12]。2010 年,Emilie[O7(Re=La and Nd) 的結(jié)構(gòu)、電子態(tài)及鐵電性能,實驗從來沒發(fā)現(xiàn)的相,記為 P21/m 順電結(jié)構(gòu),需
體和塊體:納米粉體在室溫下表現(xiàn)了鐵磁性,而且真空退火增強了鐵磁性,表明鐵磁性可能是由于顆粒邊界的氧空位引起的;在 LTO 塊體材料中發(fā)現(xiàn)了鐵磁與鐵電共存的現(xiàn)象,表明 LTO 具有磁電耦合特性。圖1.3為不同退火條件下,LTO 粉體的室溫 M-H 曲線圖,從圖出可以看出,700℃退火2 h,樣品的磁性最強?赡苁怯捎陔S著退火溫度的增加,樣品缺陷濃度降低的表現(xiàn)。從而說明此 LTO 樣品表現(xiàn)出的鐵磁性是由于氧空位缺陷引起的。圖1.3 不同退火處理之后的室溫M-H曲線圖,700~1000℃退火2 h。內(nèi)部圖是在700℃退火后的粉體在更大的磁場下測試室溫M-H曲線圖。[4]Fig.1.3 The room-temperature M-H curves after MD correction for LTO powders with differentannealing temperature from 700 to 1000 ℃ for 2 h. The inset is the room-temperature M-H curve (afterMD correction)in a large field range for LTO powders with TA=700℃.[4]近年來對 LTO 的研究陶瓷方面是越來越多,主要是對其微觀結(jié)構(gòu)進行研究,還有通過一些特殊的方法,比如摻雜、替換[26, 32, 35-38]等提高其性能的研究
本文編號:3217532
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/huaxue/3217532.html
最近更新
教材專著