本文關(guān)鍵詞：焰熔法生長金紅石單晶體生長室內(nèi)溫度分布的數(shù)值模擬　出處：《人工晶體學(xué)報》2016年01期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：以氫氣和氧氣的燃燒為基礎(chǔ),研究了焰熔法生長金紅石單晶體過程中生長室內(nèi)的溫度分布特征,分析了H_2和O_2流量對溫度分布的影響。結(jié)果表明:中心軸向溫度隨噴嘴距離的增加而升高,在距噴嘴92 mm處達(dá)到最高溫度3290.3 K后開始下降;晶體熔帽徑向溫度隨直徑的增加逐漸減小,熔帽邊緣溫度則急劇升高;隨著H_2流量增加,生長室內(nèi)中心軸向和徑向溫度逐漸增大,H_2流量增加2 L/min,中心最高溫度平均升高130℃,最高溫度的位置向下移3.1mm,晶體熔帽表面溫度平均升高70℃;增加內(nèi)O_2和外O_2流量均導(dǎo)致生長室內(nèi)中心軸向和徑向溫度降低,而使晶體熔帽上的壓力升高,外O_2對溫度的影響較大,而內(nèi)O_2對晶體熔帽壓力的影響較大。
【作者單位】： 沈陽工程學(xué)院能源與動力學(xué)院;東北大學(xué)材料與冶金學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51472047)
【分類號】：O782
【正文快照】： (Received 25 August 2015,accepted 27 October 2015)1引言焰熔法是生長金紅石單晶體的一種主要方法。高純Ti O2粉末在通過高溫的氫氧火焰后熔化并在籽晶上結(jié)晶,然后通過擴(kuò)肩和等徑生長,最后形成一個大的單晶體[1-3]。在焰熔法生長金紅石單晶體過程中,生長室內(nèi)軸向和徑向溫度

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本文編號：1308356