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黑磷的表面改性和CO吸附的理論研究

發(fā)布時(shí)間:2018-06-28 03:42

  本文選題:黑磷 + Co原子 ; 參考:《東南大學(xué)》2017年碩士論文


【摘要】:新型二維材料黑磷的成功制備極大地激發(fā)了人們對(duì)它的研究興趣,除了與石墨烯,過渡金屬硫化物同樣具有較高的表面積-體積比之外,黑磷還具有其他優(yōu)異的性質(zhì),例如可觀的直接帶隙,高的空穴遷移率,高的開關(guān)比以及獨(dú)特的各向異性。這些特點(diǎn)使黑磷成為二維材料領(lǐng)域的研究焦點(diǎn),甚至有人預(yù)測(cè)黑磷可能會(huì)像石墨烯一樣,替代硅成為新一代的半導(dǎo)體材料。本文采用了基于密度泛函理論的VASP(ViennaAb-initio Simulation Package)軟件包,對(duì)二維材料黑磷的結(jié)構(gòu)及相關(guān)性質(zhì)進(jìn)行了計(jì)算和分析。由于黑磷材料在氣體吸附方面表現(xiàn)出不穩(wěn)定的物理吸附特性,我們選取的主要方法是對(duì)單層黑磷進(jìn)行摻雜和缺陷構(gòu)建,從而提高黑磷表面的活性,加強(qiáng)黑磷對(duì)一氧化碳?xì)怏w(CO)的吸附程度,最終提高傳感的靈敏度。論文主要研究了金屬原子摻雜黑磷的電子性質(zhì)和金屬原子摻雜對(duì)CO氣體吸附的影響。具體的研究內(nèi)容包括以下幾個(gè)部分:(1)對(duì)Co-BP-CO和BP-CO的電子性質(zhì)進(jìn)行了研究分析,通過黑磷表面鈷原子(Co)摻雜的改性,發(fā)現(xiàn)Co-BP在吸附CO分子后能帶結(jié)構(gòu)從直接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)殚g接帶隙,雜質(zhì)Co原子和CO分子的軌道耦合也證實(shí)了雜質(zhì)Co原子對(duì)CO吸附的促進(jìn)作用。相比BP-CO結(jié)構(gòu),Co-BP-CO結(jié)構(gòu)的結(jié)合能更大,穩(wěn)定性更高,而且根據(jù)Bader電荷分析,CO氣體向Co摻雜黑磷體系轉(zhuǎn)移的電荷數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于純凈黑磷,證明了 Co摻雜提高了黑磷對(duì)CO氣體的靈敏度和選擇性。(2)Co摻雜證明了金屬原子在黑磷表面改性方面有很強(qiáng)的積極作用。計(jì)算金屬摻雜黑磷結(jié)構(gòu)后,我們發(fā)現(xiàn)堿金屬摻雜會(huì)改變黑磷的光學(xué)性質(zhì),加強(qiáng)電子結(jié)構(gòu)的可調(diào)性;貴金屬Pd,Pt摻雜黑磷會(huì)產(chǎn)生很強(qiáng)的SMSI效應(yīng),有助于提高該材料的催化性能;鐵磁性金屬摻雜黑磷都表現(xiàn)出較強(qiáng)的結(jié)合能,而且Fe和Ni雜質(zhì)還會(huì)使黑磷具有磁性;Pb摻雜黑磷表現(xiàn)出很強(qiáng)的金屬性質(zhì),可以通過外界電場來調(diào)節(jié)材料的電學(xué)特性。在CO吸附方面,Li-BP-CO和Al-BP-CO的能帶結(jié)構(gòu)從間接帶隙變?yōu)橹苯訋?而Pd-BP-CO、Pt-BP-CO、Ni-BP-CO和Al-BP-CO則表現(xiàn)出較強(qiáng)的穩(wěn)定性,Au、Pt、Ni和Al摻雜結(jié)構(gòu)與CO之間存在大量的轉(zhuǎn)移電荷,證明了金屬雜質(zhì)提高了黑磷對(duì)CO氣體的吸附和探測(cè)能力。(3)考慮到實(shí)際制備黑磷的過程中會(huì)產(chǎn)生缺陷,因此根據(jù)不同缺陷位置的排列組合,我們建立了不重復(fù)的6種雙空位缺陷結(jié)構(gòu)D1-2、D1-3、D1-4、D1-5、D1-6和D1-8。計(jì)算發(fā)現(xiàn)雙空位缺陷黑磷的形成能都小于單空位缺陷,說明雙空位缺陷結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定。缺陷點(diǎn)位置的變化導(dǎo)致P-P成鍵發(fā)生改變,間接影響了黑磷的物理性質(zhì)和電學(xué)性質(zhì)。結(jié)果表明當(dāng)?shù)谝粋(gè)P原子被移除后,第二個(gè)P原子更加容易脫離黑磷。另外,基于缺陷結(jié)構(gòu)的分析,我們提高Co原子在黑磷中的摻雜比例,并得到了最穩(wěn)定的Co摻雜雙空位缺陷黑磷結(jié)構(gòu),結(jié)論證明了增加Co摻雜原子可以大大提高CO的吸附程度,并且能帶間隙會(huì)隨著CO分子吸附數(shù)量增加而迅速減小,形成從半導(dǎo)體性質(zhì)向金屬性質(zhì)過渡的趨勢(shì)。
[Abstract]:The successful preparation of a new two-dimensional material of black phosphorus has greatly stimulated interest in its research. In addition to the high surface area volume ratio of the transition metal sulfide, the black phosphorus also has other excellent properties, such as considerable direct band gap, high hole mobility, high switching ratio and unique anisotropy. These characteristics make black phosphorus a focus in the field of two-dimensional material, and even some people predict that black phosphorus may be like graphene, instead of silicon to become a new generation of semiconductor materials. In this paper, the VASP (ViennaAb-initio Simulation Package) soft package based on density functional theory (DFT) is used for the structure and related properties of black phosphorus in two-dimensional material. The calculation and analysis are carried out. Because of the unstable physical adsorption characteristics of the black phosphorus material in the gas adsorption, the main method is to doping and constructing the single layer black phosphorus, thus improving the activity of the surface of the black phosphorus, strengthening the adsorption degree of the black phosphorus to the carbon monoxide gas (CO), and finally improving the sensitivity of the sensor. The effects of the electronic properties of the metal atom doped