輻照加固鎖相環(huán)的研究與設計
本文關鍵詞:輻照加固鎖相環(huán)的研究與設計
更多相關文章: 單粒子瞬變效應 鎖相環(huán) 敏感性分析 電荷泵 設計加固
【摘要】:鎖相環(huán)(Phase-Loop Lock,PLL)被廣泛地應用于時鐘生成器等電路中,是航天器電子系統(tǒng)的核心部件。工作于輻照環(huán)境中的PLL容易遭到高能粒子的轟擊而誘發(fā)單粒子瞬變效應(Single Event Transient,SET),造成輸出信號相位和頻率漂移,導致電子系統(tǒng)產生錯誤,嚴重威脅著航天器的可靠性。為了提高PLL在輻照環(huán)境中的可靠性,本文對輻照加固鎖相環(huán)進行了研究與設計。主要包括以下內容:首先,本文采用低壓共源共柵技術,改進了一種差分型電荷泵電路,降低了充放電電流的失配。采用對稱負載差分延遲單元,設計了一種低相位噪聲、寬頻率范圍的壓控振蕩器(Voltage Controlled Oscillator,VCO)。在分析PLL工作原理的基礎上,設計了一款電荷泵鎖相環(huán),并采用SMIC 0.18μm CMOS工藝對所設計的電路進行仿真。仿真結果表明,所設計的電荷泵在0.4V~1.3V電壓范圍內的電流失配率僅為0.6%,VCO的輸出頻率范圍為90MHz~2.275GHz。當輸入時鐘頻率為62.5MHz時,PLL的鎖定時間為1.336μs,輸出頻率為1GHz,控制電壓的波紋僅為0.4mV,輸出波形的占空比為48.5%。其次,本文采用雙指數電流脈沖模擬高能粒子對PLL進行轟擊,分析了不同轟擊節(jié)點、不同轟擊能量和不同工作頻率時PLL的SET敏感特性。通過比較分析,電荷泵的輸出級、壓控振蕩器偏置電路和環(huán)振對SET很敏感,而電荷泵偏置電路和鑒頻鑒相器等數字電路部分的SET敏感性較小。最后,本文基于電流補償加固原理,改進了一種輻照加固電荷泵。采用三模冗余(Triple Modular Redundancy,TMR)技術,設計了一種輻照加固型壓控振蕩器。對于物理版圖,結合具體的電路,本文采用環(huán)形柵和保護環(huán)對PLL的版圖進行了加固處理。采用SMIC 0.18μm CMOS工藝對所設計的電路進行仿真,仿真結果顯示,與基本PLL相比,本文所設計的加固型PLL對SET的抑制能力提高了93.8%,PLL回到鎖定所需的恢復時間下降了71.5%,最大相位漂移減小了91.9%,有效地提高了PLL的抗輻照能力。
【關鍵詞】:單粒子瞬變效應 鎖相環(huán) 敏感性分析 電荷泵 設計加固
【學位授予單位】:重慶郵電大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:V443
【目錄】:
- 摘要3-4
- Abstract4-9
- 第1章 緒論9-13
- 1.1 研究背景及意義9-10
- 1.2 國內外研究現狀10-12
- 1.2.1 國外研究現狀10-11
- 1.2.2 國內研究現狀11-12
- 1.3 論文主要工作及組織結構12-13
- 第2章 輻照加固的基本理論13-25
- 2.1 輻照效應13
- 2.2 單粒子效應13-18
- 2.2.1 單粒子效應的機理13-15
- 2.2.2 單粒子效應的分類15-16
- 2.2.3 單粒子效應的模擬方法16-17
- 2.2.4 單粒子瞬變電流脈沖模型17-18
- 2.3 單粒子效應對電路的影響18-21
- 2.4 單粒子效應加固技術21-24
- 2.4.1 工藝加固22
- 2.4.2 設計加固22-24
- 2.5 本章小結24-25
- 第3章 基本鎖相環(huán)設計25-50
- 3.1 鎖相環(huán)的結構及基本原理25-33
- 3.1.1 鑒頻鑒相器26-27
- 3.1.2 電荷泵27-28
- 3.1.3 低通濾波器28-29
- 3.1.4 壓控振蕩器29-30
