熒光石墨烯量子點的制備及其熒光機理分析
發(fā)布時間:2018-05-04 08:33
本文選題:石墨烯量子點 + 制備方法 ; 參考:《功能材料》2017年08期
【摘要】:石墨烯量子點(GQDs)因其潛在的全光譜熒光可調控性和穩(wěn)定性,在環(huán)境化學、物理器件、生物醫(yī)藥等諸多領域被認為是最有前景的納米材料之一。探索GQDs的熒光發(fā)光機理,調控熒光能譜,進一步開發(fā)可控性合成與生長途徑和工藝,尤其可批量及規(guī);a(chǎn)方式,是GQDs器件應用中亟待解決的關鍵問題。從自上而下(Top-down)法、自下而上(Bottom-up)法和表面修飾等3個方面介紹了熒光GQDs的制備及調控,比較了GQDs與其它量子點材料熒光性質的異同,并重點綜述了GQDs的量子限域效應以及邊緣態(tài)和表面態(tài)對其光致熒光性質的影響。
[Abstract]:Graphene quantum dots (GQDs) are considered as one of the most promising nanomaterials in environmental chemistry, physical devices, biomedicine and many other fields because of their potential full spectral fluorescence controllability and stability. It is a key problem to be solved in the application of GQDs devices to explore the fluorescent luminescence mechanism of GQDs, to regulate the fluorescence spectrum, to further develop the controllable synthesis and growth path and process, especially for batch and large-scale production mode. The preparation and regulation of fluorescent GQDs were introduced from three aspects: top-down method, bottom-up Bottom-upmethod and surface modification. The differences and similarities of fluorescence properties between GQDs and other QDs were compared. The quantum limiting effect of GQDs and the influence of edge state and surface state on the photoluminescence properties of GQDs are reviewed.
【作者單位】: 中國科學院上海高等研究院薄膜光電工程技術研究中心;上海科技大學;中國科學院大學;
【分類號】:O613.71;TB383.1
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本文編號:1842337
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