Ce 9.33 (SiO 4 ) 6 O 2 、Ce 9.33-x Tb x (SiO 4 ) 6 O 2 和Eu x
發(fā)布時間:2021-05-08 05:55
本論文對硅酸鹽Ce9.33(SiO4)602、Ce9.33-xTbx(SiO4)6O2晶體與硼酸鹽EuxBa1xB204晶體的原料合成、晶體生長、磁性、光學(xué)與磁光性能等方面進行了較為系統(tǒng)的研究。通過高溫固相法在5%H2+95%Ar氣氛中合成高純度的Ce9.33(SiO4)6O2和Ce9.33-xTbx(Si04)6O2 多晶原料,采用提拉法生長了 Ce9.33(SiO4)602 和Ce9.33-xTbx(SiO4)6O2單晶。根據(jù) ICP-AES 和 SEM-EDS 確定 Ce9.33-xTbx(SiO4)602晶體的化學(xué)式為Ce5.038Tb4.292(SiO4)6O2。利用XRD、Rietveld法精修軟件擬合計算Ce9.33(SiO4)6O2和Ce5.038Tb4.292(SiO4)6O2晶體的晶胞參數(shù)。結(jié)果表明,Ce3+離子在Ce5.038Tb4.292(SiO4)6O2晶體中可能優(yōu)先占據(jù)4f格位。分別研究了 Ce9.33(SiO4)6O2和Ce5.038Tb4.292(SiO4)6O2晶體在<100>和<001>方向的變溫磁性。采...
【文章來源】:福州大學(xué)福建省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:90 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
中文摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 物質(zhì)的磁性與分類
1.1.1 順磁性
1.1.2 鐵磁性
1.1.3 反鐵磁性
1.1.4 亞鐵磁性
1.1.5 抗磁性
1.2 磁光效應(yīng)
1.2.1 法拉第效應(yīng)
1.2.2 克爾效應(yīng)
1.3 磁光材料
1.3.1 磁光晶體
1.3.2 磁光薄膜
1.3.3 磁光玻璃
1.3.4 磁光隔離器
1.4 選題依據(jù)及研究內(nèi)容
1.4.1 選題依據(jù)
1.4.2 稀土離子的選擇
1.4.3 基質(zhì)的選擇
1.5 研究內(nèi)容
1.5.1 Ce_(9.33)(SiO_4)_6O_2和Ce_(9.33-x)Tb_x(SiO_4)6O_2晶體
1.5.2 Eu_xBa_(1-x)B_2O_4晶體
第二章 實驗、測試儀器及提拉法簡介
2.1 實驗、測試儀器
2.2 本論文所用的幾種測試儀器及其原理
2.2.1 紫外可見光譜儀
2.2.2 熒光光譜儀
2.2.3 振動樣品磁強計
2.2.4 法拉第測試系統(tǒng)
2.2.5 磁圓二色譜測試系統(tǒng)
2.3 提拉法
第三章 Ce_(9.33)(SiO_4)_6O_2和Ce_(9.33-x)Tb_x(SiO_4)_6O_2磁光晶體生長及其性能表征
3.1 引言
3.2 CSO和CTSO多晶原料的合成
3.2.1 CSO和CTSO多晶原料反應(yīng)原理
3.2.2 CSO和CTSO多晶原料物相分析
3.3 CSO和CTSO晶體的生長
3.3.1 提拉法晶體生長的步驟
3.3.2 CSO和CTSO晶體生長工藝
3.3.2.1 CSO熔體組分的影響
3.3.2.2 CSO晶體生長氣氛的調(diào)整
3.3.2.4 CTSO晶體生長
3.3.2.5 CSO和CTSO晶體生長參數(shù)
3.4 CTSO晶體成分分析及有效分凝系數(shù)
3.4.1 CTSO晶體的化學(xué)成分分析
