本文關(guān)鍵詞：抗輻照CMOS放大器集成電路設(shè)計技術(shù)（英文）

  更多相關(guān)文章： 放大器 抗輻射 轉(zhuǎn)角噪聲

【摘要】：抗輻射CMOS放大器集成電路作為航天器的核心應(yīng)用元器件越來越多用在宇航領(lǐng)域。為了更好地研究宇宙輻射環(huán)境中航天器抗輻照CMOS放大器集成電路性能和各種效應(yīng),并在太空輻射所產(chǎn)生機(jī)制的基礎(chǔ)上,從工藝和設(shè)計方面提出了抗輻照CMOS放大器集成電路抗輻照加固設(shè)計方法。在太空環(huán)境中,航天器中的集成電路存在CMOS元器件的線性跨導(dǎo)gm減小、閾值電壓偏離、轉(zhuǎn)角1/f噪聲幅值增加和襯底的漏電流增加。所以提出了新的抗輻照CMOS放大器集成電路的抗輻照集成電路的加固方法。通過該設(shè)計方法研制了抗輻照CMOS放大器集成電路,經(jīng)過測試驗證滿足航天應(yīng)用的要求。
【作者單位】： 北京理工大學(xué);中國空間技術(shù)研究院;奧地利ams
【分類號】：V443
【正文快照】： 1Introduction CMOS radiation harden circuit radiation harden is one ofthekeytechnologiesinaviationandaerospace application.The characteristics and functions of integrated circuit,which is the core component in spacecraft,have been takenasamain property

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 陳建立;周澤坤;明鑫;張波;;一種抗輻照高壓隔離反饋發(fā)生器的設(shè)計[J];微電子學(xué);2010年06期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 周樂文;竇文華;安蔚釗;;SOI技術(shù)及其抗輻照能力研究[A];第十五屆計算機(jī)工程與工藝年會暨第一屆微處理器技術(shù)論壇論文集（A輯）[C];2011年

2 劉俊夫;金賢龍;;高可靠HIC抗輻照加固途徑分析[A];中國電子學(xué)會第十五屆電子元件學(xué)術(shù)年會論文集[C];2008年

3 劉真;陳吉華;梁斌;;抗輻照標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計與性能分析[A];第十五屆計算機(jī)工程與工藝年會暨第一屆微處理器技術(shù)論壇論文集（A輯）[C];2011年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 季修宇;秦皇島星箭研制航天抗輻照玻璃[N];中國建材報;2009年

2 王剛　東琦 李崎;星箭公司抗輻照玻璃產(chǎn)品發(fā)展勢頭良好[N];中國工業(yè)報;2009年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前5條

1 司世清;一款基于65nm體硅工藝的抗輻照SRAM的設(shè)計與實現(xiàn)[D];國防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2014年

2 張鈺青;抗輻照SOI MOSFET模型研究[D];杭州電子科技大學(xué);2015年

3 胡明浩;抗輻照4K×32bit SRAM的研究與設(shè)計[D];電子科技大學(xué);2010年

4 張筱穎;基于SOI工藝的集成電路抗輻照設(shè)計[D];江南大學(xué);2014年

5 張瑩;DC/DC變換器抗輻照表征關(guān)鍵技術(shù)研究[D];西安電子科技大學(xué);2008年

，

本文編號：1140108