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考慮剪切變形的宏纖維復(fù)合材料驅(qū)動(dòng)力方程

發(fā)布時(shí)間:2025-01-07 05:47
   針對經(jīng)典板理論(CPT)未考慮宏纖維復(fù)合材料(MFC)的剪切變形使得計(jì)算結(jié)果產(chǎn)生較大誤差的問題,運(yùn)用正弦剪切變形理論(SSDT),引入局部位移分布函數(shù),推導(dǎo)了新的MFC驅(qū)動(dòng)力方程.以MFC層合板結(jié)構(gòu)的端部位移為例,將基于SSDT的MFC驅(qū)動(dòng)力計(jì)算結(jié)果與基于CPT的計(jì)算結(jié)果進(jìn)行了比較.研究表明:采用基于SSDT的MFC驅(qū)動(dòng)力方程計(jì)算的端部位移結(jié)果優(yōu)于基于CPT的MFC驅(qū)動(dòng)力計(jì)算的端部位移結(jié)果,且具有更好的精度和適用性,可以推廣到MFC對平板結(jié)構(gòu)的減振與驅(qū)動(dòng)控制領(lǐng)域.

【文章頁數(shù)】:6 頁

【部分圖文】:

圖4MFC層合板結(jié)構(gòu)模型

圖4MFC層合板結(jié)構(gòu)模型

液??停?從而可以得到MFC驅(qū)動(dòng)力的施加位置.這不同于基于CPT的MFC驅(qū)動(dòng)應(yīng)力公式,后者不僅忽略了平面內(nèi)的剪切變形,無法給出MFC驅(qū)動(dòng)應(yīng)力的分布規(guī)律,而且粗略地將MFC驅(qū)動(dòng)力施加于粘貼位置的端部邊緣位置.3MFC層合板的算例分析為了說明基于SSDT的MFC驅(qū)動(dòng)力公式的精確性,以....


圖1P1型MFC構(gòu)造示意圖

圖1P1型MFC構(gòu)造示意圖

內(nèi)力計(jì)算[9-10].為此,結(jié)合正弦剪切變形理論(SSDT),引入局部位移分布函數(shù),推導(dǎo)了新的MFC驅(qū)動(dòng)力方程.為了進(jìn)一步證明MFC驅(qū)動(dòng)力方程的適用性,以文獻(xiàn)[11]中的MFC層合板為例分析了MFC的內(nèi)力分布及不同工況下自由端的位移.1MFC的本構(gòu)關(guān)系選取P1型MFC為研究對象,....


圖5MFC層合板有限元模型型MFC的材料參數(shù)與平板結(jié)構(gòu)的參數(shù)如表1所

圖5MFC層合板有限元模型型MFC的材料參數(shù)與平板結(jié)構(gòu)的參數(shù)如表1所

·48·華中科技大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)第48卷圖5MFC層合板有限元模型型MFC的材料參數(shù)與平板結(jié)構(gòu)的參數(shù)如表1所示.運(yùn)用基于SSDT的MFC驅(qū)動(dòng)力方程計(jì)算了P1型MFC在50~300V電壓下的截面內(nèi)力分布,如圖6所示,并對-500~1500V電壓下的P1型MFC進(jìn)行了壓電仿真,....


圖6施加不同電壓時(shí)MFC的截面內(nèi)力分布

圖6施加不同電壓時(shí)MFC的截面內(nèi)力分布

·48·華中科技大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)第48卷圖5MFC層合板有限元模型型MFC的材料參數(shù)與平板結(jié)構(gòu)的參數(shù)如表1所示.運(yùn)用基于SSDT的MFC驅(qū)動(dòng)力方程計(jì)算了P1型MFC在50~300V電壓下的截面內(nèi)力分布,如圖6所示,并對-500~1500V電壓下的P1型MFC進(jìn)行了壓電仿真,....



本文編號:4024587

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