本文關(guān)鍵詞：衛(wèi)星介質(zhì)深層充電的兩類計算模型對比分析

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【摘要】：計算模擬是評估航天器介質(zhì)深層充電危害的重要研究方法之一.通過粒子輸運模擬,可以得到特定空間輻射環(huán)境下介質(zhì)中的電荷沉積分布,進而根據(jù)電位/電場計算模型,得到深層充電結(jié)果.前期研究多是圍繞RIC(輻射誘導(dǎo)電導(dǎo)率)模型及其改進模型展開的,而目前通常采用基于電流守恒定律的簡單計算模型.為了研究二者關(guān)系,給出其各自求解方法,并采用已發(fā)表數(shù)據(jù)對計算結(jié)果進行驗證;從理論上闡述了后者是RIC模型的進一步簡化,只要二者考慮相同的介質(zhì)電導(dǎo)率,則對應(yīng)計算結(jié)果就是一致的;結(jié)合GEO惡劣電子輻射環(huán)境下平板介質(zhì)模型在三類邊界條件下的充電情況,進行了充分的仿真驗證.相關(guān)結(jié)論為介質(zhì)深層充電效應(yīng)評估提供了有益參考.
【作者單位】： 軍械工程學(xué)院靜電與電磁防護研究所;北京衛(wèi)星環(huán)境工程研究所;
【關(guān)鍵詞】： 介質(zhì)深層充電 RIC模型 電流守恒定律 粒子輸運模擬 輻射誘導(dǎo)電導(dǎo)率
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目資助(51577190)
【分類號】：V520
【正文快照】： 0引言 介質(zhì)深層帶電是指絕緣介質(zhì)在遭受高能帶電粒子輻射時,由于其存在極低的電導(dǎo)率(10—15 S.m-1量級),內(nèi)部會聚積空間電荷并建立電場,當(dāng)電場強度超過介質(zhì)的擊穿場強閾值時,就會發(fā)生介質(zhì)擊穿放電,破壞介質(zhì)原有的物性.與此同時,放電脈沖及其電磁輻射場會對臨近電子系統(tǒng)造成，

本文編號：796162