本文關(guān)鍵詞：強沖擊產(chǎn)生等離子體對邏輯芯片的干擾特性研究

  更多相關(guān)文章： 強沖擊 等離子體 邏輯芯片模塊 毀傷特性

【摘要】：為了研究由超高速空間碎片強沖擊空間飛行器護(hù)板產(chǎn)生等離子體對空間飛行器中典型的邏輯芯片模塊的毀傷特性,我們建立了朗繆爾三探針診斷系統(tǒng)和邏輯芯片測量系統(tǒng),利用上述系統(tǒng)可以診斷由7075鋁球彈丸強沖擊2A12鋁制靶板產(chǎn)生的等離子體的特征參量以及邏輯芯片狀態(tài)的改變。本論文選擇了航天器中廣泛采用的三種邏輯芯片分別為CD54ACT32、CD74HC4075、SN54AHCT08。利用二級輕氣炮加載系統(tǒng),在入射角度不變的情況下,只改變碰撞速度來分析彈丸強沖擊鋁靶產(chǎn)生等離子體對以上三種邏輯芯片的毀傷情況。實驗結(jié)果表明:(a)撞擊速度在大于2.52km/s的情況下均能產(chǎn)生等離子體,但是產(chǎn)生等離子體對三種邏輯芯片的干擾程度各不相同,在三種邏輯芯片中CMOS邏輯芯片4075的抗干擾能力是最強的,CMOS邏輯芯片的抗干擾能力要強于TTL電平信號的邏輯芯片;(b)隨著撞擊速度的增高,等離子體的密度呈指數(shù)關(guān)系增加;(c)邏輯芯片的狀態(tài)改變時間要滯后于強沖擊產(chǎn)生等離子體的時間,超高速撞擊產(chǎn)生的等離子體在膨脹過程中遇到電子器件時可能會發(fā)生附著匯聚,而當(dāng)電荷在累加后達(dá)到一定的程度后才會對邏輯芯片電路產(chǎn)生干擾效應(yīng);(d)改變強沖擊的碰撞速度產(chǎn)生等離子體對邏輯芯片的毀傷主要表現(xiàn)為三種形式,分別為傳輸信號瞬態(tài)中斷而后恢復(fù)、輸出邏輯關(guān)系短暫失真和邏輯芯片管腳的損傷。
【關(guān)鍵詞】：強沖擊 等離子體 邏輯芯片模塊 毀傷特性
【學(xué)位授予單位】：沈陽理工大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：V443;TJ86
【目錄】：

• 摘要6-7
• Abstract7-10
• 第1章 緒論10-16
• 1.1 課題研究的背景10
• 1.2 課題研究的目的、意義10-11
• 1.3 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀11-14
• 1.4 本文主要內(nèi)容14-16
• 第2章 強沖擊產(chǎn)生等離子體概要16-22
• 2.1 強沖擊的簡介16-17
• 2.1.1 強沖擊的概念16
• 2.1.2 強沖擊的電磁效應(yīng)研究16-17
• 2.2 等離子體的概念17-19
• 2.2.1 等離子體的定義17-18
• 2.2.2 等離子體的一般性質(zhì)18-19
• 2.3 強沖擊產(chǎn)生等離子體19-21
• 2.4 小結(jié)21-22
• 第3章 實驗系統(tǒng)的建立22-32
• 3.1 實驗總體方案22-23
• 3.2 彈丸加載系統(tǒng)23-24
• 3.3 磁測速系統(tǒng)24-26
• 3.4 Langmuir三探針診斷系統(tǒng)26-30
• 3.4.1 Langmuir三探針診斷電路26-28
• 3.4.2 Langmuir三探針測量原理28-30
• 3.5 邏輯芯片信號采集系統(tǒng)30-31
• 3.6 小結(jié)31-32
• 第4章 實驗結(jié)果與分析32-61
• 4.1 強沖擊產(chǎn)生等離子體特征參量32-36
• 4.2 等離子體對邏輯芯片的干擾36-60
• 4.2.1 對TTL電平信號CD54ACT32型芯片干擾分析38-47
• 4.2.2 對CMOS電平信號CD74HC4075型芯片干擾分析47-57
• 4.2.3 對TTL電平信號SN54AHCT08型芯片干擾分析57-60
• 4.3 小結(jié)60-61
• 結(jié)論61-63
• 參考文獻(xiàn)63-67
• 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文和獲得的科研成果67-68
• 致謝68-69
• 附錄69-71

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 許洪國,高延令,陳禮t，

本文編號：970238