氧解殘煤微波制備多孔炭及吸波應用
【學位單位】:中國礦業(yè)大學
【學位級別】:碩士
【學位年份】:2019
【中圖分類】:TB34;X752
【部分圖文】:
材料的導電率有關。導電率越大,則越容波材料一般都具有較高的電損耗正切角[72導電高聚物、石墨等。(2)介電損耗型吸波或者界面極化來實現(xiàn)電磁波的衰減[73]。常和鈦酸鋇等。(3)磁損耗型吸波材料主要通共振,疇壁共振等作用等來對電磁波能量進料有鐵氧體和金屬微粉兩類。成型工藝可分為涂覆型和結構型。(1)涂覆粘合劑混合后涂覆在材料表面以達到吸波效劑分散在結構材料中形成結構復合材料,這覆型吸波材料具有成本低廉、制備工藝簡差,同時因無吸波特性材料的加入會造成吸發(fā)展方向是盡可能使材料達到“輕、薄、寬晶體理論
催化劑的影響等。研究指出,在熱處理溫度 700 至 1300 K 下,碳晶和碳化過程中間相,并且將會由層狀液晶向列相液晶轉變。隨著提高,碳的層狀液晶和碳化中間相向完美石墨轉變,這些液晶分子排列。Oya 等進一步研究了碳材料催化石墨化時,溫度對石墨化程及不同催化劑種類、催化劑粒徑時對應的催化石墨化機理。其研究在四種碳的催化石墨化機理,如圖 3-1 所示。1)G-效應(a)是鐵系催化劑作用下碳材料進行催化石墨化的 XRD 譜圖,在發(fā)現(xiàn)的石墨就是這種類型。由圖可以看出,無催化劑作用下,無定個相對平滑的寬峰;而經 G 組分催化后,碳的 XRD 譜圖由寬峰和 組成。G 組分尖峰峰位為 26.5°,其 d002間距約為 335.4 pm,結晶墨化過程中有序石墨晶體結構的生成。當催化劑粒徑在 100 nm 左 G 效應的催化機理,分別是:原料碳或無定形碳熔融進入催化劑溶墨化碳的形式析出;原料碳或無定形碳與催化劑形成碳化物中間體石墨化碳。
圖 3-2 OC 的數碼照片( a )和 SEM 照片( b,c )Figure 3-2 The digital image ( a ) and SEM images ( b,c ) of OC(2)OC 的 X 射線衍射譜圖圖 3-3 所示為 OC 的 X 射線衍射圖。圖中,X 射線衍射峰較多,利用 Jade 6.0進行物相檢索分析,將其衍射峰對應的物質歸結為兩類:一是礦物質,石英 SiO2產生的尖銳強峰,其峰強相對較大,圖中已對其衍射峰進行了標示,另外還有一些其他種類礦物質,由于含量不一,在圖中形成強度不大的各類小峰;另一類衍射峰是由有機物產生的,檢索結果顯示,主要有機物的分子式為 C4H6O5V 和C9H10O4。譜圖中橫坐標在 16~29°范圍內,存在一個弱的寬峰,這是碳的 002 峰。此峰弱而寬泛,說明 OC 中的碳主要以無定形碳的形式存在。從圖中可以看出,碳的 100 峰出現(xiàn)在了 43°左右,其表現(xiàn)形式也是一個弱寬峰。YN 氧化降解后所得 OC 含有煤的大分子骨架,表現(xiàn)為無定形碳的形式,將其作為碳源制備炭材料是可行的。 Quartz -SiO( a ) ( b )5k 倍 ( c )2.5k 倍
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本文編號:2820295
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