本文選題：Ⅲ-Ⅴ族半導體 + 氮化鋁(AlN)晶體�。� 參考：《無機材料學報》2017年02期

【摘要】：采用物理氣相輸運法(Physical Vapor Transport,PVT),在1700~1850℃生長溫度下制備出AlN六方微晶柱;晶柱長度在1 cm左右,寬度在200~400μm,光學顯微鏡下觀察為六棱柱形狀并呈透明淺黃色光澤;掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡測試表明:AlN晶柱表面為整齊臺階狀形貌,臺階寬度為2~4μm,高度在幾個納米;拉曼光譜測試AlN晶柱具有良好結(jié)晶質(zhì)量。PVT法生長AlN六方微晶柱主要是在偏低溫度下AlN晶體生長速率較慢,Al原子和N原子有足夠時間遷移到能量較低位置結(jié)晶生長,進而沿著0001方向形成柱狀結(jié)構(gòu)。AlN六方微晶柱是對一維半導體材料領域的補充,通過對晶柱尺寸及雜質(zhì)控制的進一步研究,有望在微型光電器件領域表現(xiàn)出應用價值。
[Abstract]:The hexagonal AlN hexagonal microcrystalline column was prepared by physical Vapor transport method at 1 700 鈩，

本文編號：1917637