可見(jiàn)光催化技術(shù)作為目前備受關(guān)注的環(huán)境污染處理技術(shù),存在一些亟待解決的問(wèn)題,如電子-空穴復(fù)合機(jī)率高、導(dǎo)電性差、可見(jiàn)光吸收范圍窄等。本論文以提高光催化活性為出發(fā)點(diǎn),設(shè)計(jì)并合成了系列光催化活性高、穩(wěn)定性?xún)?yōu)異的光催化材料,以克服傳統(tǒng)催化劑光催化效率低的問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)對(duì)污染物的高效光催化降解,具體內(nèi)容如下:1)采用水熱法制備AgVO₃納米線(xiàn),通過(guò)共沉淀法制備g-C₃N₄/AgVO₃納米線(xiàn)光催化劑。結(jié)果表明,g-C₃N₄納米晶均勻地分散在AgVO₃納米線(xiàn)的表面,拓展了其對(duì)可見(jiàn)光的響應(yīng)范圍,增大了比表面積,加速了光生電子-空穴對(duì)的分離,使光催化效率得到有效提高,在可見(jiàn)光照射（λ>400 nm）20 min后羅丹明B（Rh B）降解率為100%。2)將CNQDs、金屬Ag納米粒子和Bi₂MoO₆復(fù)合,制備CNQDs/Ag/Bi₂MoO₆三元納米復(fù)合異質(zhì)結(jié)構(gòu),結(jié)果... 

【文章來(lái)源】：吉林師范大學(xué)吉林省

【文章頁(yè)數(shù)】：71 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

是AgVO3、g-C3N4和g-C3N4(2%)/AgVO3樣品的FT-IR光譜

Fig. 3-1 XRD patterns of as-prepared samples.AgVO3、g-C3N4和 g-C3N4(2%)/AgVO3樣品的 FT-IR 的幾個(gè)吸收峰歸因于 C=N 或 C-N 的伸縮振動(dòng)[71]。以N-H 的伸縮振動(dòng)[71]。在 g-C3N4/AgVO3樣品的 FT-IR 峰，表明 g-C3N4成功負(fù)載。

363 FT-IR spectra of the as-synthesized CNQDs and CNQDs/InVO4 C 1s 的 XPS 譜圖，位于 284.80 eV 的特征峰可歸因于從物和石墨結(jié)構(gòu)中的 sp2雜化碳原子，位于 288.60 eV 的b 是 N 1s 的 XPS 譜圖，可以分離出兩個(gè)結(jié)合能，包括三叔氮（N-(C)3，399.80 eV）[71]。圖 5-4c 是 Bi 4f 的 XPS 157.70 eV（Bi 4f5/2）的結(jié)合能對(duì)應(yīng)于 Bi3+[107]。圖 5-4d2.30 eV 的特征峰可歸因于 In3+[107]。V 2p 峰值集中在 5 V5+[107]。


本文編號(hào)：2941361