Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體微納結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制備及其光催化性能研究
【學(xué)位單位】:江蘇大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:O643.36;O644.1
【部分圖文】:
江蘇大學(xué)碩士學(xué)位論文相法相法通常以惰性氣體作為載體將 Zn 源帶入含氧的超高溫度環(huán)境下,利用巨大溫度差,使其在氣相中發(fā)生化學(xué)反應(yīng),來獲得 ZnO 晶體材料。其中相沉積法、化學(xué)氣相沉積法、金屬有機(jī)化合物氣相沉積法、熱蒸發(fā)法等。中林課題組通過熱蒸發(fā)法,同時(shí)控制源材料的摩爾量,合成環(huán)境的區(qū)域溫動力學(xué)的角度出發(fā),利用ZnO生長的各向異性合成了許多具有不同形貌的如圖 1.1 所示[71]。
圖 1.2 ZnO 納米線的低倍和高倍 SEM 圖片[73]Fig.1.2 Low- and high-magnification SEM images of ZnO Nanowires[73]m 等人通過簡單的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積以二乙基鋅和氧氣作為原材料,態(tài)二乙基鋅的運(yùn)載體,在逐漸改變襯底溫度下,經(jīng)反應(yīng)沉積十分鐘,合成較好的 ZnO 納米棒,如圖 1.3 所示[74]。
II-VI 族半導(dǎo)體微納結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制備及其光催化性能研究圖 1.2 ZnO 納米線的低倍和高倍 SEM 圖片[73]Fig.1.2 Low- and high-magnification SEM images of ZnO Nanowires[73]m 等人通過簡單的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積以二乙基鋅和氧氣作為原材料,態(tài)二乙基鋅的運(yùn)載體,在逐漸改變襯底溫度下,經(jīng)反應(yīng)沉積十分鐘,合成較好的 ZnO 納米棒,如圖 1.3 所示[74]。
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10 ;化合物半導(dǎo)體[J];電子科技文摘;2000年09期
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本文編號:2855310
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