black phosphorus and the doping of metal atoms on the adsorption of CO gas are mainly studied. The specific research contents include the following parts: (1) the electronic properties of Co-BP-CO and BP-CO are studied and analyzed. Through the modification of the cobalt (Co) doping on the surface of the black phosphorus, it is found that Co-BP can bind after the adsorption of CO molecules. From the direct band gap to the indirect band gap, the orbital coupling of the impurity Co atom and the CO molecule also confirms the promotion of the impurity Co atom on the CO adsorption. Compared with the BP-CO structure, the binding energy of the Co-BP-CO structure is larger and the stability is higher, and the charge number of CO gas transferred from the Bader charge to the Co doped black phosphorus system is far greater than that of the pure BP-CO. The net black phosphorus showed that Co doping increased the sensitivity and selectivity of black phosphorus to CO gas. (2) Co doping proved that the metal atoms have a strong positive effect on the surface modification of black phosphorus. After calculating the structure of the doped black phosphorus, we found that the alkali metal doping will change the optical properties of the black phosphorus and strengthen the tunability of the electronic structure; the precious metal Pd, P T doped black phosphorus can produce a strong SMSI effect, which helps to improve the catalytic performance of the material. The ferromagnetic metal doped black phosphorus exhibits strong binding energy, and Fe and Ni impurities will also make the black phosphorus magnetic; Pb doped black phosphorus shows a strong metal property and can adjust the electrical properties of the material through the external electric field. Adsorption on CO On the other hand, the band structure of Li-BP-CO and Al-BP-CO turns from indirect band gap to direct band gap, while Pd-BP-CO, Pt-BP-CO, Ni-BP-CO and Al-BP-CO show strong stability. There is a large amount of transfer charge between Au, Pt, Ni and Al doping structure and CO. It is proved that the metal impurity increases the adsorption and detection ability of black phosphorus to CO gas. (3) considering the reality There will be defects in the process of preparing black phosphorus. Therefore, according to the arrangement and combination of different defect positions, we have established 6 kinds of double vacancy defect structures, D1-2, D1-3, D1-4, D1-5, D1-6 and D1-8., to find that the formation energy of the black phosphorus in the double vacancy defect is less than the single vacancy defect, indicating that the structure of the double vacancy defect is more stable. The changes in the P-P bond change, which indirectly affect the physical and electrical properties of the black phosphorus. The results show that the second P atoms are more easily separated from the black phosphorus when the first P atom is removed. Furthermore, based on the analysis of the defect structure, we improve the proportion of Co atoms in the black phosphorus, and get the most stable Co doped double space. It is proved that the increase of Co doping can greatly increase the adsorption degree of CO, and the energy band gap will rapidly decrease with the increase of the adsorption number of CO molecules, forming a transition from semiconductor properties to metal properties.
【學(xué)位授予單位】:東南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號(hào)】:O613.62;O647.3

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本文編號(hào):2076582

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