3.4.1.1 CTSO晶體的EDS測試
3.5.1.2 CTSO晶體的ICP測試
3.4.2 CTSO晶體的有效分凝系數(shù)
3.5 CSO和CTSO晶體結(jié)構(gòu)精修
3.6 CSO和CTSO晶體XPS價態(tài)分析
3.7 CSO和CTSO晶體的透過光譜
3.8 CSO和CTSO晶體的磁性
3.8.1 CSO和CTSO晶體的常溫磁性分析
和<001>方向的磁化曲線"> 3.8.1.1 CSO和CTSO晶體<100>和<001>方向的磁化曲線
和<001>方向所在平面角度磁化率的測定"> 3.8.1.2 CSO和CTSO晶體<100>和<001>方向所在平面角度磁化率的測定
3.8.2 CSO和CTSO晶體變溫磁性分析
3.9 CSO和CTSO晶體的磁光性能
3.9.1 CSO和CTSO晶體法拉第旋轉(zhuǎn)角與費爾德常數(shù)
3.9.1.1 CSO和CTSO晶體法拉第旋轉(zhuǎn)角的測試
3.9.1.2 費爾德常數(shù)
3.9.1.3 晶體有效躍遷波長和有效躍遷效率的分析
3.10 CSO和CTSO晶體的紫外-可見漫反射光譜分析
3.11 CSO和CTSO晶體的磁圓二色性
3.12 晶體的熒光
3.12.1 晶體的室溫?zé)晒夥治?br> 3.12.2 晶體熒光壽命分析
3.12.3 晶體的低溫?zé)晒夥治?br> 3.12.4 晶體的X射線熒光分析
3.14 本章小結(jié)
第四章 含二價銪磁光晶體的生長與性能表征
4.1 引言
4.2 多晶原料的合成工藝
4.2.1 BaB_2O_4和EuB_2O_4多晶原料的合成
4.2.2 EBBO多晶原料的XRD分析
4.2.3 EBBO多晶原料紅外光譜測試
4.3 EBBO晶體的生長
4.3.1 晶體生長的參數(shù)
4.3.2 EBBO晶體照片
4.4 晶體成分分析及有效分凝系數(shù)
4.4.1 晶體的化學(xué)成分均勻性分析
4.4.2 晶體的有效分凝系數(shù)
4.5 晶體的結(jié)構(gòu)精修
4.6 晶體的XPS價態(tài)分析
4.7 晶體的磁化率
4.8 晶體的透過光譜
4.9 晶體的磁光性能
4.9.1 法拉第旋轉(zhuǎn)角的測定
4.9.2 晶體的Verdet常數(shù)
4.10 晶體磁圓二色性
4.11 本章小結(jié)
總結(jié)
展望
參考文獻
致謝
個人簡歷
在讀期間已發(fā)表和錄用的論文
本文編號:3174802
【文章來源】:福州大學(xué)福建省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:90 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
中文摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 物質(zhì)的磁性與分類
1.1.1 順磁性
1.1.2 鐵磁性
1.1.3 反鐵磁性
1.1.4 亞鐵磁性
1.1.5 抗磁性
1.2 磁光效應(yīng)
1.2.1 法拉第效應(yīng)
1.2.2 克爾效應(yīng)
1.3 磁光材料
1.3.1 磁光晶體
1.3.2 磁光薄膜
1.3.3 磁光玻璃
1.3.4 磁光隔離器
1.4 選題依據(jù)及研究內(nèi)容
1.4.1 選題依據(jù)
1.4.2 稀土離子的選擇
1.4.3 基質(zhì)的選擇
1.5 研究內(nèi)容
1.5.1 Ce_(9.33)(SiO_4)_6O_2和Ce_(9.33-x)Tb_x(SiO_4)6O_2晶體
1.5.2 Eu_xBa_(1-x)B_2O_4晶體
第二章 實驗、測試儀器及提拉法簡介
