現(xiàn)代社會信息技術(shù)發(fā)展迅猛,分子整流器作為實現(xiàn)分子電子線路的基本元件,幾乎所有具有邏輯功能的器件都可以用其來實現(xiàn)。分子整流器是基于分子電子學(xué)的基礎(chǔ),以多個或單個有機小分子為主體材料設(shè)計的一種器件,但是其具有性能不穩(wěn)定、可重復(fù)性差、整流比低、機理不清楚以及不可控性等缺陷。離子型有機無機雜化材料整流效應(yīng)的研究目前尚未報道。本論文用溶劑熱法合成了三例金屬硫?qū)倩衔颋JU-68-n([enH]0.5Cu1.5-xAgxSn0.5S2,en=乙二胺,Cu/Ag比n=(1.5-x)/x=2.2、2.3或2.4)。FJU-68-n是乙二胺一價陽離子支撐的[Cu1.5-xAgxSn0.5S2]二維層狀材料。通過改變反應(yīng)物的含量,很容易實現(xiàn)產(chǎn)物中Cu/Ag 比的控制。FJU-68-n三個化合物沿三個晶軸方向a、b、c的單晶整流和單晶離子導(dǎo)體性能測試表明摻雜的FJU-68-n的伏安特性都表現(xiàn)出整流效應(yīng),而沒有摻雜的(enH)2Cu8Sn3S12未觀察到整流效應(yīng)。增大Cu/Ag 比,會系統(tǒng)增大晶軸a方向的離子導(dǎo)電率和整流比,Cu/Ag 比從2.2增大到2.4,整流比從14變到107,增大8倍;80 ℃的離子電導(dǎo)率從4.80×10-4變到4.8×10-2 S·cm-1,增大了約100倍。但是調(diào)節(jié)Cu/Ag 比對晶軸b或c方向上的離子導(dǎo)電率和整流比影響不大。這些說明金屬離子的摻雜而產(chǎn)生結(jié)構(gòu)上的不對稱和無序化是FJU-68具有整流效應(yīng)的主要原因,整流比可以通過調(diào)節(jié)層內(nèi)銅銀離子沿著a軸在層間的遷移進行控制。這為調(diào)控半導(dǎo)體整流器件的設(shè)計提供了一個新的思路。本論文還用溶劑1,2-丙二胺代替乙二胺合成了三例金屬硫?qū)倩衔颋JU-69([1,2-dapH]0.5Cu1.5-xAgxSn0.5S2,1,2-dapH=1,2-丙二胺,Cu/Ag比n=(l1.5-x)/x=2.2、2.3或2.4),該材料和FJU-68相比,在同樣的條件下導(dǎo)電率下降很多倍,證明了溶劑對材料的性質(zhì)具有重要影響。此外,本論文還合成了一例簡單的硫錫化合物FJU-70,并測試了其導(dǎo)電性,并且希望以它為基本結(jié)構(gòu)單元,合成出新的多元金屬硫?qū)倩衔铩?br> 【學(xué)位單位】：福建師范大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位年份】：2018
【中圖分類】：O611.3
【部分圖文】：

?＾??的金屬硫化物顯示出有希望的Ｌｉ＋離子傳導(dǎo)性［％９３】。ＬｉＣｈＴ主要包含八種別為?Ｌｉ４ＳｎＳ４、Ｈ２６０丨３Ｌｉ４ＳｎＳ４、Ｃｉ３Ｈ５２〇ｉ３Ｌｉ４ＳｎＳ４、Ｌｉ４ＳｎＳｅ４、Ｌｉ４［ＳｎＳｅ４］Ｌｉ４［Ｓｎ２Ｓｅ６；Ｍ４Ｈ２０和Ｌｉ４［ＳｎＳｅ４］］６ＭｅＯＨ。這些金屬硫化物都具有較高的中，Ｌｉ４ＳｎＳ４在２０。（：時導(dǎo)電率達到７ｘ?１０＿５?Ｓ．ｃｎｖ１，在１００?°Ｃ時導(dǎo)電率達到３ｘ（圖０－６），這在三元的金屬硫?qū)倩衔镏袑?dǎo)電性己經(jīng)很高了。??

