本文選題：硅酸鉍晶體 + 坩堝下降法��； 參考：《硅酸鹽學(xué)報》2017年12期

【摘要】：硅酸鉍(Bi_4Si_3O_(12),BSO)晶體是一種具有閃鉍礦結(jié)構(gòu)的氧化物閃爍材料,其衰減時間快于鍺酸鉍(BGO)晶體,光輸出高于鎢酸鉛(PWO)晶體,被認(rèn)為是雙讀出量能器最佳的候選材料之一。綜述了硅酸鉍晶體在相關(guān)系、晶體生長、閃爍性能、摻雜改性等方面的研究進展,比較了不同生長方法的優(yōu)缺點,總結(jié)了稀土摻雜對硅酸鉍晶體性能以及結(jié)晶習(xí)性的影響。研究發(fā)現(xiàn):少量Dy~(3+)摻雜能顯著提高硅酸鉍晶體的光輸出,其發(fā)光機理可能與Dy3+的占位有關(guān),高濃度摻雜因為引入競爭性的發(fā)光中心而導(dǎo)致光輸出下降。此外,摻雜硅酸鉍晶體在熒光發(fā)光和激光等領(lǐng)域有潛在應(yīng)用。
[Abstract]:Bi4Si3O) crystal is a kind of oxide scintillation material with diorotorite structure, its decay time is faster than that of bismuth germanate crystal, the light output is higher than that of lead tungstate crystal, so it is considered as one of the best candidate materials for double readout calorimeter. The research progress in phase relationship, crystal growth, scintillation properties and doping modification of bismuth silicate crystals are reviewed. The advantages and disadvantages of different growth methods are compared, and the effects of rare earth doping on the crystal properties and crystallization habits of bismuth silicate are summarized. It is found that a small amount of Dy~(3) doping can improve the optical output of bismuth silicate crystal, and the luminescence mechanism may be related to the position occupation of Dy3. The high concentration doping can lead to the decrease of light output due to the introduction of competitive luminescence centers. In addition, doped bismuth silicate crystals have potential applications in luminescence and laser fields.
【作者單位】： 上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院晶體生長研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51342007,51572175) “973”前期專項(2011CB612310)資助
【分類號】：O734

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 羅豪u&,路治平,仲維卓;硅酸鉍晶體的蝕像形貌[J];無機材料學(xué)報;1989年04期

2 羅豪蘇,路治平,趙天德,仲維卓;硅酸鉍晶體的結(jié)晶習(xí)性[J];人工晶體學(xué)報;1990年03期

3 謝克誠;硅酸鉍晶體的旋光特性[J];壓電與聲光;1991年01期

4 林紅,朱春城,黃海濤;摻雜硅酸鉍晶體的生長及樣品加工[J];高師理科學(xué)刊;1998年03期

5 金蔚青,何崇藩;硅酸鉍晶體與界面生長臺階的穩(wěn)定性[J];人工晶體;1988年Z1期

6 李長勝,崔翔;硅酸鉍晶體內(nèi)電光、磁光相互作用的耦合波分析及其傳感應(yīng)用[J];光子學(xué)報;1998年02期

7 高永順,程其華,謝萬茂;硅酸鉍晶體的缺陷——色芯[J];人工晶體;1982年Z1期

8 羅豪u&,路治平,趙天德,仲維卓;硅酸鉍晶體的結(jié)晶習(xí)性[J];人工晶體;1988年Z1期

9 朱偉利,陳巖松;硅酸鉍晶體等密度透光特性[J];物理學(xué)報;1990年11期

10 吳鴻謨,朱春城,強亮生,徐崇泉;摻鉻硅酸鉍晶體的生長、退火及光透射[J];黑龍江大學(xué)自然科學(xué)學(xué)報;1997年01期

相關(guān)會議論文 前4條

1 何小玲;張昌龍;胡章貴;霍漢德;王金亮;秦世杰;左艷彬;盧福華;張海霞;;水熱法硅酸鉍晶體的結(jié)晶習(xí)性與形貌[A];第15屆全國晶體生長與材料學(xué)術(shù)會議論文集[C];2009年

2 金敏;徐家躍;何慶波;房永征;;砷化鎵單晶的改進型坩堝下降法生長研究[A];第15屆全國晶體生長與材料學(xué)術(shù)會議論文集[C];2009年

3 王金浩;章踐立;張約品;夏海平;;Zn:Er:LiNbO_3單晶的坩堝下降法生長及其上轉(zhuǎn)換熒光特性[A];第五屆全國稀土發(fā)光材料學(xué)術(shù)研討會論文摘要集[C];2005年

4 陸寶亮;徐家躍;范世■;;近化學(xué)計量比鈮酸鋰晶體的坩堝下降法生長研究[A];中國硅酸鹽學(xué)會2003年學(xué)術(shù)年會論文摘要集[C];2003年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前7條

1 肖華平;閃爍晶體鎢酸鎘的坩堝下降法生長的研究[D];寧波大學(xué);2008年

2 朱駿;SrBi_4Ti_4O_（15）及其共生結(jié)構(gòu)摻雜改性研究[D];揚州大學(xué);2003年

3 方奇術(shù);新型氟化物激光晶體Ce~（3+）:LiCaAlF_6的生長與光譜性質(zhì)[D];寧波大學(xué);2010年

4 錢晶晶;鈦酸鍶鋇微波鐵電材料摻雜改性研究[D];武漢理工大學(xué);2007年

5 金燦;SrBi_4Ti_4O_（15）B位摻雜改性研究[D];揚州大學(xué);2007年

6 孫娟;SrBi_4Ti_4O_（15）B位摻雜和AB共同摻雜改性研究[D];揚州大學(xué);2008年

7 王浩;SmFeO_3陶瓷多鐵性能及其摻雜改性研究[D];揚州大學(xué);2014年

，

本文編號：1982961