本文選題：金屬氧化物　切入點(diǎn)：柵極電介質(zhì)材料　出處：《無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào)》2017年11期 　論文類(lèi)型：期刊論文

【摘要】：金屬氧化物薄膜如HfO_2(被稱(chēng)為高k電介質(zhì))是現(xiàn)代微電子器件的關(guān)鍵組件,廣泛用于計(jì)算機(jī)(平板電腦,筆記本電腦和臺(tái)式機(jī))、智能電話、智能電視、汽車(chē)和醫(yī)療設(shè)備中。具有大介電常數(shù)(k)的金屬氧化物已經(jīng)取代了介電常數(shù)小的SiO_2(k=3.9),從而使得微電子元件進(jìn)一步小型化。過(guò)渡金屬化合物在化學(xué)氣相沉積(CVD)和原子層沉積(ALD)中被廣泛用作前體,通過(guò)與O2、H_2O或O_3的反應(yīng)生成金屬氧化物薄膜。微電子金屬氧化物膜是納米材料最廣泛應(yīng)用的一個(gè)領(lǐng)域。本文概觀該領(lǐng)域的最新進(jìn)展,包括我們對(duì)d0過(guò)渡金屬配合物與O_2反應(yīng)的研究。
[Abstract]:Metal oxide thin films such as HfO2s (known as high k dielectrics) are key components of modern microelectronic devices and are widely used in computers (tablets, laptops and desktops, smart phones, smart televisions, etc.). In motor vehicles and medical equipment, metal oxides with large dielectric constants have replaced the SiO2k / 3. 9 of low dielectric constant, thereby further miniaturizing microelectronic components. Transition Metal compounds in Chemical Vapor deposition (CVD) and Atomic layer. ALD) is widely used as a precursor. Metal oxide films are formed by reaction with O _ 2H _ 2O or O _ S _ 3. Microelectronic metal oxide films are one of the most widely used nanomaterials. The reaction of D _ 0 transition metal complexes with O _ 2 was studied.
【作者單位】： 田納西大學(xué)化學(xué)系;
【基金】：美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金會(huì)(No.CHE-1633870)資助項(xiàng)目
【分類(lèi)號(hào)】：O641.4

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