- 3.1.5 分頻器30
- 3.1.6 電荷泵鎖相環(huán)的線性模型30-31
- 3.1.7 環(huán)路穩(wěn)定性分析31-33
- 3.2 鎖相環(huán)各子電路設計33-49
- 3.2.1 鑒頻鑒相器設計33-36
- 3.2.2 電荷泵設計36-40
- 3.2.3 壓控振蕩器設計40-45
- 3.2.4 分頻器設計45-46
- 3.2.5 整體電路的設計與仿真46-49
- 3.3 本章小結49-50
- 第4章 鎖相環(huán)中SET敏感性分析50-63
- 4.1 鎖相環(huán)中SET敏感性的評估參數與雙指數電流模型50-52
- 4.1.1 SET敏感性評估參數50-51
- 4.1.2 雙指數電流模型51-52
- 4.2 電荷泵中SET敏感性分析52-57
- 4.2.1 SET敏感性量化方法52-54
- 4.2.2 CP中不同轟擊節(jié)點的SET響應54-55
- 4.2.3 CP中不同轟擊能量的SET響應55-56
- 4.2.4 CP中不同工作頻率的SET響應56-57
- 4.3 壓控振蕩器中SET敏感性分析57-62
- 4.3.1 VCO中不同轟擊節(jié)點的SET響應57-60
- 4.3.2 VCO中不同轟擊能量的SET響應60-61
- 4.3.3 VCO中不同工作頻率的SET響應61-62
- 4.4 本章小結62-63
- 第5章 輻照加固鎖相環(huán)設計63-78
- 5.1 電荷泵模塊的加固設計63-67
- 5.2 壓控振蕩器的加固設計67-70
- 5.3 鑒頻鑒相器和分頻器加固設計70
- 5.4 PLL的版圖加固設計70-74
- 5.4.1 版圖加固技術70-72
- 5.4.2 PLL子模塊及整體電路的版圖設計72-74
- 5.5 整體電路的仿真結果74-77
- 5.6 本章小結77-78
- 第6章 總結與展望78-80
- 6.1 全文工作總結78-79
- 6.2 工作展望79-80
- 參考文獻80-84
- 致謝84-85
- 攻讀碩士學位期間從事的科研工作及取得的成果85
【參考文獻】
中國期刊全文數據庫 前10條
1 趙馨遠;張曉晨;王亮;岳素格;;晶體管柵形狀對單粒子瞬態(tài)脈沖特性的影響研究[J];微電子學與計算機;2014年10期
2 呂靈娟;劉汝萍;林敏;桑澤華;鄒世昌;楊根慶;;Performance comparison of radiation-hardened layout techniques[J];Journal of Semiconductors;2014年06期
3 劉健波;劉遠;恩云飛;雷志鋒;王曉晗;楊元政;;集成電路單粒子瞬態(tài)效應與測試方法[J];微電子學;2014年01期
4 張筱穎;張玲;周理想;于宗光;;一種基于SOI的抗單粒子效應鎖相環(huán)設計[J];微電子學;2014年01期
5 田海燕;胡永強;;體硅集成電路版圖抗輻射加固設計技術研究[J];電子與封裝;2013年09期
6 趙源;徐立新;趙琦;金星;;抗輻射模擬CMOS集成電路研究與設計[J];中國空間科學技術;2013年03期
7 趙振宇;趙學謙;張民選;郭斌;秦軍瑞;;高可靠鎖相環(huán)設計技術研究[J];計算機工程與科學;2009年S1期
8 段吉海;古鴿;秦志杰;;一種高性能CMOS電荷泵的設計[J];中國集成電路;2009年06期
9 賀朝會;李永宏;楊海亮;;單粒子效應輻射模擬實驗研究進展[J];核技術;2007年04期
10 彭和平;時晨;趙元富;于立新;陳雷;;面向空間應用的雙核容錯微處理器的研究與實現[J];宇航學報;2007年01期
,本文編號:960499
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/hangkongsky/960499.html