近零折射率材料的古斯?jié)h欣位移的特性研究
發(fā)布時間:2017-12-17 15:06
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【摘要】:古斯?jié)h欣位移是一種特殊的光學(xué)現(xiàn)象,由于納米光學(xué)的不斷普及,古斯?jié)h欣位移成為了一個極其有價值的研究.本文采用以硅為介質(zhì)柱周期排列的正方形的光子晶體,采用時域有限差分方法,研究了波長以及溫度對于近零折射率材料中的古斯?jié)h欣位移的影響.研究表明,波長對于古斯?jié)h欣位移的影響非常大,而溫度對于古斯?jié)h欣位移的影響比較小.
【作者單位】: 上海理工大學(xué)光電信息與計算機(jī)工程學(xué)院;
【分類號】:O43;O734
【正文快照】: 1引言自1947年古斯?jié)h欣位移被古斯和漢欣發(fā)現(xiàn)之后就成為了研究的焦點(diǎn)[1].Seshadri[2]在1987年研究了內(nèi)部反射的古斯?jié)h興位移.在1995年,Tran等[3]發(fā)表了關(guān)于在彎曲表面上的古斯?jié)h欣位移的研究.隨著現(xiàn)代微加工工藝水平的提高和加工成本的降低,微納光子學(xué)成為現(xiàn)代光學(xué)的一個熱點(diǎn),,
本文編號:1300536
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