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弛豫鐵電單晶的頂部籽晶法生長

發(fā)布時間:2018-09-04 06:19
【摘要】:相比較于傳統(tǒng)的Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3(PZT)多晶壓電陶瓷,弛豫鐵電單晶具有超高的機電耦合系數(shù)和壓電系數(shù).例如,典型的Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3(PZN-PT)和Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3(PMN-PT)弛豫鐵電單晶,其機電耦合系數(shù)k_(33)0.9,壓電系數(shù)d_(33)2000 pC/N,使其有潛力應(yīng)用于下一代壓電器件,如傳感器、聲吶、執(zhí)行器等.但是弛豫鐵電單晶應(yīng)用的關(guān)鍵在于單晶的制備問題.弛豫鐵電單晶的制備技術(shù)包括高溫溶液法(助溶劑法)、垂直坩堝下降法和頂部籽晶法.頂部籽晶法在制備弛豫鐵電單晶時具有很多優(yōu)勢.因此,本文將闡述頂部籽晶法制備弛豫鐵電單晶的最新進(jìn)展.
[Abstract]:Compared with the conventional Pb (Zr_ (1-x) Ti_x) O _ 3 (PZT) polycrystalline piezoelectric ceramics, the relaxor ferroelectric single crystals have ultra-high electromechanical coupling coefficient and piezoelectric coefficient. For example, typical Pb (Zn_ (1 / 3) Nb_ (2 / 3) O_3-PbTiO_3 (PZN-PT) and Pb (Mg_ (1 / 3) Nb_ (2 / 3) O_3-PbTiO_3 (PMN-PT) relaxor ferroelectric single crystals have the potential to be used in the next generation piezoelectric devices, such as sensors, sonar, actuators, etc. However, the key to the application of relaxor ferroelectric single crystals is the preparation of single crystals. The preparation techniques of relaxor ferroelectric single crystals include high-temperature solution method (co-solvent method), vertical crucible descent method and top-seed method. The top seed method has many advantages in the preparation of relaxor ferroelectric single crystals. Therefore, the latest progress in the preparation of relaxor ferroelectric single crystals by top seed method will be reviewed.
【作者單位】: 中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所光電材料化學(xué)與物理重點實驗室;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:11404331,91422303) 中國科學(xué)院海西研究院“春苗”人才專項計劃(編號:CMZX-2016-006)資助項目
【分類號】:O782

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本文編號:2221267

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