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Au電極與CdMnTe晶體的表面接觸電阻率研究

發(fā)布時間:2019-11-05 00:14
【摘要】:采用圓形傳輸線模型研究了金(Au)電極與碲錳鎘(CdMnTe)晶體的歐姆接觸特性,Au電極采用AuCl3化學鍍金法制備,計算了其接觸電阻率。實驗探討了表面處理和退火對Au/CdMnTe接觸電阻率的影響。結果表明,CdMnTe晶體經(jīng)過化學拋光和化學機械拋光后Au/CdMnTe的接觸電阻率分別為544.5和89.0Ω·cm2。通過AFM與XPS分析了晶體表面的形貌與成分,發(fā)現(xiàn)表面粗糙度和富Te成分對CdMnTe薄層電阻和載流子傳輸長度有較大的影響,決定了接觸電阻率的大小。在150℃空氣氣氛退火1h后,經(jīng)CP和CMP表面處理的樣品,Au/CdMnTe接觸電阻率均減小,分別為313.6和30.2Ω·cm2。退火促進了Au向CdMnTe晶體的擴散,使接觸電阻率進一步降低,歐姆接觸性能提高。


本文編號:2555895

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