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半導(dǎo)體納米復(fù)合材料的制備及光催化性能研究

發(fā)布時(shí)間:2020-05-09 22:43
【摘要】:隨著能源短缺和環(huán)境污染加劇,兩者嚴(yán)重地制約著人類社會的可持續(xù)發(fā)展,如何有效地解決這兩大難題是目前人類面臨的重要挑戰(zhàn)。半導(dǎo)體納米復(fù)合材料光催化技術(shù)就是在這樣的背景下,備受大家的廣泛關(guān)注。由于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體納米材料以TiO2、ZnO為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料對可見光利用效率低、光生載流子遷移效率低、電子空穴對易復(fù)合等限制了實(shí)際應(yīng)用。近年來,已有大量關(guān)于改性傳統(tǒng)半導(dǎo)體光催化劑提高光催化的活性的報(bào)道,雖然取得了一定的進(jìn)展,但仍有許多復(fù)合材料的催化性能差、重復(fù)穩(wěn)定低、形貌結(jié)構(gòu)和催化性能關(guān)系沒有深入討論研究。基于此,本文重點(diǎn)研究了以下幾個(gè)方面:1.在高度親水的云母上構(gòu)建特了特殊的Cu(NO3)2薄層溶液,快速蒸發(fā)薄層溶液。通過控制蒸發(fā)時(shí)間獲得過飽和度的薄層溶液,在可控的過飽和水平下調(diào)節(jié)成核模式實(shí)現(xiàn)對形貌的可控性選擇。低過飽和度薄層溶液有利于固-液界面處的異相成核,傾向于生成硝酸銅納米片;高過飽和度的薄層溶液可以在體相溶液中均相成核,傾向生成產(chǎn)生花狀分層的硝酸銅納米微球。硝酸銅前驅(qū)體納米晶證實(shí)是Cu(NO3)2·2.5H2O,納米晶熱處理后進(jìn)一步轉(zhuǎn)化成分層多孔的CuO納米微結(jié)構(gòu)后依舊保持原來的形貌。2.在合成的云母基底支撐的CuO半導(dǎo)體納米材料基礎(chǔ)上,通過不用任何添加劑的光化學(xué)法把Ag納米小顆粒成功地負(fù)載到CuO上制備了Ag/CuO異質(zhì)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體納米復(fù)合材料。同時(shí)評估了兩種不同半導(dǎo)體催化劑的光催化活性,在可見光下,通過降解MB溶液來評估CuO和Ag/CuO光催化劑的性能,結(jié)果表明復(fù)合的Ag/CuO光催化劑活性遠(yuǎn)高于單一的CuO活性,同時(shí)解釋了兩種不同半導(dǎo)體催化劑可見光下降解有機(jī)染料MB的機(jī)理。3.通過一種簡單水熱法把商業(yè)的ZnO固定在潔凈的硅片上,獲得了兩種不同形貌的ZnO基底。在此基礎(chǔ)上用光化學(xué)法,制備了不同形貌的Ag2O/ZnO異質(zhì)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體納米復(fù)合材料。經(jīng)過一系列表征和測試驗(yàn)證合成的樣品的組分和結(jié)構(gòu),并研究了基底對Ag2O納米棒形貌的影響。進(jìn)一步對制備的樣品進(jìn)行光催化性能評估測試,在紫外光和可見光下Ag2O/ZnO復(fù)合光催化劑降解有機(jī)污染物MB溶液的效率明顯高于單一的ZnO催化劑,且復(fù)合半導(dǎo)體光催化劑的穩(wěn)定性遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于單一的催化劑,提升了光催化劑的響應(yīng)范圍。4.通過AgNO_3溶液中不同百分含量的乙醇來選擇性合成不同的銀基半導(dǎo)體納米復(fù)合材料。利用光化學(xué)法,控制不同百分含量的乙醇(空穴消除劑)選擇性的合成了Ag/ZnO、Ag2O/ZnO和Ag/Ag2O/ZnO銀基半導(dǎo)體納米復(fù)合材料,制備的不同半導(dǎo)體納米復(fù)合材料進(jìn)行了SEM、TEM、XRD、DRS和BET表征等,探究了不同異質(zhì)結(jié)構(gòu)之間形成的過程和機(jī)理。進(jìn)一步比較了三種不同的復(fù)合催化劑在可見光下的催化活性大小,并分別提出了不同的復(fù)合催化劑可見光降解過程中涉及的可能機(jī)理。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在可見光下選擇性制備的不同銀基半導(dǎo)體復(fù)合催化劑的光催化活性的大小依次為:Ag/Ag2O/ZnOAg2O/ZnOAg/ZnO。
【圖文】:

原理圖,二氧化鈦光催化,原理圖,過程


禁帶寬度能量時(shí),,半導(dǎo)體才能對光響應(yīng)。具體的公式關(guān)系:2πhc/λ≥Eg朗克常數(shù),c 為光速,λ 為入射光波長,Eg為半導(dǎo)體帶隙寬度。第二部收特定波長光后將發(fā)生電子躍遷現(xiàn)象,光致激發(fā)生成電子-空穴對,即(e-)被激發(fā)到導(dǎo)帶上剩下強(qiáng)氧化性的空穴(h+)進(jìn)而形成了強(qiáng)反應(yīng)活-空穴對。第三部分,電子和空穴對遷移至半導(dǎo)體材料的表面和水或半物質(zhì)發(fā)生一系列的氧化還原反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)光催化分解水制氫產(chǎn)氧、有催化降解、重金屬離子的還原等;磻(yīng)的基本原理簡單的來講就是一些半導(dǎo)體材料[11-18](TiO2、ZnO、SuO、CdS、MoS2、Ag3PO4等)在可見或紫外光的照射下,發(fā)生一系列應(yīng)及所生成的一些其它中間產(chǎn)物并最終將目標(biāo)物進(jìn)行催化降解的過程。體光催化劑 TiO2為例,光催化過程所涉及的反應(yīng)過程可以用下列反應(yīng)

示意圖,光催化分解,示意圖,負(fù)載水


HO2+ HO2→ H2O2+ O2TiO2(e ) + H2O2→ OH●+ OHH2O2+ O2●→ OH●+ OH + O2Organic compound + OH●→ degradation productsOrganic compound + TiO2( ) → degradation productsOrganic compound + TiO2(e ) → degradation products體復(fù)合材料應(yīng)用解水1972 年日本的 Fujishima 和 Honda 教授首次發(fā)現(xiàn)了在 Pt 電極上負(fù)載水的研究以來[20],如圖 1.2 所示,半導(dǎo)體光催化分解水在全世界范的關(guān)注,光分解水主要涉及到兩個(gè)半反應(yīng)[1],即氫離子的還原產(chǎn)氫反應(yīng)的自由能和標(biāo)準(zhǔn)氧化還原電勢公式如下。
【學(xué)位授予單位】:蘇州大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:O643.36;O644.1

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本文編號:2656853

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