金屬硫化物基和碳氮化合物在環(huán)境和超級電容器中的應(yīng)用
【學(xué)位單位】:天津大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:O643.36;O647.3
【部分圖文】:
第 1 章 緒論以三嗪環(huán)(C3N3環(huán))為結(jié)構(gòu)單元組成;另一種存在形式是 g-C3N4以 3-s-三嗪環(huán)(C6N7環(huán))為結(jié)構(gòu)單元組成。Kroke 等人在密度泛函理論(DFT)的基礎(chǔ)上對這兩種不同的單元結(jié)構(gòu)進(jìn)行理論計算,結(jié)果顯示結(jié)構(gòu)單元為 3-s-三嗪環(huán)(C6N7環(huán))的 g-C3N4穩(wěn)定性更好。因此,科學(xué)界一致認(rèn)可了 g-C3N4的基本結(jié)構(gòu)單元為 3-s-三嗪環(huán)(C6N7環(huán))這一理論。
第 2 章 三維花狀 Cu2MoS4/g-C3N4復(fù)合材料的合成及其對羅丹明 B 的吸附Cu2MoS4-3/g-C3N4復(fù)合物的表面形態(tài)。如圖 2-3 所示,純 g-C3N4(圖 2-3a)是以納米片的形式存在,圖 2-3b 中觀察到的純 Cu2MoS4是由多層片層堆疊成的厚塊。然而,當(dāng)引入一定量的 g-C3N4時,得到的 Cu2MoS4/g-C3N4復(fù)合材料中的 Cu2MoS4顯示出三維花狀結(jié)構(gòu)(如圖 2-3c 和 d 所示)。花狀結(jié)構(gòu)主要由 Cu2MoS4納米片構(gòu)成,它們彼此連接并具有 300-500 nm 的直徑。這種花狀形態(tài)可能是由于 g-C3N4誘導(dǎo) Cu2MoS4納米片的自組裝形成的。
圖 2-4 花狀 Cu2MoS4-3/g-C3N4復(fù)合材料(a)和純 Cu2MoS4(b)的 TEM 圖以及花狀Cu2MoS4-3/g-C3N4復(fù)合材料的 EDS 圖(c)Fig.2-4 TEM images of flower-like Cu2MoS4-3/g-C3N4composite (a), pure Cu2MoS4(b), andEDS image of flower-like Cu2MoS4-3/g-C3N4composite (c)采用 N2吸附-脫附等溫線分析法測定了 g-C3N4、花狀 Cu2MoS4-3/g-C3N4復(fù)材料和Cu2MoS4的N2吸附-解吸等溫線。并根據(jù)Brunauer-Emmett-Teller(BET)法計算所有制備材料的比表面積。如圖2-5所示,所有的復(fù)合材料都比純g-C3N4 Cu2MoS4表現(xiàn)出更高的 N2吸附量。花狀 Cu2MoS4-2/g-C3N4、Cu2MoS4-3/g-C3N4 Cu2MoS4-4/g-C3N4復(fù)合材料、純 g-C3N4和 Cu2MoS4的比表面積分別為 9.42、0.12、15.90、9.22 和 7.8 m2·g-1。顯然,花狀 Cu2MoS4-3/g-C3N4復(fù)合材料的比表積最大,這可能是由于其呈現(xiàn)出較好的花狀結(jié)構(gòu)。吸附材料的比表面積越高就有利于 RhB 分子在其進(jìn)行吸附。
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本文編號:2858227
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