真空紫外輻照引起的聚合物材料質(zhì)量損失模型及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
發(fā)布時(shí)間:2017-08-08 08:22
本文關(guān)鍵詞:真空紫外輻照引起的聚合物材料質(zhì)量損失模型及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
更多相關(guān)文章: 真空紫外輻照 聚合物材料 質(zhì)量損失 擴(kuò)散理論
【摘要】:基于擴(kuò)散理論及輻射化學(xué)反應(yīng)理論,建立真空紫外(VUV)輻照引起的聚合物材料質(zhì)量損失數(shù)學(xué)模型。采用分離變量法與特征函數(shù)展開法,獲得材料中揮發(fā)物質(zhì)量隨輻照劑量變化的函數(shù)關(guān)系式。通過實(shí)驗(yàn)得到聚酰亞胺(PI)薄膜和聚酯(PET)薄膜的質(zhì)量損失數(shù)據(jù),擬合求解模型中的參數(shù),驗(yàn)證模型的適用性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該質(zhì)量損失模型適用于PI薄膜及PET薄膜,借助該模型可預(yù)估VUV輻照引起的材料的質(zhì)量損失。
【作者單位】: 蘭州空間技術(shù)物理研究所真空技術(shù)與物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;無錫泓瑞航天科技有限公司;
【關(guān)鍵詞】: 真空紫外輻照 聚合物材料 質(zhì)量損失 擴(kuò)散理論
【基金】:真空低溫技術(shù)與物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金(9140C550205140C55003)
【分類號(hào)】:V419
【正文快照】: 0引言聚合物材料在空間環(huán)境下因發(fā)生出氣逸出行為可造成分子污染[1-2]。航天器敏感表面污染是一個(gè)復(fù)雜的物理與化學(xué)過程。它包括揮發(fā)物分子從材料體內(nèi)逸出、空間傳輸和在敏感表面沉積三個(gè)基本過程。分子污染效應(yīng)不僅取決于航天器所使用聚合物材料的種類和數(shù)量,而且與航天器的,
本文編號(hào):639016
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