本文關(guān)鍵詞：大尺寸核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的電光性質(zhì)研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：由于具有良好的光學(xué)特性,如熒光可控、光學(xué)穩(wěn)定性等,半導(dǎo)體量子點(diǎn)在光電子器件和生物標(biāo)記等領(lǐng)域良好的應(yīng)用前景。本文以CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)為研究對(duì)象,展開了以下幾個(gè)方面的研究工作：首先,利用連續(xù)離子層吸附反應(yīng)方案制備了大尺寸CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn),通過對(duì)量子點(diǎn)的X射線衍射、熒光吸收譜、熒光壽命、熒光閃爍曲線的測量,研究了CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的微結(jié)構(gòu)性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)與殼層厚度之間的關(guān)系。其次,利用電化學(xué)方法(循環(huán)伏安法)測量了CdSe量子點(diǎn)的循環(huán)伏安曲線,研究了其HOMO(最高占有分子軌道,即價(jià)帶頂)、LUMO(最低未占有分子軌道,即導(dǎo)帶底),并討論了電化學(xué)禁帶與光學(xué)禁帶的依賴關(guān)系；還測量了CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的循環(huán)伏安曲線,實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)在殼層變厚的情況下電化學(xué)禁帶和光學(xué)禁帶具有相反的變化趨勢(shì)。最后,在高溫下利用恒流泵慢速混合注入陰陽離子前驅(qū)體制備了純纖鋅礦相非閃爍的CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn),利用紫外光刻技術(shù)制備了周期性的交叉Au電極,并對(duì)基于量子限制斯塔克效應(yīng)的光學(xué)調(diào)制器件進(jìn)行了初步研究。
【關(guān)鍵詞】：半導(dǎo)體量子點(diǎn) 循環(huán)伏安法 電化學(xué)禁帶 純纖鋅礦相 紫外光刻技術(shù)
【學(xué)位授予單位】：東南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：O471.1
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-9
• 第一章 緒論9-23
• 1.1 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的概念9-11
• 1.2 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的基本特性11-14
• 1.2.1 量子尺寸效應(yīng)11
• 1.2.2 表面效應(yīng)11-13
• 1.2.3 宏觀量子隧道效應(yīng)13
• 1.2.4 庫侖阻塞效應(yīng)13-14
• 1.2.5 介電限域效應(yīng)14
• 1.3 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的發(fā)光原理及發(fā)光特性14-16
• 1.3.1 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的發(fā)光原理14-15
• 1.3.2 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的發(fā)光特性15-16
• 1.4 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的研究意義16-22
• 1.4.1 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的研究發(fā)展史16-18
• 1.4.2 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的應(yīng)用18-22
• 1.5 本論文的主要研究內(nèi)容22-23
• 第二章 大尺寸CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的合成及表征23-37
• 2.1 半導(dǎo)體量子點(diǎn)合成所用試劑和裝置23-24
• 2.2 CdSe量子點(diǎn)的合成24-26
• 2.2.1 硒前驅(qū)體的制備24-25
• 2.2.2 變尺寸CdSe量子點(diǎn)的合成25-26
• 2.3 CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的合成方案26-29
• 2.4 大尺寸CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的合成29-30
• 2.4.1 前驅(qū)體的制備29
• 2.4.2 直徑約4 nm CdSe核量子點(diǎn)的合成29
• 2.4.3 大尺寸CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的合成29-30
• 2.5 大尺寸CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的微結(jié)構(gòu)性質(zhì)30-34
• 2.5.1 TEM測量30-32
• 2.5.2 XRD測量32-34
• 2.6 大尺寸CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)34-36
• 2.6.1 穩(wěn)態(tài)光譜測量34-35
• 2.6.2 瞬態(tài)光譜測量35
• 2.6.3 熒光閃爍曲線測量35-36
• 2.7 本章小結(jié)36-37
• 第三章 CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的電化學(xué)性質(zhì)研究37-48
• 3.1 循環(huán)伏安體系的配置38-39
• 3.2 循環(huán)伏安法的原理39-41
• 3.2.1 循環(huán)伏安法的反應(yīng)原理39
• 3.2.2 循環(huán)伏安體系的可逆性39-40
• 3.2.3 循環(huán)伏安法測量HOMO和LUMO的原理40-41
• 3.3 循環(huán)伏安法的測量實(shí)驗(yàn)41-42
• 3.4 變尺寸CdSe量子點(diǎn)的電化學(xué)性質(zhì)42-45
• 3.4.1 可逆性分析42-43
• 3.4.2 變尺寸CdSe量子點(diǎn)的循環(huán)伏安曲線43-45
• 3.5 CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的電化學(xué)性質(zhì)45-47
• 3.6 本章小結(jié)47-48
• 第四章 基于量子限制斯塔克效應(yīng)的量子點(diǎn)電光調(diào)制器件的初步研究48-57
• 4.1 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的量子限制斯塔克效應(yīng)48-50
• 4.2 純纖鋅礦相CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的合成50-52
• 4.3 純纖鋅礦相CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的微結(jié)構(gòu)性質(zhì)52-53
• 4.3.1 TEM測量52-53
• 4.3.2 XRD測量53
• 4.4 純纖鋅礦相CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)53-55
• 4.4.1 穩(wěn)態(tài)光譜測量53-54
• 4.4.2 瞬態(tài)光譜測量54
• 4.4.3 熒光閃爍曲線測量54-55
• 4.5 電極的制備55-56
• 4.6 實(shí)驗(yàn)測量56
• 4.7 本章小結(jié)56-57
• 第五章 總結(jié)與展望57-58
• 5.1 總結(jié)57
• 5.2 展望57-58
• 參考文獻(xiàn)58-64
• 攻讀碩士學(xué)位期間的研究成果64-65
• 致謝65

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