半導(dǎo)體量子點(diǎn)納米材料不但具備很多獨(dú)特的物理性質(zhì),而且在各類(lèi)光電器件上具有巨大的潛在應(yīng)用價(jià)值,本論文主要利用光致熒光發(fā)射譜（PL）和時(shí)間分辨熒光譜（TRPL）等光致熒光光譜技術(shù)研究InAs系列量子點(diǎn)分子納米材料的光學(xué)性質(zhì),具體的工作主要包括如下三個(gè)方面:⑴研究了GaAs間隔層厚度對(duì)雙層結(jié)構(gòu)InAs/GaAs量子點(diǎn)分子光學(xué)性質(zhì)的影響。低溫下30ML、40ML和50ML間隔層的三個(gè)樣品的光致熒光發(fā)射譜均為雙峰結(jié)構(gòu),底層量子點(diǎn)（SQDs）和頂層量子點(diǎn)（TQDs）之間存在有效的載流子轉(zhuǎn)移,而且隨著間隔層厚度變大載流子轉(zhuǎn)移效率變低;測(cè)量了三個(gè)樣品TQDs的PL譜峰值位置（Emax）、半峰全寬（FWHM）及積分強(qiáng)度隨溫度的變化,表明隨著GaAs間隔層變大,TQDs和SQDs層間耦合變?nèi)?最后,分析了三個(gè)樣品的時(shí)間衰退行為（TRPL）,間隔層厚度大的樣品的載流子隧穿時(shí)間有明顯延長(zhǎng)。⑵研究了Al_0.5Ga_0.5As勢(shì)壘層對(duì)InAs/GaAs量子點(diǎn)分子光學(xué)性質(zhì)的影響。低溫下InAs/GaAs量子點(diǎn)分子的PL譜為雙峰結(jié)構(gòu),兩層量子點(diǎn)之間存在有效載流子轉(zhuǎn)移。插入Al<...

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖2.1原子力顯微鏡（AFM）系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖

米材料常用的外延制備方法有分子束外延（(MBE）和金技術(shù)，半導(dǎo)體納米材料常用的結(jié)構(gòu)和形貌表征方法有X描電子顯微鏡（SEM）、原子力顯微鏡（AFM）和透射電子顯半導(dǎo)體量子點(diǎn)樣品是在美國(guó)加州大學(xué)洛杉磯分校加州納納米材料實(shí)驗(yàn)室的固態(tài)分子束外延設(shè)備（VEECOGEN-93形貌和結(jié)構(gòu)采....

圖2.2GaSb/GaAs和InAs/GaAs量子點(diǎn)AFM圖像

是原子直徑，r是原子之間的距離。隨著r減小，E變大，當(dāng)r減小到一定數(shù)值量為+E；反之，當(dāng)r增大到一定數(shù)值，能量為-E。這樣根據(jù)探針和樣品在掃描生的位置變化，通過(guò)探針的偏移量等間接得到材料表面的形貌圖。AFM的掃要包括三種，分別是：接觸式（CONTACTMODE....

圖2.3光學(xué)顯微鏡與透射電子顯微鏡成像原理的比較

第2章實(shí)驗(yàn)技術(shù)和方法2.2透射電子顯微鏡（TEM）透射電子顯微鏡（Transmissionelectronmicroscope），簡(jiǎn)稱(chēng)透射電鏡，是一種束為照明源，由電磁透鏡聚焦成像的電子光學(xué)儀器。1924年，德布羅意計(jì)算出電波長(zhǎng)；1926年Busch發(fā)現(xiàn)軸對(duì)稱(chēng)....

圖2.4給出了三個(gè)樣品的TEM橫截面圖

河北大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文了帶電粒子與磁場(chǎng)間的相互作用。當(dāng)具有一定波長(zhǎng)的電子束入射到晶體上拉格條件2sinθ=λ其中，d為晶面距離；為電子束波長(zhǎng)，特定角度2θ處產(chǎn)生衍射，這個(gè)衍射波焦面聚集成一點(diǎn)，形成衍射點(diǎn)，經(jīng)過(guò)電子透鏡在熒光屏上顯示出來(lái)，得到電。高分辨電子顯微成像的....

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