大尺寸四硼酸鋰壓電晶體轉向生長
本文關鍵詞:大尺寸四硼酸鋰壓電晶體轉向生長 出處:《硅酸鹽學報》2016年10期 論文類型:期刊論文
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【摘要】:四硼酸鋰(Li_2B_4O_7,LBO)晶體是一種性能優(yōu)異的壓電基片材料,坩堝下降法生長的直徑為76 mm LBO晶體已成功應用于聲表面波(SAW)和體波(BW)器件。由于硼酸鹽熔體粘度大、晶體易開裂,生長直徑為102 mm的LBO晶體產(chǎn)業(yè)化還有很大難度。本工作根據(jù)坩堝下降法技術特點,提出了轉向生長LBO晶體的工藝方案,成功生長出60 mm×110 mm×120 mm板狀晶體。晶體沿[001]方向快速生長,側面主面為(110)。生長的板狀晶體經(jīng)準確定向、加工后即可獲得高度60 mm、直徑為102 mm(4 in)的[110]取向LBO晶體,生長速率和晶體產(chǎn)率較傳統(tǒng)方法都有顯著提高。
【作者單位】: 上海應用技術大學材料科學與工程學院晶體生長研究所;中國科學院上海硅酸鹽研究所;
【基金】:國家自然科學基金項目(51472263)
【分類號】:O782
【正文快照】: 壓電晶體是能夠實現(xiàn)機械能與電能相互轉換的一類功能晶體材料,水晶、鈮酸鋰(Li Nb O3)、鉭酸鋰(Li Ta O3)是工業(yè)上最常用的壓電晶體材料,廣泛用于制作諧振器、濾波器、換能器等電子元器件[1]。四硼酸鋰(Li2B4O7,LBO)晶體是上世紀90年代發(fā)展起來的一種新型溫度補償型聲表面波(S
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1 徐家躍,范世庋;坩堝下降法生長中鈮酸鉀鋰的析晶行為[J];人工晶體學報;2000年S1期
2 徐家躍,范世庋;氧化物晶體的坩堝下降法生長[J];人工晶體學報;2002年03期
3 張偉,朱世富,趙北君,劉敏文,李一春;三溫區(qū)坩堝下降法生長硫鎵銀晶體[J];人工晶體學報;2003年04期
4 張海斌,陳文斌,李培俊,任國浩,沈定中;坩堝下降法中各向熱異性坩堝熱場的數(shù)值模擬(英文)[J];人工晶體學報;2004年04期
5 陳紅兵;周昌勇;楊培志;王金浩;許偉;;氯化鑭單晶的坩堝下降法生長[J];中國稀土學報;2008年06期
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7 金敏;徐家躍;何慶波;;坩堝下降法生長太陽能電池用砷化鎵晶體[J];人工晶體學報;2014年04期
8 徐家躍,武安華,吳憲君,陳紅兵,丁嘉宣,周娟,廖晶瑩,范世(馬豈);鍺酸鹽晶體的坩堝下降法生長研究[J];陜西科技大學學報;2004年05期
9 徐家躍;王紅;何慶波;申慧;清水肇;向衛(wèi)東;;坩堝下降法生長硅酸鉍閃爍晶體(英文)[J];硅酸鹽學報;2009年02期
10 向衛(wèi)東;粱曉娟;陸寶亮;李新華;徐家躍;夏宗仁;吳劍波;;坩堝下降法生長鈮酸鋰晶體(英文)[J];硅酸鹽學報;2007年10期
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1 金敏;徐家躍;何慶波;房永征;;砷化鎵單晶的改進型坩堝下降法生長研究[A];第15屆全國晶體生長與材料學術會議論文集[C];2009年
2 王金浩;章踐立;張約品;夏海平;;Zn:Er:LiNbO_3單晶的坩堝下降法生長及其上轉換熒光特性[A];第五屆全國稀土發(fā)光材料學術研討會論文摘要集[C];2005年
3 陸寶亮;徐家躍;范世■;;近化學計量比鈮酸鋰晶體的坩堝下降法生長研究[A];中國硅酸鹽學會2003年學術年會論文摘要集[C];2003年
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本文編號:1308859
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