近年來,一種新型的半導體材料—類石墨碳化氮（g-C₃N₄）,由于其無毒、綠色及廉價的獨特性質(zhì),在電極材料和電化學傳感器、超級電容器、光催化及光電降解等領域得到了極大的應用與發(fā)展,逐步成為一類重要的二維納米材料。但隨著科學研究的不斷探索與深入,人們發(fā)現(xiàn)塊狀的g-C₃N₄材料具有比表面積小、導電性能差、光生電子復合快及量子利用效率低等缺點。目前,改善塊狀的g-C₃N₄材料性能的方法主要有:形貌調(diào)控、金屬或非金屬元素摻雜、半導體復合和導電聚合物摻雜等。本文以三聚氰胺為前驅(qū)體,通過有效的溫度控制制備了具有更高比表面積和光電性能的二維g-C₃N₄納米片材料,并對其電檢測活性和光電催化性能進行了研究,具體內(nèi)容分為以下兩部分:1.將氧化石墨烯組裝的多孔g-C₃N₄納米片復合材料修飾在玻碳電極（GCE）表面上,成功制備了g-C₃N₄/GO電化... 

【文章來源】：東北師范大學吉林省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：55 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

為PCN/GO修飾電極對AA、DA和UA電化學氧化的DPV響應

【參考文獻】：
期刊論文
[1]Two-dimensional mesoporous sensing materials[J]. Yu Wen,Facai Wei,Wenqian Zhang,Anyang Cui,Jing Cui,Chengbin Jing,Zhigao Hu,Qingguo He,Jianwei Fu,Shaohua Liu,Jiangong Cheng.  Chinese Chemical Letters. 2020(02)



本文編號：3111623