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新型鈮酸鹽光催化材料制備與性能改進(jìn)研究

發(fā)布時(shí)間:2021-02-04 08:21
  隨著全球經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展,環(huán)境污染問題引起了全世界的關(guān)注。因此,迫切需要開發(fā)可再生能源和環(huán)境友好型環(huán)境修復(fù)技術(shù)。開發(fā)新的有機(jī)污染物和重金屬污染處理方法已成為一個(gè)重要的主題。在提出的各種方法中,半導(dǎo)體光催化技術(shù)具有很大的潛力,因?yàn)樗苤苯永锰柲軄斫到馑杏泻ξ廴疚铩4送?該技術(shù)不會(huì)造成二次污染,最終產(chǎn)物是生成CO2和H2O。鈮酸鹽因?yàn)楠?dú)特的理化性質(zhì)和晶體結(jié)構(gòu),在光催化技術(shù)的應(yīng)用上具有較大的潛力。因此,本文主要是研究新型鈮酸鹽光催化材料制備以及其復(fù)合物,我們研究了所制備的光催化材料在可見光下對(duì)水中污染物的降解效果,并對(duì)其降解機(jī)理進(jìn)行分析,本文主要研究?jī)?nèi)容如下:(1)通過原位生長(zhǎng)方法制備了KNbO3/In2S3復(fù)合光催化劑。在可見光下,得到的復(fù)合材料表現(xiàn)出對(duì)TC(鹽酸四環(huán)素)和Rh B(羅丹明B)有較高的光催化氧化能力。當(dāng)復(fù)合物中In2S3的質(zhì)量百分比為10 wt%時(shí),納米復(fù)合材料對(duì)Rh B和TC的降解表現(xiàn)出最高的光催化性能。熒光和瞬態(tài)光... 

【文章來源】:南京信息工程大學(xué)江蘇省

【文章頁數(shù)】:88 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

新型鈮酸鹽光催化材料制備與性能改進(jìn)研究


半導(dǎo)體光催化過程示意圖[21]

XRD圖譜,納米復(fù)合材料,XRD圖譜


南京信息工程大學(xué)碩士學(xué)位論文12對(duì)于復(fù)合樣品,我們可以看到當(dāng)In2S3含量增加到30wt%時(shí),In2S3的峰值強(qiáng)度達(dá)到了最大值。圖2.1KNO和具有不同In2S3含量的KNO/In2S3納米復(fù)合材料的XRD圖譜為了研究所制備的樣品形貌和結(jié)構(gòu),進(jìn)行SEM測(cè)試對(duì)所制成樣品形貌進(jìn)行了研究,如圖2.2所示。KNO呈立方體結(jié)構(gòu),尺寸在100-150nm之間(圖2.2(a))。對(duì)于純In2S3,樣品由一片片薄片圍成球狀,尺寸大約500nm(圖2.2(b))。如圖2.2(c)所示,KNO/In2S3納米復(fù)合材料中有很多In2S3納米片在立方KNO的表面上均勻生長(zhǎng)。此外,還進(jìn)行了TEM/HRTEM測(cè)試,以獲得有關(guān)KNOIS-10納米復(fù)合材料成分的更多信息。如圖2.3(a)所示,很明顯,許多In2S3納米片均勻地附著在KNO納米立方體的表面上。如圖2.3(b)所示,圖為KNOIS-10納米復(fù)合材料的HRTEM圖像,具有兩種不同的晶格條紋。KNO的晶格條紋為(110),其平面間距為0.404nm,然而對(duì)于In2S3,它的晶格條紋為(311),其對(duì)應(yīng)的平面間距為0.324nm。通過進(jìn)行SEM和TEM/HRTEM測(cè)試,分析了純KNO和純In2S3的形貌,同時(shí)也證實(shí)了KNO/In2S3二元納米復(fù)合材料的成功制備。

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第二章In2S3納米片修飾KNbO3納米立方體復(fù)合光催化劑13圖2.2制備的(a)KNO,(b)In2S3和(c)KNO/In2S3的SEM圖像圖2.3KNOIS-10納米復(fù)合材料的(a)TEM和(b)HRTEM圖像為了研究KNO,In2S3和KNOIS-10復(fù)合材料的吸附特性,進(jìn)行了N2吸附-解吸

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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本文編號(hào):3018027

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