C + 注入Si 3 N 4 陶瓷的表面結(jié)構(gòu)及水潤(rùn)滑摩擦學(xué)特性研究
發(fā)布時(shí)間:2024-12-18 07:02
油潤(rùn)滑具有污染、易燃、維護(hù)困難、廢液處理成本高等一系列問(wèn)題,這使得油潤(rùn)滑的應(yīng)用和發(fā)展受到嚴(yán)重限制。目前國(guó)內(nèi)外的研究都是為了降低或減少各種摩擦副因運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的摩擦、摩損、振動(dòng)、沖擊、噪聲、無(wú)功能耗以及解決可靠性差和壽命較短等問(wèn)題,達(dá)到凈化和保護(hù)江河湖海水資源等人類(lèi)賴(lài)以生存的環(huán)境、節(jié)省大量油料和貴重有色金屬等戰(zhàn)略資源的目的。而水具有無(wú)污染、來(lái)源廣泛、節(jié)省能源、安全性、難燃性等特性,故有望成為最具有發(fā)展?jié)摿Φ臐?rùn)滑介質(zhì)。因此,如何利用其他潤(rùn)滑介質(zhì)替代油的研究課題引起人們的普遍關(guān)注,并已成為世界工業(yè)發(fā)達(dá)國(guó)家競(jìng)相研究的一大熱點(diǎn)。 本文在多晶Si3N4陶瓷表面進(jìn)行C+注入。用X射線衍射儀和X射線光電子能譜研究了Si3N4陶瓷盤(pán)成分、結(jié)構(gòu)、鍵態(tài)。通過(guò)納米壓痕儀和三維形貌儀測(cè)試了C+注入前后Si3N4陶瓷的納米硬度、表面粗糙度和彈性模量。在自制杠桿式水潤(rùn)滑摩擦磨損試驗(yàn)機(jī)上測(cè)試不同注入?yún)?shù)下,法向載荷和速度等對(duì)Si3...
【文章頁(yè)數(shù)】:82 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 水潤(rùn)滑特點(diǎn)
1.1.1 水潤(rùn)滑技術(shù)的特點(diǎn)
1.1.2 水潤(rùn)滑的關(guān)鍵技術(shù)
1.1.3 常見(jiàn)水潤(rùn)滑材料
1.1.4 硅基非氧化物陶瓷在水潤(rùn)滑中的摩擦學(xué)特性
1.2 硅基非氧化物陶瓷水潤(rùn)滑性能
1.3 提高水潤(rùn)滑中的Si3N4 陶瓷耐磨性的方法
1.3.1 材料復(fù)合化
1.3.2 表面涂層
1.3.3 離子注入法
1.4 離子注入技術(shù)對(duì)硅基陶瓷性能的影響
1.4.1 離子注入對(duì)硅基陶瓷材料的力學(xué)性能的影響
1.4.2 離子注入對(duì)硅基陶瓷材料摩擦學(xué)性能的影響
1.5 本文的主要研究?jī)?nèi)容
第二章 試驗(yàn)方法
2.1 樣品的制備
2.1.1 樣品材料
2.1.2 C+注入Si3N4 陶瓷的制備
2.2 離子注入Si3N4 陶瓷結(jié)構(gòu)的表征方法
2.2.1 X 射線衍射(XRD)
2.2.2 X 射線光電子能譜(XPS)
2.2.3 納米硬度、表面粗糙度及彈性模量的表征
2.3 Si3N4 陶瓷的摩擦磨損試驗(yàn)
2.3.1 摩擦磨損試驗(yàn)的環(huán)境條件及試驗(yàn)參數(shù)
2.3.2 摩擦磨痕的體積測(cè)量及宏觀微觀形貌分析
2.4 小結(jié)
第三章 C+注入Si3N4陶瓷表面結(jié)構(gòu)表征及力學(xué)性能
3.1 C+注入Si3N4 陶瓷盤(pán)結(jié)構(gòu)表征
3.1.1 X 射線衍射分析
3.1.2 X 射線光電子能譜分析
3.2 力學(xué)性能分析
3.3 小結(jié)
