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二茂鐵基陽離子探針分子的合成與應(yīng)用

發(fā)布時間:2017-10-11 21:14

  本文關(guān)鍵詞:二茂鐵基陽離子探針分子的合成與應(yīng)用


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【摘要】:以二茂鐵為起始底物,經(jīng);Ⅺu仿、酯化、親核加成等反應(yīng)將二茂鐵與含N和O等雜原子的芳香結(jié)構(gòu)相連接,合成了4種新型探針分子,用質(zhì)譜和核磁共振檢測產(chǎn)物的分子量和分子結(jié)構(gòu),檢測結(jié)果與目標(biāo)化合物完全一致。這4種探針分子以二茂鐵為信息報告基團(tuán),以含有N和O等雜原子的芳香結(jié)構(gòu)為結(jié)合基團(tuán),既具有電化學(xué)活性又有光學(xué)活性,可通過光、電兩種渠道實現(xiàn)對金屬陽離子的識別檢測。本文通過紫外吸收、熒光發(fā)射和循環(huán)伏安法對4種探針分子識別陽離子的性能進(jìn)行了研究,結(jié)果如下:探針A可在Hg~(2+)、Cu~(2+)、Pb~(2+)、Zn~(2+)、Fe3+、Ni~(2+)、Cd~(2+)中高選擇性的識別Ni~(2+), Ni~(2+)可使A的最大紫外吸收峰發(fā)生Δλ=13nm的藍(lán)移,可使A的循環(huán)伏安曲線中的氧化電位向正極發(fā)生AEpa=53mV的移動;探針分子B可對Cu~(2+)進(jìn)行選擇性的識別,Cu~(2+)的加入可使探針B的紫外吸收峰的位置向長波方向移動44nm,同時可使B循環(huán)伏安曲線的氧化電位增大,AEpa=33mV;探針分子C對Hg~(2+)、Cu~(2+)、Pb~(2+)、Zn~(2+)、Fe3+、Ni~(2+)、Cd~(2+)沒有明顯的識別響應(yīng),待測離子的加入并未引起C紫外吸收光譜、熒光發(fā)射光譜的變化,這是由探針C分子結(jié)構(gòu)方面的缺陷導(dǎo)致的;探針分子D可對Cu~(2+)和Ni~(2+)產(chǎn)生識別響應(yīng),Cu~(2+)和Ni~(2+)可分別使探針D的紫外吸收峰發(fā)生11nm和21nm的紅移,可分別使D的熒光發(fā)射強(qiáng)度增強(qiáng)0.46和0.33倍。Cu~(2+)加入后探針D循環(huán)伏安曲線的氧化峰電位增加了43mV,Ni~(2+)加入后探針D循環(huán)伏安曲線的氧化峰電位增加了193mV。
【關(guān)鍵詞】:二茂鐵 探針分子 識別 金屬離子
【學(xué)位授予單位】:上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:O627.81;O657
【目錄】:
  • 摘要5-6
  • Abstract6-9
  • 第一章 前言9-19
  • 1.1 研究現(xiàn)狀9-16
  • 1.2 設(shè)計思路及研究內(nèi)容16-19
  • 1.2.1 設(shè)計思路16-17
  • 1.2.2 研究方法17
  • 1.2.3 研究意義17-19
  • 第二章 探針分子的合成及表征19-26
  • 2.1 引言19
  • 2.2 試劑與儀器19-21
  • 2.3 A的合成及表征21-23
  • 2.4 B的合成及表征23-24
  • 2.5 C的合成及表征24-25
  • 2.6 D的合成及表征25-26
  • 第三章 探針分子的離子識別性能測試26-50
  • 3.1 引言26-27
  • 3.2 儀器與試劑27-28
  • 3.3 探針分子A的離子識別性能測試28-33
  • 3.3.1 陽離子對探針分子A紫外吸收的影響28-29
  • 3.3.2 陽離子對探針分子A熒光發(fā)射的影響29-30
  • 3.3.3 循環(huán)伏安法測試探針分子A的離子識別性能30-31
  • 3.3.4 探針分子A對Ni~(2+)最低識別濃度的測試31-32
  • 3.3.5 Job法測定A與Ni~(2+)形成配合物的化學(xué)計量比32-33
  • 3.4 探針分子B的離子識別性能測試33-39
  • 3.4.1 陽離子對探針分子B紫外吸收的影響33-35
  • 3.4.2 陽離子對探針分子B熒光發(fā)射的影響35-37
  • 3.4.3 循環(huán)伏安法測試探針分子B的離子識別性能37-38
  • 3.4.4 探針分子B對Cu~(2+)最低識別濃度的測定38
  • 3.4.5 Job法測定B與Cu~(2+)形成配合物的化學(xué)計量比38-39
  • 3.5 探針分子C的離子識別性能測試39-42
  • 3.5.1 陽離子對探針分子C紫外吸收的影響39-40
  • 3.5.2 陽離子對探針分子C熒光發(fā)射的影響40-42
  • 3.6 探針分子D的離子識別性能測試42-50
  • 3.6.1 陽離子對探針分子D紫外吸收的影響42-43
  • 3.6.2 陽離子對探針分子D熒光發(fā)射的影響43-45
  • 3.6.3 循環(huán)伏安法測定探針分子D的離子識別性能45-46
  • 3.6.4 探針分子D對Cu~(2+)和Ni~(2+)最低識別濃度的測定46-48
  • 3.6.5 Job法測定D與金屬離子形成配合物時化學(xué)計量比48-50
  • 結(jié)論50-52
  • 展望52-53
  • 參考文獻(xiàn)53-56
  • 致謝56-57
  • 附錄1 攻讀學(xué)位期間所開展的科研項目和發(fā)表的學(xué)術(shù)論文57
  • 附錄2 目標(biāo)化合物及中間產(chǎn)物的核磁圖譜57-61
  • 附錄3 目標(biāo)化合物的質(zhì)譜61-62
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本文編號:1014768

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