油膜厚度的超聲測量方法及氮化鋁壓電薄膜的制備
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【摘要】:潤滑對于機(jī)器很重要,潤滑油膜可以降低接觸零件間因相互運(yùn)動造成的摩擦和磨損,這層油膜通常很薄,當(dāng)油膜失效時,接觸表面會急劇升溫并加速磨損,最終導(dǎo)致機(jī)器不能正常工作。因此在線監(jiān)測油膜厚度并及時預(yù)警有著重要的工程實(shí)際意義。與電學(xué)法和光學(xué)法相比,超聲測量法沒有電隔離和透光的限制,因此有良好的應(yīng)用前景。但傳統(tǒng)測量使用的換能器較為笨重,需要通過在工件表面打孔的方式進(jìn)行固定。本文對超聲波油膜厚度測量方法進(jìn)行了研究,研究使用磁控濺射法,將Al N壓電薄膜沉積在工件表面,實(shí)現(xiàn)油膜厚度的非侵入性測量。根據(jù)垂直入射聲波在三層介質(zhì)中傳播的相關(guān)理論,建立不同油膜厚度測量的諧振模型和彈簧模型。通過對兩種模型進(jìn)行比較,求得反射系數(shù)、聲波頻率及膜厚的關(guān)系,得出不同模型在膜厚測量中的適用范圍。采用反應(yīng)磁控濺射的方法在不銹鋼上沉積Al N薄膜。設(shè)計了Al N薄膜的制備過程,并研究改變?yōu)R射功率、基底溫度、氮?dú)饬髁勘鹊裙に嚄l件對Al N薄膜生長的影響。使用X射線衍射儀(XRD)對薄膜結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,用原子力顯微鏡(AFM)觀察薄膜表面形貌。結(jié)果表明增加濺射功率、將N2的濃度控制在30~70%,降低基底的粗糙度等方法有助于取向性Al N薄膜的生長。
【關(guān)鍵詞】:超聲波測量 油膜厚度 反射系數(shù) AlN薄膜 磁控濺射
【學(xué)位授予單位】:南京航空航天大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TH117;TB383.2
【目錄】:
- 摘要4-5
- ABSTRACT5-12
- 注釋表12-13
- 第一章 緒論13-19
- 1.1 研究背景及意義13-14
- 1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀14-18
- 1.2.1 電學(xué)和光學(xué)測量法14-16
- 1.2.2 超聲波測量法16-18
- 1.3 本課題的主要研究內(nèi)容及目標(biāo)18-19
- 第二章 超聲波膜厚測量理論模型19-31
- 2.1 超聲波的聲學(xué)基礎(chǔ)19-22
- 2.1.1 聲波的分類19-20
- 2.1.2 聲速20
- 2.1.3 聲壓20-21
- 2.1.4 聲阻抗與聲阻抗率21
- 2.1.5 聲強(qiáng)與聲功率21
- 2.1.6 聲波的衰減與吸收21-22
- 2.2 垂直入射聲波的反射與透射22-23
- 2.3 機(jī)械結(jié)構(gòu)油膜層的反射系數(shù)23-30
- 2.3.1 諧振模型25-27
- 2.3.2 彈簧模型27-29
- 2.3.3 兩種模型的比較29-30
- 2.4 本章小結(jié)30-31
- 第三章 超聲壓電換能器的理論研究31-42
- 3.1 壓電效應(yīng)31
- 3.2 壓電材料簡介31-32
- 3.3 幾種常用的壓電薄膜材料32-33
- 3.3.1 鋯鈦酸鉛(PZT)32
- 3.3.2 氧化鋅(ZnO)32-33
- 3.3.3 氮化鋁(AlN)33
- 3.4 壓電薄膜的電學(xué)性質(zhì)33-35
- 3.4.1 壓電常數(shù)33-34
- 3.4.2 機(jī)電耦合系數(shù)34
- 3.4.3 機(jī)械品質(zhì)因數(shù)34
- 3.4.4 介電常數(shù)34-35
- 3.4.5 介質(zhì)損耗35
- 3.4.6 居里溫度35
- 3.5 壓電振子的振動模式35-36
- 3.6 圓形壓電振子的聲場分析36-39
- 3.6.1 聲場特性36-38
- 3.6.2 聲場指向性38-39
- 3.7 超聲壓電換能器結(jié)構(gòu)39-41
- 3.7.1 典型壓電換能器探頭的基本結(jié)構(gòu)39-40
- 3.7.2 壓電薄膜換能器探頭結(jié)構(gòu)40-41
- 3.8 本章小結(jié)41-42
- 第四章 超聲測量用AlN薄膜的制備與表征42-59
- 4.1 氮化鋁的晶體結(jié)構(gòu)42-43
- 4.2 AlN薄膜的制備方法43-44
- 4.3 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與材料44-46
- 4.3.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備44-45
- 4.3.2 實(shí)驗(yàn)材料45-46
- 4.4 添加中間層的設(shè)計方案46-48
- 4.5 實(shí)驗(yàn)技術(shù)路線48-49
- 4.6 薄膜的制備過程49-52
- 4.6.1 不銹鋼基底的拋光49
- 4.6.2 不銹鋼基底的夾具設(shè)計49-50
- 4.6.3 基底的清洗50-51
- 4.6.4 硅基底的臺階制備51
- 4.6.5 不銹鋼基底中間層的制備51-52
- 4.6.6 AlN薄膜的制備52
- 4.7 Al N薄膜的表征52-55
- 4.7.1 薄膜厚度的測量52-53
- 4.7.2 薄膜結(jié)構(gòu)的表征53-55
- 4.7.3 薄膜成分的分析55
- 4.8 上電極的制備55-58
- 4.8.1 蒸發(fā)鍍膜法制備上電極55-58
- 4.8.2 磁控濺射法制備上電極58
- 4.9 本章小結(jié)58-59
- 第五章 反應(yīng)磁控濺射制備AlN壓電薄膜59-69
- 5.1 AlN薄膜生長模型59-60
- 5.2 不同濺射功率對制備AlN薄膜的影響60-64
- 5.2.1 實(shí)驗(yàn)過程60
- 5.2.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析討論60-64
- 5.3 不同氮?dú)饬髁勘葘χ苽銩lN薄膜的影響64-65
- 5.4 不同基底對制備AlN薄膜的影響65-68
- 5.4.1 實(shí)驗(yàn)過程65
- 5.4.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析討論65-68
- 5.5 本章小結(jié)68-69
- 第六章 總結(jié)與展望69-71
- 6.1 總結(jié)69
- 6.2 展望69-71
- 參考文獻(xiàn)71-76
- 致謝76-77
- 在學(xué)期間的研究成果及發(fā)表的學(xué)術(shù)論文77
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中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條
1 吳
本文編號:289860
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