硒化錫材料因?yàn)槠鋬?yōu)良的熱電優(yōu)值（ZT）性能,有巨大的熱發(fā)電應(yīng)用潛力。對比了單晶和多晶硒化錫在熱力學(xué)和電輸運(yùn)性能方面的差異。其中,單晶樣品是通過布里奇曼法合成的,多晶樣品則是通過熔融、粉碎和放電等離子燒結(jié)（SPS）技術(shù)合成的。熱電性能的測量是通過四探針法和激光閃射法完成的。結(jié)果表明:單晶樣品的功率因子是多晶的2倍,而熱導(dǎo)率也是多晶樣品的3倍左右,這直接導(dǎo)致了單晶和多晶的最高ZT值差異不大。單晶硒化錫在823 K處取得最高熱電優(yōu)值（ZT）為0.65,而多晶則是在923K取得最高ZT為0.5。 

【文章來源】：稀有金屬材料與工程. 2020,49(07)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 Experiment
    1.1 Single crystal（SC）synthesis
    1.2 Polycrystal（PC）synthesis
2 Results and Discussion
    2.1 XRD analysis
    2.2 Thermoelectric properties characterization
3 Conclusions



本文編號(hào)：3022019