本文關(guān)鍵詞：氧化銦納米材料的制備及氣敏特性的研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：In2O3作為一種n型半導(dǎo)體材料,因其具有較寬的禁帶寬度和較小的電阻率而被廣泛應(yīng)用于液晶設(shè)備、太陽能電池及氣體傳感器等方面。對In2O3納米材料的研究成為了熱門課題。其納米材料氣體傳感器可應(yīng)用于如生物工藝過程,建筑業(yè),環(huán)境保護行業(yè)等方面。In2O3納米材料不管是對氧化還是還原性氣體都表現(xiàn)出比較好的氣敏響應(yīng),因此In2O3被廣泛的應(yīng)用于制作氣體傳感器。氣敏材料自身的形貌、結(jié)構(gòu)等直接影響著氣體傳感器的性能。本文用碳熱還原法制備了氧化銦納米帶,制備了基于單根純凈和不同元素摻雜的氧化銦納米帶氣敏器件。并利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、能譜色散譜(EDS)等現(xiàn)代分析測試手段,對所合成的納米材料的形貌、成分等進行了分析表征。重點介紹了納米氧化銦的合成方法、器件的制備、氣敏性能。主要工作如下:1、用碳熱還原法合成了氧化銦納米帶。將高純In2O3粉末和碳粉混合,在高溫爐中通過碳熱還原合成In2O3納米帶。表征了所制樣品的形貌、結(jié)構(gòu)和成分。并測試了單根純凈氧化銦納米帶器件對乙醇的氣敏性能。2、用碳熱還原法合成了Er、Eu摻雜的氧化銦納米帶。將高純In2O3粉末、碳粉及醋酸鉺和醋酸銪混合,在高溫爐中通過碳熱還原分別制備了摻雜Er和Eu的In2O3納米帶。對其進行了表征,并測試了基于單根摻雜了Er和Eu的In2O3納米帶的氣敏特性。3、對In2O3的生長機理及氣敏機理進行了分析。
【關(guān)鍵詞】：In2O3納米帶 Er摻雜 Eu摻雜 氣敏特性
【學(xué)位授予單位】：云南師范大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TB383.1;O614.372
【目錄】：

• 摘要3-4
• Abstract4-8
• 第1章 緒論8-22
• 1.1 氣體傳感器簡述8-13
• 1.1.1 氣體傳感器的分類9-11
• 1.1.2 氣體傳感器的應(yīng)用11-12
• 1.1.3 氣體傳感器的特點及發(fā)展方向12-13
• 1.2 氧化銦的研究進展與應(yīng)用13
• 1.2.1 氧化銦的研究現(xiàn)狀13
• 1.2.2 氧化銦的基本性質(zhì)13
• 1.3 氧化銦的制備方法13-17
• 1.3.1 化學(xué)氣相沉積法14
• 1.3.2 水熱合成法14
• 1.3.3 室溫固相合成法14-15
• 1.3.4 溶膠-凝膠法15
• 1.3.5 靜電紡絲法15
• 1.3.6 共沉淀法15-16
• 1.3.7 模板法16
• 1.3.8 濺射法16
• 1.3.9 微乳液法16-17
• 1.4 一維半導(dǎo)體納米氣敏材料的發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢17-19
• 1.4.1 一維納米氣敏材料的優(yōu)勢17
• 1.4.2 一維納米氣敏材料的發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢17-19
• 1.4.3 半導(dǎo)體氣敏傳感器目前存在的主要問題19
• 1.5 本論文的研究思路、研究目的及研究內(nèi)容和章節(jié)安排19-22
• 1.5.1 本論文的研究思路19-20
• 1.5.2 本論文的研究目的20
• 1.5.3 本論文的研究內(nèi)容20-22
• 第2章 氧化銦納米材料的制備及氣敏特性22-32
• 2.1 引言22
• 2.2 氧化銦納米材料的制備22-25
• 2.2.1 氧化銦簡介22-23
• 2.2.2 實驗設(shè)備23-24
• 2.2.3 制備方法24-25
• 2.3 氧化銦納米材料的表征25-27
• 2.3.1 純凈氧化銦納米帶掃描電鏡圖25-26
• 2.3.2 純凈氧化銦納米帶的XRD及EDS圖譜26-27
• 2.4 氧化銦納米帶器件的制備及測量27-29
• 2.4.1 單根氧化銦納米帶器件的制備27-28
• 2.4.2 氧化銦納米器件的測量28-29
• 2.5 純凈氧化銦單根納米帶的氣敏特性29-31
• 2.5.1 純凈氧化銦單根納米帶的歐姆接觸29-30
• 2.5.2 純凈氧化銦單根納米帶的氣敏特性30-31
• 本章小結(jié)31-32
• 第3章 Er摻雜氧化銦納米材料的制備及氣敏特性32-37
• 3.1 引言32
• 3.2 Er摻雜氧化銦納米材料的制備與表征32-34
• 3.2.1 Er摻雜In2O3納米帶掃描電鏡圖32-33
• 3.2.2 Er摻雜氧化銦納米帶的XRD和EDX圖譜33-34
• 3.3 Er摻雜氧化銦納米器件的制備及其氣敏特性34-36
• 3.3.1 Er摻雜氧化銦單根納米帶器件的制備34-35
• 3.3.2 Er摻雜氧化銦單根納米帶的氣敏特性35-36
• 本章小結(jié)36-37
• 第4章 Eu摻雜氧化銦納米材料的制備及氣敏特性37-45
• 4.1 引言37
• 4.2 Eu摻雜氧化銦納米材料的制備與表征37-39
• 4.2.1 Eu摻雜氧化銦納米帶掃描電鏡圖38
• 4.2.2 Eu摻雜氧化銦的XRD圖譜和EDX圖譜38-39
• 4.3 Eu摻雜氧化銦納米器件的制備及其氣敏特性39-41
• 4.3.1 Eu摻雜氧化銦單根納米帶器件的制備39
• 4.3.2 Eu摻雜氧化銦單根納米帶的氣敏特性39-41
• 4.4 氧化銦納米帶的生長機理及其氣敏機理41-43
• 4.4.1 氧化銦納米帶的生長機理41-42
• 4.4.2 氧化銦納米帶的氣敏機理42-43
• 本章小結(jié)43-45
• 第5章 論文總結(jié)與展望45-47
• 5.1 論文總結(jié)45-46
• 5.2 展望46-47
• 參考文獻47-51
• 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文及參與基金51-52
• 致謝52

【參考文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 鄭靈芝,吳秀玲,奉冬文;納米氧化銦的制備研究[J];貴州化工;2005年03期

  本文關(guān)鍵詞：氧化銦納米材料的制備及氣敏特性的研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：303788