c-C 4 F 8 /N 2 與c-C 4 F 8 /CO 2 混合氣體的絕緣性能
發(fā)布時(shí)間:2021-05-14 21:07
為尋找溫室效應(yīng)指數(shù)(GWP)低的SF6替代氣體,研究了c-C4F8/N2與c-C4F8/CO2混合氣體的絕緣性能,在球板電極下進(jìn)行了不同間隙距離、不同氣壓、不同氣體體積分?jǐn)?shù)的c-C4F8/N2與c-C4F8/CO2混合氣體工頻擊穿實(shí)驗(yàn)。同時(shí)進(jìn)行了SF6、c-C4F8、N2和CO2的對(duì)比實(shí)驗(yàn),并對(duì)擊穿之后的分解產(chǎn)物進(jìn)行了檢測(cè)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:c-C4F8/N2與c-C4F8/CO2混合氣體的擊穿電壓值都隨著間隙距離、氣壓和c-C4F8
【文章來(lái)源】:高電壓技術(shù). 2017,43(03)北大核心EICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:7 頁(yè)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]環(huán)保型絕緣氣體的滅弧能力分析[J]. 肖登明,焦俊韜,YAN Jiudun. 高電壓技術(shù). 2016(06)
[2]Analysis of the Molecules Structure and Vertical Electron Affinity of Organic Gas Impact on Electric Strength[J]. 焦俊韜,肖登明,趙小令,鄧云坤. Plasma Science and Technology. 2016(05)
[3]環(huán)保型絕緣氣體的發(fā)展前景[J]. 肖登明. 高電壓技術(shù). 2016(04)
[4]The Electronegativity Analysis of c-C4F8 as a Potential Insulation Substitute of SF6[J]. 趙小令,焦俊韜,李冰,肖登明. Plasma Science and Technology. 2016(03)
[5]基于Boltzmann方程的C3F8及C3F8-N2混合氣體絕緣性能[J]. 李冰,鄧云坤,肖登明. 高電壓技術(shù). 2015(12)
[6]長(zhǎng)空氣間隙放電研究的挑戰(zhàn)與進(jìn)展[J]. 曾嶸,莊池杰,余占清,陳赦,李志釗,陳維江. 高電壓技術(shù). 2014(10)
[7]基于FEM-FCT法的均勻電場(chǎng)下SF6氣體擊穿特性[J]. 李鑫濤,林莘,徐建源,李志兵. 高電壓技術(shù). 2014(10)
[8]CF3I/N2混合氣體局部放電特性實(shí)驗(yàn)研究[J]. 張曉星,周君杰,唐炬,肖淞,張敏. 高電壓技術(shù). 2013(02)
[9]c-C4F8及其與N2混合絕緣氣體在典型故障時(shí)分解生成物的試驗(yàn)分析[J]. 李康,張國(guó)強(qiáng),邢衛(wèi)軍,韓冬,牛文豪. 高電壓技術(shù). 2012(04)
[10]C4F8/N2混合氣體局部放電特性實(shí)驗(yàn)研究[J]. 邢衛(wèi)軍,張國(guó)強(qiáng),李康,牛文豪,王新,王迎迎. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2011(07)
博士論文
[1]SF6替代氣體c-C4F8及其混合氣體的絕緣性能研究[D]. 張劉春.上海交通大學(xué) 2007
[2]c-C4F8及其混合氣體絕緣性能的研究[D]. 吳變桃.上海交通大學(xué) 2007
本文編號(hào):3186330
【文章來(lái)源】:高電壓技術(shù). 2017,43(03)北大核心EICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:7 頁(yè)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]環(huán)保型絕緣氣體的滅弧能力分析[J]. 肖登明,焦俊韜,YAN Jiudun. 高電壓技術(shù). 2016(06)
[2]Analysis of the Molecules Structure and Vertical Electron Affinity of Organic Gas Impact on Electric Strength[J]. 焦俊韜,肖登明,趙小令,鄧云坤. Plasma Science and Technology. 2016(05)
[3]環(huán)保型絕緣氣體的發(fā)展前景[J]. 肖登明. 高電壓技術(shù). 2016(04)
[4]The Electronegativity Analysis of c-C4F8 as a Potential Insulation Substitute of SF6[J]. 趙小令,焦俊韜,李冰,肖登明. Plasma Science and Technology. 2016(03)
[5]基于Boltzmann方程的C3F8及C3F8-N2混合氣體絕緣性能[J]. 李冰,鄧云坤,肖登明. 高電壓技術(shù). 2015(12)
[6]長(zhǎng)空氣間隙放電研究的挑戰(zhàn)與進(jìn)展[J]. 曾嶸,莊池杰,余占清,陳赦,李志釗,陳維江. 高電壓技術(shù). 2014(10)
[7]基于FEM-FCT法的均勻電場(chǎng)下SF6氣體擊穿特性[J]. 李鑫濤,林莘,徐建源,李志兵. 高電壓技術(shù). 2014(10)
[8]CF3I/N2混合氣體局部放電特性實(shí)驗(yàn)研究[J]. 張曉星,周君杰,唐炬,肖淞,張敏. 高電壓技術(shù). 2013(02)
[9]c-C4F8及其與N2混合絕緣氣體在典型故障時(shí)分解生成物的試驗(yàn)分析[J]. 李康,張國(guó)強(qiáng),邢衛(wèi)軍,韓冬,牛文豪. 高電壓技術(shù). 2012(04)
[10]C4F8/N2混合氣體局部放電特性實(shí)驗(yàn)研究[J]. 邢衛(wèi)軍,張國(guó)強(qiáng),李康,牛文豪,王新,王迎迎. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2011(07)
博士論文
[1]SF6替代氣體c-C4F8及其混合氣體的絕緣性能研究[D]. 張劉春.上海交通大學(xué) 2007
[2]c-C4F8及其混合氣體絕緣性能的研究[D]. 吳變桃.上海交通大學(xué) 2007
本文編號(hào):3186330
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