發(fā)布時(shí)間：2017-09-06 15:13

  本文關(guān)鍵詞：非規(guī)則邊界條件對介質(zhì)內(nèi)帶電的影響研究

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【摘要】：采用三維仿真研究復(fù)雜介質(zhì)結(jié)構(gòu)深層充電問題,有利于發(fā)現(xiàn)由非規(guī)則邊界條件造成的局部場強(qiáng)畸變點(diǎn)。本文給出了深層充電的三維仿真方案,并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。對正面局部接地情況下的電路板內(nèi)帶電進(jìn)行了三維仿真,考察了局部接地邊緣出現(xiàn)的場強(qiáng)畸變特征,并定量分析了金屬走線邊角曲率半徑對畸變場強(qiáng)的作用規(guī)律。在地球同步軌道惡劣電子輻射環(huán)境下,2mm厚屏蔽鋁板下3mm厚電路板的充電結(jié)果表明:電路板正面接地與非接地邊線處存在顯著的場強(qiáng)畸變增大現(xiàn)象,場強(qiáng)峰值較一維規(guī)則接地情況高出2個(gè)數(shù)量級,達(dá)到10~7 V/m量級。增大金屬走線邊角曲率半徑可緩解局部泄漏電流密度的匯集效應(yīng),從而降低場強(qiáng)峰值。相關(guān)結(jié)論可為有效規(guī)避電路板內(nèi)帶電風(fēng)險(xiǎn)提供有益參考。
【作者單位】： 軍械工程學(xué)院靜電與電磁防護(hù)研究所;北京衛(wèi)星環(huán)境工程研究所;
【關(guān)鍵詞】： 介質(zhì)內(nèi)帶電 非規(guī)則邊界條件 局部接地 三維仿真 場強(qiáng)畸變
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51577190)
【分類號】：V442
【正文快照】： 2.北京衛(wèi)星環(huán)境工程研究所,北京100094)空間高能帶電粒子會打入并沉積到衛(wèi)星絕緣介質(zhì)中,當(dāng)累積電荷導(dǎo)致的電場強(qiáng)度超過放電閾值時(shí),便會引發(fā)介質(zhì)擊穿放電,嚴(yán)重干擾電路系統(tǒng)的正常工作。文獻(xiàn)[1-3]對衛(wèi)星內(nèi)帶電的誘發(fā)因素、充電規(guī)律和評估預(yù)測展開了諸多研究。其中,借助計(jì)算機(jī)仿

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本文編號：803860