第四章 不同劑量的C+注入Si3N4盤(pán)/ Si3N4球?qū)δサ哪Σ翆W(xué)特性
4.1 滑動(dòng)速度對(duì)Si3N4 盤(pán)/ Si3N4 球摩擦學(xué)性能的影響
4.2 法向載荷對(duì)Si3N4 盤(pán)/ Si3N4 球摩擦學(xué)性能的影響
4.3 不同注入劑量的C+注入Si3N4 盤(pán)的摩擦性能比較
4.3.1 不同注入劑量下的平均穩(wěn)態(tài)摩擦系數(shù)的比較
4.3.2 不同注入劑量下的磨損率的比較
4.4 不同的C+注入劑量時(shí)Si3N4 盤(pán)的磨痕三維樣貌和截面形貌
4.5 不同的C+注入劑量時(shí)光學(xué)顯微分析
4.5.1 不同注入劑量下Si3N4 盤(pán)磨痕形貌
4.5.2 不同注入劑量下Si3N4 球磨損形貌
4.6 本章小結(jié)
第五章不同能量的C+注入Si3N4盤(pán)/ Si3N4球?qū)δサ哪Σ翆W(xué)特性
5.1 不同的C+注入能量時(shí)滑動(dòng)速度對(duì)Si3N4 盤(pán)摩擦學(xué)性能的影響
5.2 不同的C+注入能量時(shí)法向載荷對(duì)Si3N4 盤(pán)摩擦學(xué)性能的影響
5.3 不同注入能量的C+注入Si3N4 盤(pán)的摩擦性能比較
5.3.1 不同注入能量下的平均穩(wěn)態(tài)摩擦系數(shù)的比較
5.3.2 不同注入能量下的磨損率的比較
5.4 不同的C+注入能量時(shí)Si3N4 盤(pán)的磨痕三維樣貌和截面形貌
5.5 不同的C+注入能量時(shí)光學(xué)顯微分析
5.5.1 不同注入能量下Si3N4 盤(pán)磨痕形貌
5.5.2 不同注入能量下Si3N4 球磨損形貌
5.6 本章小結(jié)
第六章 離子注入Si3N4陶瓷盤(pán)/Si3N4球與SI3N4陶瓷盤(pán)/SIC球摩擦學(xué)性能的比較及摩擦磨損機(jī)理分析
6.1 不同參數(shù)下兩種摩擦副摩擦學(xué)性能比較
6.1.1 不同劑量時(shí)兩種摩擦副摩擦學(xué)性能比較
6.1.2 不同能量時(shí)兩種摩擦副摩擦學(xué)性能比較
6.2 分析討論
6.3 本章小結(jié)
第七章 總結(jié)與展望
7.1 本文的主要工作及結(jié)論
7.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
在學(xué)期間的研究成果及發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
本文編號(hào):4017117
【文章頁(yè)數(shù)】:82 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 水潤(rùn)滑特點(diǎn)
1.1.1 水潤(rùn)滑技術(shù)的特點(diǎn)
1.1.2 水潤(rùn)滑的關(guān)鍵技術(shù)
1.1.3 常見(jiàn)水潤(rùn)滑材料
1.1.4 硅基非氧化物陶瓷在水潤(rùn)滑中的摩擦學(xué)特性
1.2 硅基非氧化物陶瓷水潤(rùn)滑性能
1.3 提高水潤(rùn)滑中的Si3N4 陶瓷耐磨性的方法
1.3.1 材料復(fù)合化
1.3.2 表面涂層
1.3.3 離子注入法
1.4 離子注入技術(shù)對(duì)硅基陶瓷性能的影響
1.4.1 離子注入對(duì)硅基陶瓷材料的力學(xué)性能的影響
1.4.2 離子注入對(duì)硅基陶瓷材料摩擦學(xué)性能的影響
1.5 本文的主要研究?jī)?nèi)容
第二章 試驗(yàn)方法