2.1 實驗、測試儀器
2.2 本論文所用的幾種測試儀器及其原理
2.2.1 紫外可見光譜儀
2.2.2 熒光光譜儀
2.2.3 振動樣品磁強計
2.2.4 法拉第測試系統(tǒng)
2.2.5 磁圓二色譜測試系統(tǒng)
2.3 提拉法
第三章 Ce_(9.33)(SiO_4)_6O_2和Ce_(9.33-x)Tb_x(SiO_4)_6O_2磁光晶體生長及其性能表征
3.1 引言
3.2 CSO和CTSO多晶原料的合成
3.2.1 CSO和CTSO多晶原料反應(yīng)原理
3.2.2 CSO和CTSO多晶原料物相分析
3.3 CSO和CTSO晶體的生長
3.3.1 提拉法晶體生長的步驟
3.3.2 CSO和CTSO晶體生長工藝
3.3.2.1 CSO熔體組分的影響
3.3.2.2 CSO晶體生長氣氛的調(diào)整
3.3.2.4 CTSO晶體生長
3.3.2.5 CSO和CTSO晶體生長參數(shù)
3.4 CTSO晶體成分分析及有效分凝系數(shù)
3.4.1 CTSO晶體的化學(xué)成分分析
3.4.1.1 CTSO晶體的EDS測試
3.5.1.2 CTSO晶體的ICP測試
3.4.2 CTSO晶體的有效分凝系數(shù)
3.5 CSO和CTSO晶體結(jié)構(gòu)精修
3.6 CSO和CTSO晶體XPS價態(tài)分析
3.7 CSO和CTSO晶體的透過光譜
3.8 CSO和CTSO晶體的磁性
3.8.1 CSO和CTSO晶體的常溫磁性分析
和<001>方向的磁化曲線"> 3.8.1.1 CSO和CTSO晶體<100>和<001>方向的磁化曲線
和<001>方向所在平面角度磁化率的測定"> 3.8.1.2 CSO和CTSO晶體<100>和<001>方向所在平面角度磁化率的測定
3.8.2 CSO和CTSO晶體變溫磁性分析
3.9 CSO和CTSO晶體的磁光性能
3.9.1 CSO和CTSO晶體法拉第旋轉(zhuǎn)角與費爾德常數(shù)
3.9.1.1 CSO和CTSO晶體法拉第旋轉(zhuǎn)角的測試
3.9.1.2 費爾德常數(shù)
3.9.1.3 晶體有效躍遷波長和有效躍遷效率的分析
3.10 CSO和CTSO晶體的紫外-可見漫反射光譜分析
3.11 CSO和CTSO晶體的磁圓二色性
3.12 晶體的熒光
3.12.1 晶體的室溫?zé)晒夥治?br> 3.12.2 晶體熒光壽命分析
3.12.3 晶體的低溫?zé)晒夥治?br> 3.12.4 晶體的X射線熒光分析
3.14 本章小結(jié)
第四章 含二價銪磁光晶體的生長與性能表征
4.1 引言
4.2 多晶原料的合成工藝
4.2.1 BaB_2O_4和EuB_2O_4多晶原料的合成
4.2.2 EBBO多晶原料的XRD分析
4.2.3 EBBO多晶原料紅外光譜測試
4.3 EBBO晶體的生長
4.3.1 晶體生長的參數(shù)
4.3.2 EBBO晶體照片
4.4 晶體成分分析及有效分凝系數(shù)
4.4.1 晶體的化學(xué)成分均勻性分析
4.4.2 晶體的有效分凝系數(shù)
4.5 晶體的結(jié)構(gòu)精修
4.6 晶體的XPS價態(tài)分析
4.7 晶體的磁化率
4.8 晶體的透過光譜
4.9 晶體的磁光性能
4.9.1 法拉第旋轉(zhuǎn)角的測定
4.9.2 晶體的Verdet常數(shù)
4.10 晶體磁圓二色性
4.11 本章小結(jié)
總結(jié)
展望
參考文獻
致謝
個人簡歷
在讀期間已發(fā)表和錄用的論文
本文編號:3174802
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/huaxue/3174802.html
最近更新
教材專著