Si摻雜活性氧化物的DFT計算分析
【圖文】:
mkf邋w邋#邋#邋¥逡逑(a)邐(b)逡逑圖3-丨⑻如02和(|3)1^丨().辦().502超胞結構的示意圖逡逑Fig.3-1邋Models邋of邋the邋supercells邋of邋(a)邋Ru02,邋and邋(b)邋(Ruo.sSio邋5)02.逡逑3.2RUl_xSix02的晶體結構研究逡逑首先,我們對Ru02的原胞進行結構優(yōu)化,我們利用GGA-PBE的方法計算逡逑得到的Ru02的晶格常數(shù)為(0=6=4.500邋A,c=3.125A),我們的計算結果和標準卡逡逑片JCPDS12-1172的Ru02的晶格常數(shù)(a=卜4.499人,C=3.107A)非常符合,這說逡逑明本文所采用的計算方法可行。因此,我們后面對RU|_xSix02的研究都是采用逡逑GGA-PBE的計算方法。我們首先計算了不同的Si摻雜濃度x對RUl.xSix02的晶逡逑格常數(shù)a和c的影響,分別如圖3-3⑷和(b)所示。從圖中我們可以看出,RUl_xSix02逡逑晶格常數(shù)a和c隨摻雜量的增加嚴重偏離Vegard定律,這與1^^81^02【81]和逡逑Ru^ZrxC^1821固溶體有明顯的不同。從圖中我們還可以看出
明本文所采用的計算方法可行。因此,我們后面對RU|_xSix02的研究都是采用逡逑GGA-PBE的計算方法。我們首先計算了不同的Si摻雜濃度x對RUl.xSix02的晶逡逑格常數(shù)a和c的影響,分別如圖3-3⑷和(b)所示。從圖中我們可以看出,RUl_xSix02逡逑晶格常數(shù)a和c隨摻雜量的增加嚴重偏離Vegard定律,這與1^^81^02【81]和逡逑Ru^ZrxC^1821固溶體有明顯的不同。從圖中我們還可以看出,隨著摻雜量的增加,逡逑RU|-xSix02的晶格常數(shù)a先增大后減小,而晶格常數(shù)c則先減小后增大,這是由逡逑于Si的原子半徑要明顯小于RU的原子半徑,從而引起晶格畸變。此外我們還對逡逑RUl_xSix02晶格常數(shù)a和c隨摻雜濃度x的變化進行擬合,我們擬合得到的公式逡逑分別為(3-1)和(3-2)。逡逑(a)4.6,邐(b)3-2r邐逡逑C3邋4.3邋-邐、、邐\邋U邋2.8邋.邐、、逡逑,,.邐2.7-逡逑42邋邐
【學位授予單位】:福州大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:O646.54
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本文編號:2597606
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