【摘要】：基于Tersoff勢函數(shù)描述硅原子間的相互作用,運(yùn)用分子動(dòng)力學(xué)方法模擬研究了不同過冷度條件下硅晶體凝固生長速率。結(jié)果發(fā)現(xiàn),在一定過冷度范圍內(nèi),硅晶體的生長速率隨過冷度的增大而呈先快速增大后緩慢減小的趨勢,并最終趨于不生長。同時(shí),運(yùn)用Wilson-Frenkel模型從理論上對硅晶體生長速率與過冷度關(guān)系進(jìn)行了預(yù)測,分子動(dòng)力學(xué)模擬結(jié)果與Wilson-Frenkel模型預(yù)測結(jié)果基本吻合,表明了硅晶體沿[100]方向的生長是一種擴(kuò)散型生長。
【作者單位】： 南昌大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院/光伏研究院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51361022,51561022,51264032) 江西省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(20151BAB206001)
【分類號(hào)】：O781

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10 宋波,翟啟杰,毛t熀，

本文編號(hào)：2552788