電沉積制備碳紙負(fù)載級(jí)孔硫磷化鈷鎳電極析氧性能研究
【學(xué)位單位】:天津大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類(lèi)】:O643.36;O646
【部分圖文】:
圖 1-1 電解水示意圖[26]Fig 1-1 Schematic diagram of electrolytic water[26]催化劑化劑的作用是促進(jìn)電解水過(guò)程的進(jìn)行,其存在使電解水,從而降低了電解水過(guò)程中的過(guò)電勢(shì)。理想的電解水催件,第一個(gè)條件是要具有高活性;第二個(gè)條件是必須具氫反應(yīng)和析氧反應(yīng)上面就是要以較低的過(guò)電勢(shì)產(chǎn)生盡定的外加電壓以及電流下能夠較長(zhǎng)時(shí)間的保持電催化效止,鉑是公認(rèn)的最高效的析氫反應(yīng)催化劑,催化析氫反塔菲爾斜率非常小,釕基和銥基催化劑是目前為止公認(rèn),然而鉑、銠以及銥作為貴金屬成本高昂且儲(chǔ)量稀缺,非貴金屬及其化合物取代貴金屬作為高效穩(wěn)定的析氫必然趨勢(shì),其中過(guò)渡金屬(Fe、Co、Ni 等)的硫化物[
圖 1-2 (a) 制備 CoP 納米棒的流程圖,(b) CoP-MNA 的 TEM 圖,(c)水電解過(guò)程中氫氣和氧氣生成的代表性圖片,(d) 1 M KOH 中 CoP-MNA 的極化曲線(xiàn),(f) 10 mA cm 2的恒電流下CoP-MNA 穩(wěn)定性測(cè)試[54]Fig 1-2(a) Schematic illustration of the fabrication of CoP mesoporous nanorod arrays. (b)TEM image of CoP-MNA. (c) A representative photograph of the system depicting H2(left) andO2(right) generation during overall water electrolysis. (d) Polarization curves of a twoelectrodealkaline electrolyzer using CoP-MNA/Co-MNA, IrO2/Pt, and Pt/Pt at a sweeping rate of 2 mV s 1in 1 M KOH. (e) Galvanostatic water electrolysis at a stationary current density of 10 mA cm 2over the course of 32 h for CoP-MNA/CoP-MNA and IrO2/Pt[54]1.3.2 鈷基硫化物金屬硫化物的合成是通過(guò)一種材料到另一種材料的一些必要的修飾來(lái)實(shí)現(xiàn)的。合成金屬硫化物的簡(jiǎn)單方法是共沉淀法,其中金屬前驅(qū)體鹽被放置在溶解金屬離子和硫化物前驅(qū)體的溶劑中。在此方法中,需要仔細(xì)監(jiān)測(cè)反應(yīng)溫度和 pH值,
圖 1-4 Co3O4納米粒子的平均粒徑(a) 6nm,(b) 21nm, (c) 47 nm,(d) Co3O4的析氫極化曲線(xiàn)[83]Fig 1-4 TEM images of cubic Co3O4nanoparticles with average sizes of (a) 6, (b) 21, (c) 47 nm.(d) Polarization activities for Co3O4nanoparticles loaded Ni foam in 1.0 M KOH electrolyte. Scanrate: 1 mV/s. Ni foam area: 1 cm2. Catalyst loading: 1 mg/cm2 [83]除了傳統(tǒng)的合成路線(xiàn)外,最近還開(kāi)發(fā)了一種 PLAL(Pulsed-LaserAblation inLiquids 液體脈沖激光燒蝕)方法,它能夠制備尺寸約為 2.5nm 的無(wú)表面活性劑的Co3O4納米粒子[85]。結(jié)晶材料在1MKOH中0.5mA/cm2條件下過(guò)電位為314mV。而且,氧化鈷納米粒子/碳復(fù)合材料已經(jīng)被證明可以進(jìn)一步提升水氧化電催化劑的性能。與其他碳材料相比,二維石墨烯/氧化石墨烯由于具有高導(dǎo)電性,電荷載流子遷移率,高表面積和優(yōu)異的耐久性等優(yōu)點(diǎn)而廣泛應(yīng)用于能量存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)換[86-91]。通過(guò)水熱方法,Co3O4納米晶體在輕度氧化的氧化石墨烯片上生長(zhǎng)[92]。通過(guò)在合成過(guò)程中添加 NH4OH,NH3和鈷陽(yáng)離子之間的相互作用使納米晶體的尺寸從15~25nm 進(jìn)一步減小到 4-8nm。在 1M KOH 溶液中,雜化材料顯示出相當(dāng)穩(wěn)定
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本文編號(hào):2828018
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