本文關(guān)鍵詞：表面微結(jié)構(gòu)對碳化硅晶須摻雜石墨陰極爆炸電子發(fā)射性能的影響

  更多相關(guān)文章： 表面微結(jié)構(gòu) 碳化硅晶須 電子發(fā)射性能 微波脈寬

【摘要】：爆炸發(fā)射陰極已廣泛應(yīng)用于高功率微波源,但常規(guī)場致爆炸發(fā)射陰極存在使用壽命短或電子發(fā)射不均勻的問題,改善陰極材料是解決這一問題的有效途徑.本文將碳化硅晶須摻雜到石墨中制備得到陰極,從二極管電流波形上升沿和輸出微波脈寬產(chǎn)生的變化著手,分析了碳化硅晶須摻雜石墨陰極表面材料成分和微觀形貌對其電子發(fā)射性能的影響機(jī)理.研究發(fā)現(xiàn),碳化硅晶須的存在,不僅有利于陰極場發(fā)射的快速啟動、發(fā)射微點數(shù)目增多,還有利于降低等離子體膨脹速度、抑制脈沖縮短現(xiàn)象,使得輸出微波脈寬增大.隨著脈沖發(fā)射數(shù)量增多,碳化硅晶須摻雜石墨陰極表面被等離子體不斷"拋光",微凸起形狀因子減小、均勻性提高,場發(fā)射啟動速度減慢,但輸出微波脈寬增大.
【作者單位】： 國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)航天科學(xué)與工程學(xué)院;西北核技術(shù)研究所;
【關(guān)鍵詞】： 表面微結(jié)構(gòu) 碳化硅晶須 電子發(fā)射性能 微波脈寬
【分類號】：O646
【正文快照】： 1引言 爆炸發(fā)射陰極已廣泛應(yīng)用于許多高電壓(300 kV)、強(qiáng)電流密度(1 k A/cm2)電子束驅(qū)動源系統(tǒng)中,尤其是高功率微波源(high power microwave source,HPMS)[1,2].陰極是HPMS中最重要的部件之一,最終HPMS的特性很大程度上取決于陰極產(chǎn)生電子束的品質(zhì).常規(guī)場致爆炸發(fā)射陰極存

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