本文關鍵詞：Fe-3%Si取向硅鋼�；に嚰俺醮卧俳Y晶機制的研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：取向硅鋼是一種具有{110}001織構的軟磁材料,是制造變壓器、電機及各種電器元件的重要材料之一,廣泛應用在電力,電子及航天領域。再結晶退火和常化工藝是生產(chǎn)過程的關鍵環(huán)節(jié),研究該過程中取向硅鋼組織、織構的演化以及抑制劑析出狀態(tài),對指導取向硅鋼的生產(chǎn)有著重要的理論和實踐意義。本文以工業(yè)用Fe-3%Si取向硅鋼為試驗對象。對熱軋板依次進行常化、冷軋及不同溫度的初次再結晶退火。采用XRD、SEM和EBSD等技術,系統(tǒng)研究初次再結晶過程中取向硅鋼宏觀織構、微觀組織以及晶粒取向的演化規(guī)律;采用SEM與EDS相結合的分析方法,探究�；に噷ψ罱K磁性能和Cu_2S抑制劑析出狀態(tài)的影響,確定最佳的常化工藝。研究結果表明:初次再結晶早期形核位置主要為變形晶界和剪切帶,隨著再結晶的進行,剪切帶形核發(fā)展為優(yōu)勢再結晶織構。初次再結晶過程中α纖維織構逐漸減弱,γ纖維織構逐漸增強,表層和心層的織構演化規(guī)律相似。高斯取向主要集中在表層,但并非主要取向。根據(jù)取向差原理計算初次晶粒與周圍變形基體的取向差主要分布在25o～45o之間。γ纖維織構組分的變形組織儲存能高,優(yōu)先發(fā)生再結晶。再結晶初期形成以{111}110、{111}112為主的擇優(yōu)取向,一直保持到再結晶完成。{112}110、{001}110取向的初次晶粒主要在再結晶中后期形成。再結晶完成后,高斯晶粒彌散分布,與周圍晶粒的晶界以大角度晶界為主,取向差在25o～55o之間。常化工藝可使更多抑制劑質(zhì)點析出,抑制初次晶粒長大,提高再結晶完成后{111}112織構含量,提高磁性能,降低鐵損。Cu_2S為主抑制劑的Fe-3%Si取向硅鋼,最佳常化工藝為1100℃�；幚�10 min,隨后800℃保溫水淬處理。此時Cu_2S析出物質(zhì)點的尺寸及數(shù)量能夠達到抑制劑的理想狀態(tài),對晶界的釘扎作用最強,產(chǎn)品磁性能最好。
【關鍵詞】：取向硅鋼 初次再結晶 織構 常化 抑制劑
【學位授予單位】：山東農(nóng)業(yè)大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TM275
【目錄】：

• 中文摘要7-8
• Abstract8-10
• 1 緒論10-23
• 1.1 硅鋼簡介10
• 1.2 取向硅鋼的研究進展10-13
• 1.2.1 國外取向硅鋼的現(xiàn)狀10-12
• 1.2.2 國內(nèi)取向硅鋼的現(xiàn)狀12-13
• 1.3 取向硅鋼的性能指標13-14
• 1.4 影響取向硅鋼磁性能的主要因素14-17
• 1.4.1 合金元素14-15
• 1.4.2 晶粒尺寸15
• 1.4.3 抑制劑的作用15-17
• 1.5 取向硅鋼生產(chǎn)工藝17-21
• 1.5.1 普通取向硅鋼生產(chǎn)工藝17-19
• 1.5.2 取向硅鋼生產(chǎn)新技術19-21
• 1.6 本論文的研究目的、意義及內(nèi)容21-23
• 2 試驗材料、方法和設備23-28
• 2.1 試驗材料23
• 2.2 試驗方案23
• 2.3 試驗設備23-28
• 2.3.1 熱處理設備23-25
• 2.3.2 檢測設備25-28
• 3 初次再結晶顯微組織、宏觀織構和微觀取向的演變28-38
• 3.1 試驗過程28-29
• 3.1.1 工藝流程28
• 3.1.2 組織觀察28-29
• 3.2 變形組織29-30
• 3.3 再結晶晶核的形成30-31
• 3.4 宏觀織構的形成31-34
• 3.5 微觀取向分析34-36
• 3.6 取向差分析36-37
• 3.7 小結37-38
• 4 �；に噷θ∠蚬桎撐龀鑫锛按判阅艿挠绊�38-49
• 4.1 �；瘜u_2S析出行為的影響41-47
• 4.1.1 析出行為分析41-42
• 4.1.2 加熱溫度及保溫時間對析出的影響42-44
• 4.1.3 α相區(qū)保溫溫度對析出的影響44-47
• 4.2 常化工藝對取向硅鋼磁性能的影響47-48
• 4.3 小結48-49
• 5 結論及展望49-50
• 5.1 結論49
• 5.2 展望49-50
• 參考文獻50-55
• 致謝55-56
• 攻讀學位期間發(fā)表論文及專利情況56