）?ＦＪＵ－６８的三個晶體都是ｌｈ—個單獨的［Ｃｕ２Ｓ４］鏈和一個［ＭＳｎＳ６］鏈Ｓｎｏ．５Ｓ２］雙重鏈，（ｂ）是陰離子層［Ｃｕｉ．５－ｘＡｇｘＳｎ〇．５Ｓ２］？沿著?ａ?軸以?ＡＢＡＢ堆疊而成的，無序的乙二胺陽離子位于層中間??）?Ａ?ｄｏｕｂｌｅ?［Ｃｕ１．５－ｘＡｇｘＳｎｏ．５Ｓ２］?ｃｈａｉｎ?ｗａｓ?ｍａｄｅ?ｂｙ?ｃｏｎｄｅｎｓｉｎｇ?ａ?ｓｉｎｇｌｅ?［Ｃ?ａ?［ＭＳｎＳ６］?ｃｈａｉｎ，?（ｂ）?Ｔｈｅ?ａｎｉｏｎｉｃ?［Ｃｕ１．５－ｘＡｇｘＳｎｏ．５Ｓ２］－?ｌａｙｅｒｓ?ａｒｅ?ｓｔａｃｋｅｄ?ｅｑｕｅｎｃｅ?ａｌｏｎｇ?ｔｈｅ?ａ?ａｘｉｓ，ｗｈｅｒｅ?ｈｉｇｈｌｙ?ｄｉｓｏｒｄｅｒｅｄ?ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ?ｃａｔｉｏｎｌｏｃａｔｅｄ?ｂｅｔｗｅｅｎ?ｔｈｅ?ｌａｙｅｒｓ??Ｕ－６８－２．２、ＦＪＵ－６８－２．３?和?ＦＪＵ－６８－２．４?的單晶結(jié)構(gòu)描述??８－２．２、ＦＪＵ－６８－２．３和ＦＪＵ－６８－２．４都是正交晶系，空間群為Ｐｕｍａ，為例詳細介紹一下晶體結(jié)構(gòu)，ＦＪＵ－６８－２．２是一個四元陰４７Ｓｎ〇．５Ｓ２］－二維層，但是因為質(zhì)子化的乙二胺陽離子在結(jié)構(gòu)中是高－－??

由ＰＸＲＤ得出實驗譜圖，通過對比ＦＪＵ－６８－２．２、ＦＪＵ－６８－２．３和ＦＪＵ－６８－２．４的Ｘ射線??粉末衍射圖和其對應(yīng)的單晶衍射模擬圖，從圖中可以發(fā)現(xiàn)衍射峰基本上是吻合的，??說明ＦＪＵ－６８－２．２、ＦＪＵ－６８－２．３和ＦＪＵ－６８－２．４沒有其他相，都是純相，如上圖１－２所示。??－２２－??
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1 楊蕾玲;G.C.Farrington;;聚環(huán)氧乙烷-氯化鎂復(fù)合物離子導(dǎo)電性和穩(wěn)定性研究[J];石油化工;1987年11期

2 張玉祥;員維勤;;聚合物-堿金屬鹽復(fù)合物的離子導(dǎo)電性[J];化學(xué)通報;1989年10期

3 黃彭年;玻璃的離子導(dǎo)電性[J];玻璃與搪瓷;1990年02期

4 曾來祥,王新靈,唐小真;低聚醚/聚氨酯固體電解質(zhì)的形態(tài)及離子導(dǎo)電性能[J];高分子材料科學(xué)與工程;2003年01期

5 萬國祥，徐桂云，鄭云貴，鄧正華;聚苯醚磺酸鋰／共聚醚復(fù)合物的離子導(dǎo)電性研究[J];高分子材料科學(xué)與工程;1996年03期

6 謝光遠;郭密;謝育濤;李平生;;復(fù)合摻雜固體電解質(zhì)氧離子導(dǎo)電性的回歸模型[J];華中科技大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2006年09期

7 陳紅明,鄧正華,鄭云貴,萬國祥;聚苯醚磺酸鋰/增塑劑體系的離子導(dǎo)電性研究[J];高分子材料科學(xué)與工程;1997年05期

8 黃彭年;Li_2O-(LiX)_2-B_2O_3-Al_2O_3-M_xO_y系玻璃的形成、結(jié)構(gòu)和離子導(dǎo)電性[J];應(yīng)用化學(xué);1984年04期

9 張升水,鄧正華,萬國祥;聚氧化乙烯-聚磷酸鈉共混物的鈉離子導(dǎo)電性[J];高分子材料科學(xué)與工程;1992年02期

10 陳汝芬，宋秀芹，馬建峰，賈密英;溶膠-凝膠法合成Li_2Si_2O_5-La_2O_3及其導(dǎo)電性研究[J];河北師范大學(xué)學(xué)報;1999年02期

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3 徐開群;Bi_2Me_（0.1）V_（0.9）O_（5.5-δ）（Me=Co，Cu）體系的合成、結(jié)構(gòu)與低溫氧離子導(dǎo)電性能研究[D];武漢理工大學(xué);2006年

4 耿樹新;不同離子取代對Li_3Sc_2(PO_4)_3化合物離子導(dǎo)電性能的影響[D];河北工業(yè)大學(xué);2015年

5 方杰;Li_4SiO_4及相關(guān)摻雜體系的合成與導(dǎo)電性研究[D];合肥工業(yè)大學(xué);2003年

6 孫力群;用于仿生推進的高分子聚合物（IPMC）電響應(yīng)的仿真方法[D];華中科技大學(xué);2008年

7 仇立干;BaCeO_3基固體電解質(zhì)離子導(dǎo)電性及其燃料電池性能研究[D];蘇州大學(xué);2002年

8 徐廷鴻;Bi_2O_3-Y_2O_3-ZrO_2系氣敏陶瓷材料制備與性能研究[D];山東大學(xué);2009年

9 李小波;釔穩(wěn)定氧化鋯空位型缺陷的第一性原理計算[D];湖南師范大學(xué);2015年

本文編號：2875296