CdSe是Ⅱ-Ⅵ族中重要的半導(dǎo)體材料,一定條件下可與CdS形成無限固溶體CdSe_xS_1-x（0≤x≤1）。CdSe_xS_1-x在薄膜太陽電池及光電器件等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用,對CdSe_xS_1-x的電子學(xué)結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進行研究有助于進一步提高其在光電器件等方面的應(yīng)用�；诘谝恍栽�,采用平面波超軟贗勢方法,計算了CdSe_xS_1-x的電子學(xué)結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì),并將計算結(jié)果與實驗進行了對比。結(jié)果表明,CdSe_xS_1-x的晶格常數(shù)隨著Se組分的增加呈線性增大趨勢,態(tài)密度向低能級方向移動,禁帶寬度減小,光吸收邊發(fā)生一定程度的藍移。當(dāng)Se含量為0.5時,CdSe_xS_1-x的光折射、反射和能量損失最大。除了Se和S的比例為1∶1時CdSe_xS_1-x所屬晶系為三斜晶系,其他比例下均為立方晶系。理論計算結(jié)果與...

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【文章目錄】：
1 引 言
2 計算模型和方法
    2.1 計算模型
    2.2 計算方法
3 結(jié)果與討論
    3.1 晶體結(jié)構(gòu)
    3.2 電子學(xué)結(jié)構(gòu)
    3.3 光學(xué)性質(zhì)
4 結(jié) 論



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