發(fā)布時間：2020-11-15 02:59

　　 SiC是繼Si和GaAs之后發(fā)現(xiàn)的半導(dǎo)體材料,與ZnO、金剛石以及GaN同為第三代半導(dǎo)體材料,它彌補了Si和GaAs這些傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件不能滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對耐高溫、高頻、高壓以及抗輻射要求的缺陷。SiC電子器件航天航空、化工、通信、能源和空間科學(xué)等領(lǐng)域的應(yīng)用非常有前景,特別是在核能技術(shù)方面有著廣泛的應(yīng)用,是核裂變和核聚變反應(yīng)堆的后備材料。本文的研究對象是高劑量中子輻照后的6H-SiC單晶,中子輻照的總劑量為2.85×10~(20) n/cm~2,對其進行室溫至1700℃的等時退火處理,使中子輻照產(chǎn)生的缺陷得到回復(fù)。本文利用了X射線衍射(XRD)這一基礎(chǔ)測試手段,將6H-SiC單晶(0001)晶面衍射峰作為觀測的主要對象,對中子輻照在6H-SiC單晶內(nèi)引起的缺陷機制及其退火回復(fù)規(guī)律進行了研究,得出了如下結(jié)果:1、等時退火處理后,輻照缺陷逐漸消失,輻照缺陷在室溫至600℃回復(fù)明顯,在600℃-1400℃沒有明顯變化,但在1400℃之后又開始回復(fù),最后接近輻照前數(shù)值。2、晶面間距d在室溫至1400℃時持續(xù)減小,隨后又隨退火溫度的升高而變大,最后接近輻照前數(shù)值。3、通過對輻照損傷回復(fù)規(guī)律的分析,認(rèn)為中子輻照使樣品內(nèi)部出現(xiàn)了大量點缺陷和線缺陷,而這些缺陷大多可以通過高溫退火得到很好的消除。在進行XRD測試的過程中,由于晶體的斜切使得晶體表面與晶面不在同一平面上,這對XRD測試造成了很大的影響,針對這種情況使用了一種定向測量方法,這種方法無需在宏觀尺度上對樣品進行各向同性的要求就能夠獲得準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)信息。
【學(xué)位單位】：天津大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位年份】：2018
【中圖分類】：O571.5;O77
【部分圖文】：

SiC的基本結(jié)構(gòu)單位

（a）不同多型體的六角系統(tǒng)

C、4H和6H碳化硅多型體原子在（112—0）面上的投影
【相似文獻】

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本文編號：2884264