基于3DGNEEs的無標(biāo)記岡田酸電化學(xué)免疫傳感分析
【學(xué)位授予單位】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:O657.1
【圖文】:
圖 4-20 OA 免疫傳感器阻抗測試的等效電路圖 4-20 中,RL為溶液電阻,Qfilm和 Rfilm分別為 Au 電極表面 PTh 膜層與電關(guān)的常相位角原件和電荷傳遞電阻,Rct為 Au/PTh 電極外各修飾膜層(包括戊交聯(lián)層、抗體固定層、BSA 封閉層)的電荷傳遞電阻,Zw為 Warburg 阻抗,電極表面各生物分子膜層與電容有關(guān)的常相位角原件。用這一等效電路對 度測試的阻抗譜進(jìn)行擬合,結(jié)果如圖 4-21 所示,擬合方差為 10-4數(shù)量級。0 3000 6000 9000 12000 15000010002000300040005000Experimental resultsCalculation results'/ohmZZ'/ohm10-210-110010110210310410510603000600090001200015000Experiment resultsCalculation results|Z|/ohmFrequency/Hz0204060a) Nyquist 圖 b) Bode 圖
5.1 3DGNEEs 電極的制備本文以孔徑為 100 nm 的聚碳酸酯濾膜(PC 膜)為模板,制備 3DGNEEs,制備過程如圖 5-1 所示,包括醇清洗、敏化、活化、化學(xué)鍍、純化、去金膜和電沉積等步驟。敏化過程是將還原性離子 Sn2+吸附到 PC 膜孔壁表面,為活化過程中銀的沉積提供反應(yīng)位點(diǎn);敏化液成分為 0.025~0.028 mol/L SnCl2、0.05~0.08 mol/L CF3COOH,溶劑為體積比為 50:50 的甲醇水溶液,敏化時(shí)間為 40~50 min;罨^程中,Sn2+將 Ag+還原為單質(zhì)銀,作為化學(xué)鍍金時(shí)氧化還原反應(yīng)的催化劑,發(fā)生的反應(yīng)見式(5-1);活化液為 0.03 mol/L 的銀氨溶液,活化時(shí)間為 5 min;瘜W(xué)鍍金時(shí),金會(huì)在 PC 膜的孔徑內(nèi)生長為金納米線。純化主要是為了去除化學(xué)沉積過程中殘留的Sn 或 Ag 雜質(zhì),純化采用 25%的 HNO3溶液。去金膜主要采用機(jī)械作用方法,使用透明膠帶去除 PC 膜光亮面的表層金膜。電沉積是在去金膜后的納米電極上恒電位電沉積一段時(shí)間,使二維納米陣列電極生長為三維陣列電極。2+4+Sn +2Ag 2Ag +Sn (5-1
哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文條件有所減小。在-1.4 V 沉積電位下,制得的 3DGNEEs 電極表面可以看到一層肉眼可見較為明顯的金膜,SEM 表征中發(fā)現(xiàn)電極表面出現(xiàn)較多的團(tuán)狀納米金,無納米線的生長;該電位下制得電極的還原峰值電流較-1.2 V 條件增大,但仍比-1.0 V條件的峰值電流小,這是由于電極表面大量團(tuán)狀納米金的生長,使得部分 PC 膜惰性區(qū)域表面變?yōu)楦灿薪鸬幕钚詤^(qū)域,但團(tuán)狀納米金使得電極的比表面積相比-1.0 V制得的納米線陣列電極較小。結(jié)合 CV 和 SEM 表征結(jié)果,說明在-1.0 V 沉積電位下,有利于 2DGNEEs 表面金納米線的生長,得到的 3DGNEEs 具有較大的比表面積,而在電位更負(fù)的條件下,電極表面會(huì)出現(xiàn)團(tuán)狀納米金,使得電極的比表面積較小。所以選擇恒電位法制備 3DGNEEs 的沉積電位為-1.0 V(vs. SSE)。
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