本文關(guān)鍵詞：光學(xué)浮區(qū)法生長摻鍺氧化鎵單晶及其性質(zhì)研究

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【摘要】：采用光學(xué)浮區(qū)法生長了尺寸鐖8 mm×40 mm的Ge∶β-Ga_2O_3單晶。XRD物相分析表明Ge∶β-Ga_2O_3單晶仍屬于單斜晶系。為對其內(nèi)部缺陷進(jìn)行表征,進(jìn)行了腐蝕實(shí)驗(yàn),在光學(xué)顯微鏡下觀察到缺陷密度為6×10~4/cm~2。光學(xué)測試表明,與純單晶相比,Ge∶β-Ga_2O_3單晶在紅外波段存在明顯吸收,只有位于藍(lán)光區(qū)域的兩個(gè)熒光峰,抑制了紫外與綠光波段的發(fā)光。電學(xué)性能測試得出,Ge∶β-Ga_2O_3單晶的電導(dǎo)率在10-3量級,說明摻雜Ge4+對β-Ga_2O_3單晶的電學(xué)性能的確有改善。
【作者單位】： 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所;同濟(jì)大學(xué)物理科學(xué)與工程學(xué)院;上海藍(lán)寶石單晶工程技術(shù)研究中心(籌);
【基金】：國家自然科學(xué)基金(91333106) 上�？莆萍脊リP(guān)(13521102700) 上海藍(lán)寶石單晶工程技術(shù)研究中心(籌)(14DZ2252500)
【分類號】：O78
【正文快照】： (Received 29 February 2016,accepted 2 April 2016)1引言透明導(dǎo)電材料由于具有室溫導(dǎo)電和可見光范圍內(nèi)透光的特性愈來愈受到人們的關(guān)注。常見的透明導(dǎo)電氧化物(TCO),主要包括[1]:In2O3∶Sn(ITO),Zn O∶Ga,Mg In2O4和Zn Ga2O4,且易被廣泛應(yīng)用在透明電極,太陽能電池和觸摸屏等

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本文編號：1166310