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6 吳鐵峰;張鶴鳴;王冠宇;胡輝勇;;小尺寸應變Si金屬氧化物半導體場效應晶體管柵隧穿電流預測模型[J];物理學報;2011年02期

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8 周斌,黃耀東,李忻,孫騏,車錄鋒,沈軍,吳廣明,唐偉星,熊斌,王躍林;自截止腐蝕制備Si平面薄膜中的B雜質(zhì)分析[J];原子能科學技術;2002年Z1期

9 王昶清;秦臻;王春雷;賈瑜;;Si原子在Si(001)表面及其臺階附近擴散的分子動力學模擬[J];洛陽理工學院學報(自然科學版);2008年02期

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3 彭英才;傅廣生;韓理;竹內(nèi)耕平;稻毛信彌;宮崎誠一;;Si納米量子點的自組織生長及其光致發(fā)光特性[A];第九屆全國發(fā)光學術會議摘要集[C];2001年

4 石瑛;趙蓉;蔣昌忠;;Si_(1-x)Ge_x/Si表面合金結構的掠入射X射線衍射(GIXRD)研究[A];第四屆中國功能材料及其應用學術會議論文集[C];2001年

5 陳克良;鄭平子;劉國興;鄭紀文;王素芳;白興平;于暹;張煥喬;許謹誠;劉祖華;阮明;呂俊;徐侃;;~(16)C+~(26)Si全熔合激發(fā)函數(shù)[A];第八屆全國核物理會議文摘集（下冊）[C];1991年

6 文振國;賈彥忠;宋建成;;[Si]在高爐滴落帶遷移行為的實驗研究[A];2004年全國煉鐵生產(chǎn)技術暨煉鐵年會文集[C];2004年

7 張軍星;張慶峰;劉世民;;Si納米晶表面結構的第一性原理研究[A];2013全國玻璃科學技術年會論文集[C];2013年

8 沈浩元;;大面積Si(Li)探測器[A];第7屆全國核電子學與核探測技術學術年會論文集（一）[C];1994年

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1 本報記者　 倪洪章;銀行數(shù)據(jù)大集中 SI們面臨洗牌[N];計算機世界;2006年

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3 小雨;SI如何實現(xiàn)軟件服務增值[N];中國計算機報;2002年

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6 CPW記者 于洪濤;首度渠道聚會 神州數(shù)碼網(wǎng)絡廣交SI[N];電腦商報;2005年

7 ;松下的強化SI設想[N];中國高新技術產(chǎn)業(yè)導報;2001年

8 梁亞杰;硬件行業(yè)采購，SI轉(zhuǎn)型中的雞肋？[N];中國計算機報;2004年

9 張鳳岐;精英電腦：精威主板應走SI渠道[N];電腦商報;2007年

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3 劉秀環(huán);半球形雙光子響應GaAs探測器研究與Si探測器設計[D];吉林大學;2007年

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7 李曉娜;半導體型β-FeSi_2和β-Fe(C,Si)_2薄膜的離子注入合成及薄膜的微觀影響因素[D];大連理工大學;2002年

8 王新蘭;XH_n（X=N，P，O和S）分子對Si（111）-7×7表面化學修飾的理論研究[D];廈門大學;2008年

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1 周子淳;高密度Si納米線的固—液—固生長及其光學性質(zhì)[D];河北大學;2015年

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9 龐金輝;硼對過共晶Al-Si合金中初晶Si細化作用的研究[D];鄭州大學;2009年

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，

本文編號：268542