具有層狀類鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的La₂Ti₂O₇（LTO）晶體,是優(yōu)良的高溫鐵電材料,廣泛應(yīng)用于高溫傳感器、電光設(shè)備等方面。長期以來,人們對(duì)LTO的研究主要集中在多晶陶瓷和薄膜方面,對(duì)LTO單晶的關(guān)注較少。近年來,研究人員再次將研究重點(diǎn)放在LTO材料的晶體結(jié)構(gòu)與電子結(jié)構(gòu)上,希望通過研究其微觀結(jié)構(gòu),對(duì)材料從微觀層面上設(shè)計(jì)進(jìn)而提高其性能。有文獻(xiàn)報(bào)道,這是一個(gè)潛在的多鐵材料。然而,高質(zhì)量LTO單晶難以獲得,摻雜改性的LTO研究更是鮮見報(bào)道。本論文采用光學(xué)浮區(qū)法通過優(yōu)化生長工藝,調(diào)整料棒燒結(jié)溫度、晶體生長速度、溫場及生長氣氛,成功生長出高質(zhì)量La₂Ti₂O₇（Ф5×70 mm）及的Ta摻雜的La₂Ti₂O₇（Ф5×40 mm）（Ta-LTO）單晶,研究討論了影響單晶生長的因素、LTO及Ta-LTO單晶的介電性能。此外,采用固相燒結(jié)的方法制備了La₂Ti_2-xTa

【文章來源】：上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué)上海市

【文章頁數(shù)】：59 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

磁電隨機(jī)存儲(chǔ)器原理結(jié)構(gòu)圖

其他兩種不予討論。鈦礦結(jié)構(gòu)，八個(gè)晶胞疊合到一起時(shí)，就可以看到 [8]。每一層由 4 個(gè) TiO6八面體平面層構(gòu)成，T構(gòu)的 LTO，具有 P21空間群，晶格常數(shù)分別為85 ，夾角 =γ=90°, β=98°43’，密度 ρ=5.78 g/cm3[正交結(jié)構(gòu)，正交晶系結(jié)構(gòu)的 LTO 具有空間群 C系轉(zhuǎn)變?yōu)轫橂娤�，順電相�?LTO 具有空間群 C拉曼光譜和高溫 XRD 的方法對(duì)施加壓力的 LT為 16.7 GPa 時(shí)，LTO 結(jié)構(gòu)發(fā)生了相變，高壓相和iO6八面體發(fā)生傾斜導(dǎo)致的[12]。2010 年，Emilie[O7(Re=La and Nd) 的結(jié)構(gòu)、電子態(tài)及鐵電性能，實(shí)驗(yàn)從來沒發(fā)現(xiàn)的相，記為 P21/m 順電結(jié)構(gòu)，需

體和塊體：納米粉體在室溫下表現(xiàn)了鐵磁性，而且真空退火增強(qiáng)了鐵磁性，表明鐵磁性可能是由于顆粒邊界的氧空位引起的；在 LTO 塊體材料中發(fā)現(xiàn)了鐵磁與鐵電共存的現(xiàn)象，表明 LTO 具有磁電耦合特性。圖1.3為不同退火條件下，LTO 粉體的室溫 M-H 曲線圖，從圖出可以看出，700℃退火2 h，樣品的磁性最強(qiáng)�？赡苁怯捎陔S著退火溫度的增加，樣品缺陷濃度降低的表現(xiàn)。從而說明此 LTO 樣品表現(xiàn)出的鐵磁性是由于氧空位缺陷引起的。圖1.3 不同退火處理之后的室溫M-H曲線圖，700~1000℃退火2 h。內(nèi)部圖是在700℃退火后的粉體在更大的磁場下測試室溫M-H曲線圖。[4]Fig.1.3 The room-temperature M-H curves after MD correction for LTO powders with differentannealing temperature from 700 to 1000 ℃ for 2 h. The inset is the room-temperature M-H curve (afterMD correction)in a large field range for LTO powders with TA=700℃.[4]近年來對(duì) LTO 的研究陶瓷方面是越來越多，主要是對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究，還有通過一些特殊的方法，比如摻雜、替換[26, 32, 35-38]等提高其性能的研究


本文編號(hào)：3217532