2.1 樣品的制備
2.1.1 樣品材料
2.1.2 C+注入Si3N4 陶瓷的制備
2.2 離子注入Si3N4 陶瓷結(jié)構(gòu)的表征方法
2.2.1 X 射線衍射(XRD)
2.2.2 X 射線光電子能譜(XPS)
2.2.3 納米硬度、表面粗糙度及彈性模量的表征
2.3 Si3N4 陶瓷的摩擦磨損試驗(yàn)
2.3.1 摩擦磨損試驗(yàn)的環(huán)境條件及試驗(yàn)參數(shù)
2.3.2 摩擦磨痕的體積測(cè)量及宏觀微觀形貌分析
2.4 小結(jié)
第三章 C+注入Si3N4陶瓷表面結(jié)構(gòu)表征及力學(xué)性能
3.1 C+注入Si3N4 陶瓷盤(pán)結(jié)構(gòu)表征
3.1.1 X 射線衍射分析
3.1.2 X 射線光電子能譜分析
3.2 力學(xué)性能分析
3.3 小結(jié)
第四章 不同劑量的C+注入Si3N4盤(pán)/ Si3N4球?qū)δサ哪Σ翆W(xué)特性
4.1 滑動(dòng)速度對(duì)Si3N4 盤(pán)/ Si3N4 球摩擦學(xué)性能的影響
4.2 法向載荷對(duì)Si3N4 盤(pán)/ Si3N4 球摩擦學(xué)性能的影響
4.3 不同注入劑量的C+注入Si3N4 盤(pán)的摩擦性能比較
4.3.1 不同注入劑量下的平均穩(wěn)態(tài)摩擦系數(shù)的比較
4.3.2 不同注入劑量下的磨損率的比較
4.4 不同的C+注入劑量時(shí)Si3N4 盤(pán)的磨痕三維樣貌和截面形貌
4.5 不同的C+注入劑量時(shí)光學(xué)顯微分析
4.5.1 不同注入劑量下Si3N4 盤(pán)磨痕形貌
4.5.2 不同注入劑量下Si3N4 球磨損形貌
4.6 本章小結(jié)
第五章不同能量的C+注入Si3N4盤(pán)/ Si3N4球?qū)δサ哪Σ翆W(xué)特性
5.1 不同的C+注入能量時(shí)滑動(dòng)速度對(duì)Si3N4 盤(pán)摩擦學(xué)性能的影響
5.2 不同的C+注入能量時(shí)法向載荷對(duì)Si3N4 盤(pán)摩擦學(xué)性能的影響
5.3 不同注入能量的C+注入Si3N4 盤(pán)的摩擦性能比較
5.3.1 不同注入能量下的平均穩(wěn)態(tài)摩擦系數(shù)的比較
5.3.2 不同注入能量下的磨損率的比較
5.4 不同的C+注入能量時(shí)Si3N4 盤(pán)的磨痕三維樣貌和截面形貌
5.5 不同的C+注入能量時(shí)光學(xué)顯微分析
5.5.1 不同注入能量下Si3N4 盤(pán)磨痕形貌
5.5.2 不同注入能量下Si3N4 球磨損形貌
5.6 本章小結(jié)
第六章 離子注入Si3N4陶瓷盤(pán)/Si3N4球與SI3N4陶瓷盤(pán)/SIC球摩擦學(xué)性能的比較及摩擦磨損機(jī)理分析
6.1 不同參數(shù)下兩種摩擦副摩擦學(xué)性能比較
6.1.1 不同劑量時(shí)兩種摩擦副摩擦學(xué)性能比較
6.1.2 不同能量時(shí)兩種摩擦副摩擦學(xué)性能比較
6.2 分析討論
6.3 本章小結(jié)
第七章 總結(jié)與展望
7.1 本文的主要工作及結(jié)論
7.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
在學(xué)期間的研究成果及發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
本文編號(hào):4017117
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